О федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

П О С Т А Н О В Л Е Н И Е

от 26 ноября 2007 г. N 809 г. Москва

О федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентнойбазы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Правительство Российской Федерации п о с т а н о в л я е т:

1. Утвердить прилагаемую федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (далее - Программа).

2. Министерству экономического развития и торговли Российской Федерации и Министерству финансов Российской Федерации при формировании проекта федерального бюджета на соответствующий год включать Программу в перечень федеральных целевых программ, подлежащих финансированию за счет средств федерального бюджета.

3. Завершить в 2007 году реализацию подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы, утвержденной постановлением Правительства Российской Федерации от 29 января 2007 г. N 54.

4. Установить, что мероприятия Программы, реализация которых осуществлялась в рамках подпрограммы, указанной в пункте 3 настоящего постановления, выполняются в соответствии с заключенными в 2007 году контрактами.

5. Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 29 января 2007 г. N 54 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 7, ст. 883).

Председатель Правительства Российской Федерации В.Зубков __________________________

УТВЕРЖДЕНА постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809

ФЕДЕРАЛЬНАЯ ЦЕЛЕВАЯ ПРОГРАММА

"Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

П А С П О Р Т федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Наименование- федеральная целевая программа "Развитие Программы электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Дата принятия- распоряжение Правительства Российской Федерации решения от 23 июля 2007 г. N 972-р о разработке Программы

Государственный- Министерство промышленности и энергетики заказчик - Российской Федерации координатор Программы

Государственные- Федеральное агентство по промышленности, заказчики Федеральное агентство по атомной энергии, Программы Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию

Основные- Министерство промышленности и энергетики разработчики Российской Федерации, Программы Министерство обороны Российской Федерации, Федеральное агентство по промышленности, Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное агентство по образованию

Основная цель- развитие научно-технического и Программы производственного базиса для разработки и производства конкурентоспособной наукоемкой электронной и радиоэлектронной продукции для решения приоритетных задач социально-экономического развития и обеспечения национальной безопасности Российской Федерации

Основные задачи- обеспечение радиоэлектронных средств и систем, Программы в первую очередь средств и систем, имеющих стратегическое значение для страны, российской электронной компонентной базой необходимого технического уровня; разработка базовых промышленных технологий и конструкций радиоэлектронных компонентов и приборов; техническое перевооружение организаций радиоэлектронной отрасли на основе передовых технологий; создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям электронных компонентов, унифицированных узлов и блоков радиоэлектронной аппаратуры для обеспечения российской продукции и стратегически значимых систем; опережающее развитие вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов, аппаратуры и систем для достижения мирового уровня

Важнейшие- целевым индикатором реализации Программы целевые является технический уровень современной индикатор и электронной компонентной базы, который будет показатели оцениваться по освоенному в производстве технологическому уровню изделий микроэлектронной техники. Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит создание производственно-технологической базы для выпуска современной электронной компонентной базы, соответствующей потребностям российских производителей аппаратуры и систем. В 2011 году планируется достижение уровня технологии 0,09 мкм с последующим переходом к 2015 году до уровня технологии 0,045 мкм, что существенно сократит отставание российской электроники и радиоэлектроники от мировых показателей. Основным целевым показателем реализации Программы является увеличение объема продаж конкурентоспособных изделий электронной компонентной базы и радиоэлектронной продукции. Ожидается, что в 2011 году значение этого показателя составит около 130 млрд. рублей, а в 2015 году - 300 млрд. рублей, темпы роста объемов производства будут сопоставимы с мировыми показателями. Показателем эффективности выполнения мероприятий Программы также является количество разработанных базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники, обеспечивающих конкурентоспособность конечной продукции. К 2011 году их количество будет составлять более 180 технологий, к 2015 году - не менее 270 технологий. В результате реализации Программы в 64 организациях будут созданы центры проектирования, в 117 организациях будут осуществлены реструктуризация и техническое перевооружение

Срок и этапы- 2008-2015 годы: реализации первый этап - 2008-2011 годы; Программы второй этап - 2012-2015 годы

Объемы и- всего по Программе в ценах соответствующих лет источники объем финансирования составит 187000 млн. финансирования рублей, в том числе: Программы за счет средств федерального бюджета - 110000 млн. рублей, из них на научно-иследовательские и опытно-конструкторские работы - 66000 млн. рублей, на капитальные вложения - 44000 млн. рублей; за счет средств внебюджетных источников - 77000 млн. рублей. Всего по Программе на 2008 год за счет средств федерального бюджета предусматривается 5500 млн. рублей, из них на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 3980 млн. рублей, на капитальные вложения - 1520 млн. рублей

Ожидаемые- увеличение объема продаж российской электронной конечные продукции, унифицированных электронных модулей результаты и радиоэлектронных изделий на внутреннем и реализации внешнем рынках; Программы и значительное сокращение технологического показатели отставания российской радиоэлектронной социально- промышленности от мирового уровня; экономической обеспечение больших возможностей для эффективности развития всех отраслей промышленности и осуществление перехода к экономике "знаний"; создание условий для более эффективной реализации национальных проектов, объявленных Президентом Российской Федерации; создание рыночно ориентированной инфраструктуры радиоэлектронной промышленности с учетом реструктуризации системы проектирования и производства радиоэлектронных изделий (системоориентированные центры проектирования, дизайн-центры, "кремниевые фабрики", научно-технологический центр по микросистемотехнике, маркетинговые и торговые центры, дилерские сети и т. д.); расширение экспорта высокотехнологичной продукции промышленности России; активизация инновационной деятельности и ускорение внедрения результатов научно-технической деятельности в массовое производство; обеспечение обновляемости основных фондов организаций радиоэлектронной отрасли и стимулирование создания современного высокотехнологичного производства; создание крупных и эффективных интегрированных структур, способных конкурировать с лучшими западными фирмами; организация производства массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции, реализующей современные телекоммуникационные услуги, включая радио и телевидение, услуги и средства электронных информационных систем; повышение качества жизни населения, отвечающего стандартам высокоразвитых стран мира по интеллектуализации среды обитания и возможностям использования электроники и информационных систем; увеличение числа рабочих мест в радиоэлектронной отрасли, снижение оттока талантливой части научно-технических кадров, повышение спроса на квалифицированные научно-технические кадры, обеспечение привлечения молодых специалистов и ученых, а также улучшение возрастной структуры кадров; обеспечение налоговых поступлений в бюджет от исполнителей и пользователей Программы в размере 198577,2 млн. рублей, что превысит размер инвестиций и создаст бюджетный эффект в размере 125045,9 млн. рублей; обеспечение индекса доходности (рентабельности) бюджетных ассигнований 2,7 и уровня безубыточности 0,68, что свидетельствует о высокой эффективности Программы

I. Характеристика проблемы, на решение которой направлена Программа

Федеральная целевая программа "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (далее - Программа) разработана в соответствии с распоряжением Правительства Российской Федерации от 23 июля 2007 г. N 972-р. Программа разработана с учетом Основ политики Российской Федерации в области развития науки и технологий на период до 2010 года и дальнейшую перспективу. При разработке учтен принцип преемственности по отношению к подпрограмме "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы, мероприятия Программы укрупнены и уточнены, содержат все направления указанной подпрограммы и учитывают интересы всех ее заказчиков. Основной проблемой, на решение которой направлена Программа, является создание современной научно-производственной инфраструктуры разработки и производства радиоэлектронных средств и стратегически значимых систем с использованием российской электронной компонентной базы нового технического уровня на основе коренной модернизации производственно-технологической базы электронной и радиоэлектронной промышленности и сокращения технологического разрыва с мировым уровнем, повышения технико-экономических показателей и расширения объемов производства массовой электронной и радиоэлектронной продукции, опережающего развития вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры. Программа учитывает, что проблемы экономического развития Российской Федерации в ближайшее десятилетие будут определяться способностью государственного обеспечения ресурсами для ускоренного роста высокотехнологичного сектора экономики. Привлечение инвестиций в экономику с их точной адресацией и учетом взаимодействия секторов экономики, связанных с развитием высоких технологий, рассматривается Правительством Российской Федерации в качестве важнейшего фактора создания российской конкурентоспособной технологической базы нового производства, формирующей перспективу общего роста экономики Российской Федерации. Приоритетами государственной инвестиционной политики в этих условиях являются ускоренное инвестиционное развитие секторов "новой экономики", прежде всего становление инновационных и информационных отраслей, формирование нового технологического уровня промышленности и решение на его базе задач социально-экономического развития государства. Все это позволяет ставить и решать в среднесрочной перспективе задачу сокращения технологического разрыва между Российской Федерацией и развитыми государствами, а в долгосрочной перспективе - задачу упрочения позиции России как одного из лидеров мирового развития. Ускорение социально-экономического развития общества, его информационное обеспечение и повышение интеллектуального уровня, дальнейший рост эффективности труда и комфортности быта, экономия природных и энергетических ресурсов, коренное улучшение технико-экономических и экологических показателей практически во всех отраслях промышленности и топливно-энергетического комплекса, модернизация базы научных исследований, медицины, образования, развитие космических исследований и разработка систем телекоммуникаций основаны на широком применении современной аппаратуры и систем радиоэлектроники, информационно-коммуникационных технологий. Одним из основополагающих факторов расширения производства и использования современной радиоэлектронной аппаратуры и информационно-коммуникационных систем является динамичный научно-технический и производственный процесс развития электронных и радиоэлектронных технологий и организация массового выпуска необходимых электронных и радиоэлектронных компонентов. В настоящее время доля радиоэлектроники в стоимости бытовых, промышленных и оборонных изделий и систем составляет 50-80 процентов. Степень совершенства этих изделий и технико-экономические показатели производства определяются в первую очередь техническим уровнем используемой электронной компонентной базы. Улучшение технических характеристик и повышение функциональной сложности электронной компонентной базы приводит к значительному улучшению технико-экономических показателей и надежности создаваемой радиоэлектронной аппаратуры, уменьшает число сборочных операций и количество используемых компонентов, уменьшает стоимость продукции. Мировой рынок микроэлектронной техники (основной составляющей электронной промышленности) в 2006 году достиг объема 260 млрд. долларов США с показателем роста в 10,6 процента в год, что почти в 3 раза превышает мировые показатели прироста валового внутреннего продукта, который составил в 2006 году 37,74 трлн. долларов США. Объем мирового производства радиоэлектронной продукции в 2006 году составил 1,32 трлн. долларов США, а радиоэлектроника по величине добавленной стоимости превосходит автомобильную, авиационную и общемашиностроительную отрасли. Радиоэлектроника используется ведущими мировыми державами как рычаг удержания мирового технического, финансового, политического и военного господства. Развивающиеся страны рассматривают государственную поддержку электронной и радиоэлектронной промышленности как наиболее эффективный способ подъема экономики и вхождения в мировой рынок. Мировой опыт также показывает, что совершенствование электронной продукции и наращивание объемов ее производства ведется главным образом на основе комплексных целевых научно-технических программ, инициируемых правительствами развитых и развивающихся стран и финансируемых до 50 процентов из средств государственного бюджета. Ежегодно на программы развития только электроники в мире выделяется более 12 млрд. долларов США, а если учесть, что фирмы расходуют до 10 процентов объемов продаж изделий электроники на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, эта сумма вырастает до 30 млрд. долларов США. Объем капитальных вложений в полупроводниковую отрасль (включая научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы) в 2006 году в мире превысил 53 млрд. долларов США. Наряду с прямым финансированием программ правительства заинтересованных в развитии электроники государств оказывают косвенную поддержку новых производств путем предоставления налоговых льгот, льготных кредитов на закупку технологий и специального технологического оборудования, государственных гарантий инвесторам, уменьшения срока амортизации специального технологического оборудования и защиты внутреннего рынка от импорта. В сложившейся ситуации единственным способом решения проблемы развития электронной компонентной базы и радиоэлектроники в Российской Федерации является программно-целевой метод, обеспечивающий необходимый уровень адресной поддержки развития технологий и новых производств в целях обеспечения повышения конкурентоспособности экономики, инвестиционных программ и проектов в секторах с высокой долей участия государства, прежде всего проектов оборонно-промышленного комплекса. Таким образом, реализация Программы полностью соответствует приоритетам государственной политики по созданию стратегически важных для страны инфраструктурных объектов, от которых зависит устойчивое функционирование всей экономики страны и ее сфер, способствующих инновационно-технологическому прорыву, решение задач социально-экономической политики государства, развитие и безопасное функционирование технически сложных систем и экологическая безопасность. Программа разрабатывалась с учетом следующих положений: развитие технологий в мире является непрерывным, постоянно обновляющимся процессом; обострение конкурентной борьбы на внешнем, а также на внутреннем рынках в связи с предстоящим присоединением Российской Федерации к Всемирной торговой организации с учетом поставленной руководством страны задачи резкого увеличения темпов роста валового внутреннего продукта требует интенсификации ускорения разработки и передачи в производство передовых технологий мирового уровня и модернизации производств, которые могли бы составить производственно-технологический базис для создания и реализации конкурентоспособной наукоемкой продукции; развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники позволит решить вопрос создания основы для развития передовых отраслей промышленного производства, обеспечит укрепление экономики, расширит сферы применения средств телекоммуникаций, информатики, улучшит условия труда и быта населения, будет способствовать повышению его образовательного и интеллектуального уровня, уровня медицинского обслуживания и социального обеспечения, улучшит экологию; электронная компонентная база и новые технологии сборки аппаратуры являются основой для разработки и производства радиоэлектронной аппаратуры, систем связи и телекоммуникаций, систем управления в технике, промышленности, социальной сфере, торговле и на транспорте, связаны с технологиями и материалами двойного назначения, дают возможность применения изделий в экстремальных условиях эксплуатации (космическое пространство, земные недра, мониторинг обстановки вблизи источников излучений ядерных объектов, физические эксперименты, стихийные бедствия) и в специальной технике (системы антитеррора и контроля за перемещением наркотиков, системы экологического мониторинга, системы раннего предупреждения и ликвидации последствий техногенных катастроф); совершенствование технологий и конструкций обеспечивает не только повышение функциональных и технических характеристик электронной компонентной базы и создаваемой на их основе аппаратуры, но снижает нагрузку в целом на проектирование и выпуск аппаратуры и систем. Это объясняется тем, что этап проектирования систем, выполняющих сложные функции, переносится на этап проектирования специализированных больших интегральных схем, а основной объем сборочных операций при выпуске аппаратуры заменяется на процессы интеграции элементов при изготовлении сложнофункциональной электронной компонентной базы, которая выполняет роль блоков и узлов аппаратуры или полностью реализует функции аппаратуры в составе одной сверхбольшой интегральной схемы "система на кристалле" (однокристальный телевизор, однокристальный телефон). При использовании аппаратуры и систем с высокими техническими показателями достигается значительный эффект в части повышения производительности, точности и надежности выполнения функций, энергосбережения, экономии материалов, улучшения условий труда; количественно определенный результат будет фиксироваться по каждому инвестиционному проекту в виде достигнутых мощностей производства, показателей технического качества выпускаемой продукции, социально значимых показателей (количество дополнительных рабочих мест, улучшение условий труда, снижение экологической нагрузки), технико-экономических показателей производства (снижение энергопотребления, повышение процента выхода годных изделий), расширения объема экспортных поставок, а также размера поступлений в бюджет в виде налогов; осуществление мероприятий Программы в два этапа (I этап - 2008-2011 годы, II этап - 2012-2015 годы) обеспечивает реализацию принципа преемственности в отношении подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы, а также дает возможность оптимизации мероприятий II этапа Программы с учетом результатов I этапа, возникающих новых стратегических задач развития, сложившейся конъюнктуры рынка и развития новых мировых технологических направлений; системное информационно-аналитическое обеспечение формирования годовых планов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, нацеленных на выполнение мероприятий Программы и определение наиболее перспективных направлений работ с учетом мирового опыта и достигнутых промежуточных результатов; увязка расходов с возможностями бюджета в течение всего срока реализации Программы путем финансирования Программы по итогам выполнения плана научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ за предыдущий год на основе ежегодного открытого конкурса проектов, который позволит оптимизировать состав участников Программы и обеспечить максимально возможное выполнение мероприятий Программы при заданном объеме финансирования; расходы на осуществление научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ должны преобладать над расходами капитального характера, включая приобретение оборудования, в структуре бюджетного финансирования Программы (60 процентов расходов - научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и 40 процентов - капитальные вложения), что позволит достигнуть максимально возможный практический эффект от реализации Программы в целом. Каждый инвестиционный проект Программы сопровождается соответствующим мероприятием (комплекс научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по разработке автоматизированных систем проектирования, базовых технологий и базовых конструкций электронной компонентной базы, радиоэлектронных блоков и узлов, технологических и конструкционных материалов); невозможность решения проблемы межотраслевого, межведомственного характера другими способами требует принятия решений на уровне Правительства Российской Федерации, что обусловлено в первую очередь государственной важностью этой задачи и ее стратегическим значением для подъема производства промышленного комплекса, а также широким кругом использования электронной компонентной базы и радиоэлектроники для решения задач социально-экономического развития страны; применение комплексного подхода позволит увязать технологическое и производственное развитие элементного базиса и конечную востребованную внутренним рынком радиоэлектронную продукцию. Важным обстоятельством является то, что в ближайшие годы в Российской Федерации открываются новые сектора рынка, еще не занятые иностранным производителем.

Обеспечение создания и производства средств радиочастотной идентификации

Одним из важнейших направлений применения радиочастотной идентификации является электронный паспорт. Работы в этом направлении активно ведутся в настоящее время и в Российской Федерации. Для введения электронного паспорта при населении около 150 млн. человек потребуется такое же количество микросхем. Следует также учесть ежегодное пополнение взрослого населения, необходимость замены паспортов по семейным и другим обстоятельствам, а также плановое обновление паспортов один раз в 5 лет. Таким образом, перевод паспортно-визовых документов на электронную технологию потребует единовременно около 150 млн. микросхем и затем ежегодно по 50 млн. микросхем. Дополнительное количество микросхем потребуется в связи с переводом на эту же технологию водительских удостоверений, смарт-карт платежных систем и SIM-карт мобильной связи. Для защиты этого сегмента рынка от экспансии микросхем иностранного производства принципиально важным является решение об обязательном выборе в качестве разработчика и изготовителя микросхем для электронного паспорта российской организации. С использованием подобных технологий можно выпускать менее сложные микросхемы, например электронные метки для товаров и грузов (по экспертным оценкам, потребность в них в 2007 году может достигнуть 250-400 млн. штук). Потребность в микросхемах возникнет и при формировании инфраструктуры пользователей, поскольку радиоэлектронная аппаратура пользователей средств радиочастотной идентификации подвижных объектов транспортных средств, грузов, товаров, контроля доступа, в том числе электронных паспортов, строится с широким использованием унифицированных электронных модулей считывателей обработки сигналов, модулей системы опознавания, вторичных источников электропитания и других видов унифицированных блоков и узлов аппаратуры. По экспертным оценкам, объем данного сегмента рынка составляет 15-18 млрд. рублей в год, в том числе объем рынка микроэлектронных изделий - 6-7 млрд. рублей в год.

Обеспечение создания и производства средств координатно-временного обеспечения

В настоящее время основными и наиболее точными средствами навигационного обеспечения различных потребителей являются глобальные навигационные спутниковые системы ГЛОНАСС (Российская Федерация) и GPS (США). В Европе разворачивается навигационная система "Галилео". Принятие решения о снятии ограничений на точность координатного определения расширяет возможности гражданского применения специальной спутниковой системы и, соответственно, увеличивает объем рынка. По экспертным оценкам, объем российского рынка навигационной аппаратуры составляет около 5 процентов общего мирового рынка, что соответствует около 50 млн. навигационных приборов. Необходимо обеспечить сохранение за российским производителем не менее 50 процентов рынка навигационной аппаратуры. Основным массовым потребителем систем и средств координатно-временного обеспечения является транспорт всех видов (автомобильный, морской и речной, железнодорожный и авиационный). Кроме того, большой интерес для производства средств координатно-временного обеспечения представляют телекоммуникационный рынок (в части систем синхронизации передачи данных), рынок геодезических услуг (учет земли, строительство и пр.), рынок систем энергоучета и учета перемещения продуктов по газо- и нефтепроводам, персональная навигация во всех ее применениях, включая мобильные телефоны. Несмотря на значительную номенклатуру навигационной аппаратуры пользователей, в ее основе лежит широкое использование унифицированных электронных модулей (приемо-измерительные модули, функциональные узлы, контроллеры, вторичные источники питания). По экспертным оценкам, объем данного сектора рынка составляет 3,5 - 4,5 млрд. рублей в год, а объем рынка изделий микроэлектроники - 1,5 - 2,2 млрд. рублей в год.

Обеспечение создания и производства техники цифрового телевидения

Правительство Российской Федерации в мае 2004 г. приняло решение о внедрении в стране европейской системы цифрового телевизионного вещания. Это решение открывает большие возможности для широкого использования российского высокотехнологичного оборудования при исключении "захвата" российского рынка телевидения иностранными фирмами, как это произошло при внедрении мобильной радиосвязи. По экспертным оценкам, объем рынка аппаратуры цифрового телевидения до 2015 года составит около 55 млрд. рублей в год, при этом уже сегодня не менее 60 процентов аппаратуры может выпускаться российскими производителями. Следует учитывать, что дополнительную потребность создает производство приставок к обычным аналоговым телевизорам для возможности приема ими цифрового телевизионного сигнала. С учетом большого количества аналоговых телевизоров, находящихся в пользовании у населения (не менее 80 млн. аппаратов), данный сегмент рынка представляется весьма существенным. Кроме того, следует учитывать систему платного абонентского телевидения, в которой используются специальные схемы, обеспечивающие возможность платного просмотра. Общий объем рынка унифицированных электронных модулей для систем цифрового телевидения - цифровых приставок и цифровых телевизоров (включая сверхбольшие интегральные схемы канальных демодуляторов и декодеров, тюнеров (селекторов каналов), сверхбольшие интегральные схемы цифровых процессоров обработки сигналов изображения и звука, дисплейных модулей, импульсных источников питания и т. д.) оценивается около 20 млрд. рублей в год, а объем рынка электронной компонентной базы для данного направления составит 6-8 млрд. рублей в год. По мере перевода сетей телевизионного вещания на цифровой формат в Российской Федерации будет разворачиваться массовое производство цифровых телевизоров. Ожидается, что объем российского рынка цифровых телевизоров уже к 2010 году может достичь 7-10 млн. штук в год. Согласно прогнозу большая часть этих телевизоров будет изготовлена на основе плоских телевизионных панелей, в первую очередь жидкокристаллических. Поэтому программа производства электронной компонентной базы для приемников цифрового телевидения должна предусматривать создание российских плоских телевизионных дисплеев и элементной базы для них (интегральных схем драйверов, цифровых сверхбольших интегральных схем обработки сигналов и т. д.), тем более что плоские дисплеи являются продукцией двойного назначения, так как широко используются в качестве средств отображения в специальной и военной аппаратуре. Поскольку для строительства современного завода по производству плоских телевизионных дисплеев требуются инвестиции в объеме 1-2 млрд. долларов США, для решения этой задачи целесообразно привлечение иностранных партнеров и создание совместных производств. Такая практика широко распространена даже среди ведущих мировых производителей плоских дисплеев, которые образуют стратегические альянсы для объединения своих финансовых и технологических ресурсов.

Обеспечение создания военной и специальной электронной компонентной базы и радиоэлектроники

Сектор рынка, связанный с созданием военной и специальной электронной компонентной базы и радиоэлектроники, способен обеспечить небольшую, но стабильную загрузку российской радиоэлектронной промышленности. Анализ государственной программы вооружения показывает, что к 2015 году ежегодный объем серийных закупок электронной компонентной базы и радиоэлектроники будет составлять более 30 млрд. рублей в год. Особенностями этого сектора являются: широкая номенклатура электронной компонентной базы и радиоэлектроники (номенклатура только электронной компонентной базы составляет более 25 тыс. типономиналов); повышенные требования по эксплуатации (температура, влажность, радиационная стойкость, повышенная надежность, устойчивость к механическим воздействиям и т. д.); относительно небольшие объемы выпуска заказываемой продукции; длительный жизненный цикл поставляемых изделий, включая необходимость воспроизводства в течение 10-15 лет.

Обеспечение создания оборудования широкополосного беспроводного доступа

Анализ направлений развития технологии телекоммуникаций показал, что в настоящее время разрабатываются средства создания широкополосных беспроводных сетей связи, обеспечивающих обмен 3 видами информации (голос, передача данных, в том числе по сети Интернет, и телевидение). Указанная технология особенно актуальна и перспективна для Российской Федерации, большая часть территории которой не оснащена кабельными и проводными линиями связи. Традиционно продукция российских разработчиков и производителей беспроводного оборудования (радиосвязь, спутниковая и радиорелейная связь) являлась и продолжает оставаться конкурентоспособной на рынках телекоммуникационного оборудования, что позволяет рассчитывать на высокую долю (примерно 50 процентов) российского оборудования в этом секторе рынка. Объем внутреннего рынка аппаратуры беспроводного широкополосного доступа в настоящее время составляет около 50 млн. долларов США при высоких темпах роста (50-60 процентов в год, что составит к 2010 году 6-8 млрд. рублей в год), причем основную часть этого рынка (до 80 процентов) занимают унифицированные приемопередающие модули, модули сетей доступа, модули защиты, микроконтроллеры и другая продукция.

Авионика

Для обеспечения в рамках Единой системы организации воздушного движения Российской Федерации поставки бортовых радиоэлектронных систем для строительства воздушных судов и наземных радиоэлектронных систем необходимо осуществить разработку значительного объема новой элементной базы и радиоэлектронного оборудования. В отношении аэронавигационной системы страны осуществляется единая техническая политика, предусматривающая модернизацию средств и систем организации воздушного движения в интересах обеспечения деятельности всех видов авиации в основном российским оборудованием и обеспечивающая соответствие национальным интересам Российской Федерации, российским и международным стандартам. С учетом новых принципов функционирования аэронавигационной системы, основанных на интеграции перспективных наземных, бортовых и спутниковых средств и систем аэронавигации, необходимо обеспечить их гармонизированное развитие. Среднегодовой объем потребления продукции радиоэлектронной промышленности может составить 2-3 млрд. рублей в год, при этом объем рынка унифицированных электронных модулей - 1 млрд. рублей в год. В области создания гражданской авиатехники планируется принципиальное изменение стратегической позиции гражданского сектора авиационной промышленности Российской Федерации на мировом авиарынке, включая рынок России и государств - участников СНГ. Фактическое возвращение отрасли на этот глобальный рынок в качестве мирового центра авиастроения и обеспечение к 2015 году не менее 5 процентов мирового рынка продаж гражданской авиационной техники позволят осуществить годовой объем продаж в 2015 году 65-85 магистральных и региональных самолетов российского производства. Рыночные доходы российской авиационной промышленности в 2015 году составят 54 млрд. рублей. По экспертным оценкам, объем рынка бортовой радиоэлектронной аппаратуры в настоящее время составляет 0,5 - 1 млрд. рублей в год, объем рынка систем и средств для обеспечения авиационной деятельности гражданской авиации - 2,5 - 4 млрд. рублей в год.

Автомобильная электроника

Развитие производства изделий и систем автомобильной электроники, электрооборудования и приборов для автомобилей является решающим фактором повышения конкурентоспособности российских автомобилей. Электронные и микропроцессорные системы управления агрегатами автомобилей являются одними из основных средств, обеспечивающих выполнение современных международных норм и требований по снижению расхода топлива, повышению безопасности, снижению токсичности отработанных газов, повышению комфорта, обеспечению быстрой и надежной диагностики обнаружения отказов и их устранения, обеспечению информационной поддержки и связи пассажиров и водителя с внешним миром. Выполнение требований по экологии норм ЕВРО-4, ЕВРО-5, а также других требований к автотранспортным средствам возможно только при внедрении электронных систем управления. На долю автомобильной электроники и автотранспортного электрооборудования приходится значительная часть общих затрат на производство современного автомобиля (до 20 процентов стоимости легкового автомобиля). Ожидается, что в 2008-2015 годах отечественные автомобили будут оснащаться электронными средствами управления двигателями, системами безопасности, навигации и связи, что приведет к повышению доли электроники в общей стоимости автомобиля до 12-18 процентов. Исходя из прогнозируемых объемов производства отечественной автомобильной техники (легковые, грузовые автомобили и автобусы), а также планируемого оснащения их электрическими и электронными системами к 2015 году предполагается осуществить продажу на рынке легковых автомобилей на сумму 77,4 млрд. рублей, грузовых автомобилей - 23,25 млрд. рублей, автобусов - 37,79 млрд. рублей.

Участие в реализации национальных проектов

Обеспечение создания и производства современного медицинского оборудования, в том числе мобильного типа

При создании и производстве медицинского оборудования широко применяются электронная компонентная база и унифицированные электронные модули (приборы дистанционной диагностики, микропроцессорного управления, сенсоры и датчики, схемы формирования электрических сигналов, генерации лазерного и сверхвысокочастотного излучения и т. д.). Если не принять меры по развитию производства этого оборудования в Российской Федерации, значительная часть рынка будет отдана иностранным компаниям. В настоящее время объем рынка медицинской техники в России составляет около 40 млрд. рублей, в том числе около 30 млрд. рублей - импортные изделия, причем значительную долю из них составляют изделия с применением современной микроэлектроники (более 42 процентов). Средняя стоимость изделий медицинской радиоэлектроники мобильного типа с учетом покупательной способности населения страны не должна превышать 1,5 - 2 тыс. рублей, общий объем рынка оборудования этого типа прогнозируется на уровне 5 млн. единиц в год, а доля электронной компонентной базы в стоимости такого оборудования составит не менее 80 процентов. Таким образом, общий объем рынка электронной компонентной базы для медицинского оборудования мобильного типа может составить 8-10 млрд. рублей в год. В связи с высокой стоимостью импортного медицинского оборудования одним из путей снижения стоимости такого оборудования должно стать широкое применение российской электронной компонентной базы и унифицированных электронных модулей. Доля электронной компонентной базы в общей стоимости только стационарного оборудования достигает 20 процентов, поэтому исходя из общего объема рынка такого оборудования (2 млрд. рублей в год) можно рассчитывать на сбыт электронной компонентной базы в объеме 0,3 млрд. рублей и унифицированных электронных модулей в объеме около 1,5 млрд. рублей. Совокупный объем рынка электронной компонентной базы для медицинского оборудования может достигнуть к 2011 году 25 млрд. рублей в год.

Современные технологии образования

В области образования необходимо в первую очередь обеспечить равный доступ всех обучающихся к источникам информации, в связи с чем необходимо организовать устойчивый высокоскоростной доступ к сетевым ресурсам на всей территории страны. Беспроводной мультимедийный доступ к ресурсам обучения целесообразно развивать путем существенного снижения стоимости персональных мобильных компьютеров с целью максимального приближения их цены к покупательной способности населения Российской Федерации. Решить эту задачу можно только в результате организации массового производства комплектующих для выпуска указанных устройств и оборудования на территории Российской Федерации, причем основным подходом к решению данной задачи должно быть резкое сокращение количества комплектующих в персональных и мобильных вычислительных устройствах за счет применения схем "система на кристалле" и организации их массового производства на микроэлектронных производствах высокого технологического уровня. Кроме того, необходимо организовать на территории Российской Федерации массовое производство дешевых жидкокристаллических и других мониторов (например, на базе технологии дешевых гибких рулонных дисплеев). Общий объем рынка мультимедийных устройств для систем проводной и беспроводной связи может достичь 5 млн. единиц в год, что составляет 3,5 - 7 млрд. рублей в год. Доля электронной компонентной базы в стоимости таких изделий составляет не менее 70 процентов, то есть совокупный объем сбыта электронной компонентной базы в этом сегменте рынка может составить 2,5 - 5 млрд. рублей в год.

Радиоэлектроника и доступное жилье

В ближайшей перспективе планируется значительное сокращение расходов на эксплуатацию и энергообеспечение жилья. Большое значение при этом имеет широкое внедрение приборов, работающих на солнечной энергии, высокоэкономичных твердотельных источников освещения и систем интеллектуального управления объектами в жилых помещениях, оптимизирующих энергопотребление и обеспечивающих постоянный мониторинг всех предметов управления, находящихся в помещении ("интеллектуальный дом"). Кроме того, большое значение имеет решение вопросов, связанных с обеспечением коммунальной инфраструктуры строящегося и модернизируемого жилищного фонда, повышением его качества, оптимизацией использования энергии и совершенствованием учета объема коммунальных услуг (водоснабжение, электроснабжение, теплоснабжение). Модернизации с применением электронных технологий должны подвергнуться около 20 млн. единиц жилищного фонда страны за 10 лет. При среднем уровне затрат на модернизацию не менее 1,5 - 2 тыс. рублей на единицу жилья общий объем этого сегмента рынка может составить 3 млрд. рублей в год.

Электроника и сельское хозяйство

В области сельского хозяйства электронные технологии должны использоваться для создания производственной основы модернизации сельскохозяйственного машиностроения (в том числе транспортной составляющей, технологического оборудования для животноводства и первичной переработки продукции, новой инженерно-технической базы отрасли), беспроводных сенсорных сетей на основе интеллектуальных датчиков, контролирующих состояние почвы и растительных культур, а также перемещение скота. Применение указанных технологий в сельском хозяйстве обеспечит резкое снижение затрат за счет рационального использования удобрений, сокращение падежа скота и птицы, а также своевременное предупреждение о распространении среди животных опасных для человека эпидемий. По экспертным оценкам, объем сегмента рынка унифицированных электронных модулей для сельского хозяйства (модули средств измерений и контроля, датчики и анализаторы физико-технологических параметров пищевых продуктов и режимов их хранения, модули локальной связи и информационно-управляющие модули, модули систем автоматизации и лабораторно-полевого радиоэлектронного оборудования для экспресс-анализа и т. д.) составляет около 20-25 млрд. рублей в год, а объем рынка электронной компонентной базы для этих целей - 10-16 млрд. рублей в год. Актуальным сектором рынка является также создание радиоэлектронной инфраструктуры обеспечения безопасности - противопожарных и охранных систем, систем контроля доступа, средств контроля и диагностики, газоанализаторов, систем обнаружения наркотиков, оружия, боеприпасов - расширение и совершенствование информационно-аналитической сети обеспечения безопасности. Такие сегменты рынка потребителей электронной компонентной базы, как промышленная электроника, энергетическое оборудование, связь, космическая техника, специальная техника, автомобильная электроника, системы безопасности, бытовая техника, торговое оборудование, могут также существенно увеличить загрузку развиваемого микроэлектронного производства. Следовательно, в России существует реальная, подкрепленная гарантированным рынком государственных закупок возможность создания современного производства изделий радиоэлектронной промышленности с общим объемом сбыта к 2011 году до 250 млрд. рублей в год. Реализация Программы существенным образом преобразит структуру внутреннего рынка, упрочив позиции отечественных производителей электронной компонентной базы и радиоэлектронной продукции. Выполнение программных мероприятий на основе комплексной модернизации ключевых производств, которая будет осуществляться за счет развития нового технологического уровня (в свою очередь, модернизированные организации будут способны воспринять и освоить новые технологические уровни), обеспечит практическую направленность научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ Программы. Программа направлена на приоритетное развитие основных базовых электронных технологий, обеспечивающих укрепление научно-производственной базы российской электроники, ускоренное развитие автоматизированных систем проектирования электронной компонентной базы и реализацию основных структурных элементов интегрированной многоуровневой системы разработки сложной радиоэлектронной аппаратуры и стратегически важных систем на базе библиотек стандартных элементов, сложнофункциональных блоков, специализированных больших интегральных схем "система на кристалле", прикладного и системного программного обеспечения. Срок реализации Программы обусловлен необходимостью ее согласования с основными действующими и разрабатываемыми долгосрочными программами социально-экономического развития, а также крупными инвестиционными проектами, реализуемыми в рамках Программы. Программа подготовлена и будет реализовываться на основе следующих принципов: комплексность решения наиболее актуальных проблем научно-технического и технологического развития разработки и производства электронной компонентной базы и радиоэлектроники; сосредоточение основных усилий на развитии критических технологий, разработке и организации выпуска новых серий электронной компонентной базы, унифицированных электронных модулей и базовых несущих конструкций, имеющих межотраслевое значение для повышения технологического уровня и конкурентоспособности российской радиоэлектронной продукции; адресность инвестиций в отношении проектов, реализуемых в рамках Программы, в сочетании с возможностью маневра бюджетными средствами и их концентрацией на приоритетных направлениях для обеспечения наибольшей эффективности реализуемых мероприятий; обеспечение эффективного управления реализацией Программы и контроля за целевым использованием выделенных средств; создание условий для продуктивного сотрудничества государства и частных организаций, обеспечивающих сочетание экономических интересов и соблюдение взаимных обязательств.

II. Основные цель и задачи Программы, срок и этапы ее реализации, а также целевые индикатор и показатели

Основной целью Программы является развитие научно-технического и производственного базиса для разработки и производства конкурентоспособной наукоемкой электронной и радиоэлектронной продукции в целях решения приоритетных задач социально-экономического развития и обеспечения национальной безопасности Российской Федерации. Задачи Программы: обеспечение отечественных радиоэлектронных средств и систем, в первую очередь средств и систем, имеющих в основном стратегическое значение для страны, российской электронной компонентной базой необходимого технического уровня; разработка базовых промышленных технологий и базовых конструкций радиоэлектронных компонентов и приборов; техническое перевооружение организаций радиоэлектронной отрасли на основе передовых технологий; создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям электронных компонентов, унифицированных узлов и блоков радиоэлектронной аппаратуры для обеспечения российской продукции и стратегически значимых систем; опережающее развитие вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов, аппаратуры и систем с целью достижения мирового уровня. В результате реализации Программы предполагается создание современной технологической базы и модернизация промышленного производства электронной компонентной базы, радиоэлектронных блоков и узлов аппаратуры, необходимых для разработки и производства высокотехнологичной наукоемкой продукции мирового уровня в области важнейших технических систем (воздушный, морской и наземный транспорт, ракетно-космическая техника, машиностроительное и энергетическое оборудование, вычислительная техника, системы управления, связи и информатики, медицинская техника, аппаратура для научных исследований, образования и экологического контроля) и обеспечивающих технологические аспекты национальной безопасности государства, увеличение в 2 раза к 2010 году объема национального валового продукта, расширение возможностей для равноправного международного сотрудничества в сфере высоких технологий. Реализация Программы позволит: на макроуровне: увеличить объем продаж изделий российской электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники на внутреннем и внешнем рынках; значительно сократить технологическое отставание российской радиоэлектронной промышленности от мирового уровня; обеспечить большие возможности для развития всех отраслей промышленности; создать условия для более эффективной реализации национальных проектов; создать ориентированную на рынок инфраструктуру радиоэлектронной промышленности (системоориентированные центры сквозного проектирования электронной компонентной базы, блоков и узлов аппаратуры, специализированные производства, осуществляющие изготовление изделий электронной техники по заказам проектирующих организаций, научно-технологические центры по разработке новых уровней технологий и базовых конструкций, маркетинговые и торговые центры, дилерские сети и т. д.); активизировать инновационную деятельность и ускорить внедрение результатов научно-технической деятельности в массовое производство; обеспечить возможность создания вооружения, военной и специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и безопасность государства; на микроуровне: обеспечить обновляемость основных фондов организаций радиоэлектронной промышленности и стимулировать создание современных высокотехнологичных производств; создать крупные и эффективные диверсифицированные структуры (холдинги, концерны), способные конкурировать с лучшими иностранными фирмами, работающими в области радиоэлектроники; организовать производство массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции, реализующей современные телекоммуникационные услуги, включая радио и телевидение. В результате реализации Программы в социально-экономической сфере: повысится качество жизни населения благодаря интеллектуализации среды обитания и расширению возможности использования радиоэлектроники и информационных систем; увеличится число рабочих мест в радиоэлектронной промышленности, снизится отток талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос на квалифицированные научно-технические кадры, обеспечится привлечение молодых специалистов и ученых и улучшится возрастная структура кадров; улучшится экологическая ситуация за счет разработки экологически чистых технологий получения и обработки специальных материалов, развития новых радиоэлектронных производств с повышенными требованиями к нейтрализации и утилизации вредных веществ и отходов, создания новых поколений датчиков, сенсоров и приборов контроля вредных и опасных веществ, введения автоматизированных систем контроля и раннего предупреждения техногенных катастроф и аварий. В бюджетной сфере будет обеспечено увеличение базы налогообложения за счет значительного повышения объема продаж изделий радиоэлектронной промышленности. Принимая во внимание мировой опыт определения оптимального срока реализации научно-технических программ (4-5 лет), Программу предполагается выполнить в 2 этапа: I этап - 2008-2011 годы; II этап - 2012-2015 годы.

Целевые индикатор и показатели реализации Программы

Технический уровень современной электронной компонентной базы будет оцениваться по освоенному в производстве технологическому уровню изделий микроэлектронной техники, который выполняет роль индикатора. Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит создание производственно-технологической базы для выпуска современной электронной компонентной базы, соответствующей потребностям российских производителей аппаратуры и систем. В 2011 году уровень технологии должен достичь 0,09 мкм, а к 2015 году - 0,045 мкм, что существенно сократит отставание российской электроники и радиоэлектроники от мировых показателей. Основным показателем реализации Программы является увеличение объема продаж конкурентоспособных изделий электронной компонентной базы и радиоэлектронной продукции. Ожидается, что в 2011 году значение этого показателя составит около 130 млрд. рублей, а в 2015 году - 300 млрд. рублей, темпы роста объемов производства будут сопоставимы с мировыми показателями. Показателем эффективности выполнения программных мероприятий является количество переданных в производство электронных и радиоэлектронных технологий, обеспечивающих конкурентоспособность конечной продукции. К 2011 году их количество будет составлять более 180 технологий, а к 2015 году - не менее 270 технологий. В результате реализации Программы в 35 организациях электронной промышленности Федерального агентства по промышленности будут созданы центры проектирования, а в 89 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Также к 2015 году центры проектирования будут созданы в 29 организациях приборостроения и промышленности средств связи Федерального агентства по атомной энергии, Федерального космического агентства и Федерального агентства по образованию, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 28 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Значения индикатора и показателей реализации мероприятий Программы приведены в приложении N 1.

III. Перечень мероприятий Программы

Перечень мероприятий Программы приведен в приложении N 2. Мероприятия структурированы по следующим важнейшим направлениям развития электронной компонентной базы и радиоэлектроники: сверхвысокочастотная электроника; радиационно стойкая электронная компонентная база; микросистемная техника; микроэлектроника; электронные материалы и структуры; группы пассивной электронной компонентной базы; унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции; типовые базовые технологические процессы; развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов; обеспечивающие работы. В рамках направления "Сверхвысокочастотная электроника" предусмотрены мероприятия по разработке: технологии производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов группы А В , приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей 3 5 X-диапазона; базовой технологии производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур; базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"; базовой технологии изготовления сверхвысокочастотных транзисторов и интегральных схем на широкозонных материалах; базовой технологии изготовления сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов повышенной надежности, эффективности и долговечности; базовой технологии изготовления вакуумных сверхвысокочастотных приборов нового поколения; технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного контроля параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотных диапазонов для массового производства; базовой технологии изготовления мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей нового поколения с улучшенными массогабаритными и спектральными характеристиками для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения; технологии изготовления сверхбыстродействующих приборов (до 150 ГГц) на наногетероструктурах с квантовыми дефектами; базовой технологии производства портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных, твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования. В рамках Программы получат дальнейшее развитие работы по вакуумной сверхвысокочастотной электронике. Вакуумная сверхвысокочастотная электроника является единственной областью электроники России, которая до настоящего времени сохранила по ряду направлений лидирующие позиции в мире. Лидирующие позиции российских организаций в 70-90 годы ХХ века сформировались по 3 направлениям: многолучевые клистроны; двухрежимные лампы бегущей волны; гироприборы миллиметрового диапазона. Преимущество приборов вакуумной сверхвысокочастотной электронной техники по сравнению с твердотельными сверхвысокочастотными изделиями заключается в возможности получения очень больших уровней мощности, высокой линейности характеристик, устойчивости к работе в условиях радиации, более высоком коэффициенте полезного действия и отсутствии проблем с обеспечением теплоотвода от изделий. Требования по увеличению уровня мощности радиоэлектронных систем растут в связи с разработкой новых систем и технологий радиопротиводействия и электронного поражения, увеличением дальности радиолокационного обнаружения, созданием головок самонаведения и других систем высокоточного оружия. Разрешающая способность систем обнаружения и наведения также непрерывно увеличивается. Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона и разработка соответствующей радиоэлектронной аппаратуры связаны с созданием в стране электронной компонентной базы с рабочими частотами 40 ГГц и более. Перспективными материалами для создания таких электронных приборов являются широкозонные полупроводники (нитрид галлия и карбид кремния) для мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов и гетероструктуры "кремний - германий" для монолитных интегральных схем. В рамках направления "Радиационно стойкая электронная компонентная база" предусмотрено выполнение мероприятий Программы в целях создания: базовой технологии изготовления радиационно стойких специализированных больших интегральных схем уровней 0,5 - 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе"; технологии проектирования и изготовления серий логических и аналоговых радиационно стойких приборов на базе структуры "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 - 0,18 мкм; базовой технологии изготовления радиационно стойких специализированных больших интегральных схем энергонезависимой памяти; технологии получения структур "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" для лицензионно-независимых специализированных цифровых сверхбольших интегральных схем, микроконтроллеров и схем интерфейса; технологии изготовления радиационно стойких силовых приборов. Предполагается разработать принципиально новую технологию с применением элементов памяти на основе фазовых структурных переходов вещества, нечувствительных к воздействию практически любых видов радиации и обеспечивающих создание универсального типа встроенной памяти для микроконтроллеров и микропроцессоров. При этом резко сократится номенклатура применяемых элементов. Кроме того, будут разработаны качественно новые приборы на основе ультратонкого кремния (32-разрядные микропроцессоры, микроконтроллеры, умножители, базовые матричные кристаллы емкостью до 200 тысяч вентилей, программируемые логические интегральные схемы, функционально ориентированные процессоры, аналоговые, аналого-цифровые и цифроаналоговые специализированные сверхбольшие интегральные схемы). В рамках направления "Микросистемная техника" предусмотрено выполнение мероприятий в целях: разработки базовой технологии прецизионного формирования микроэлектромеханических трехмерных структур; создания системы автоматизированного проектирования микроэлектромеханических интегрированных систем, сенсоров механических и электрических величин, гироскопов, прецизионных акселерометров, включая создание специализированного центра проектирования микроэлектромеханических систем на базе библиотек стандартных элементов; разработки библиотеки стандартных элементов микроэлектромеханических устройств с использованием пьезоэлектрических материалов и системы автоматизированного проектирования фильтров, резонаторов, пьезоактюаторов, пьезогироскопов, гидроакустических антенн и других приборов; разработки базовых технологий производства и базовых конструкций микроакустоэлектромеханических, микроаналитических, микрооптоэлектромеханических, радиочастотных микроэлектромеханических систем и микросистем анализа магнитных полей. Это позволит разработать датчики физических величин, в частности датчики давления, температуры, деформации, крутящего момента, микроперемещений, резонаторов и другие. Будут освоены базовые технологии изготовления микросистем на основе процессов формирования специальных слоистых структур, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды и способных обнаруживать опасные, токсичные, горючие и взрывчатые вещества. В рамках направления "Микроэлектроника" предусмотрены следующие мероприятия: разработка базовых технологий изготовления специализированных больших интегральных схем, в том числе технологии изготовления комплементарных полевых транзисторных структур уровней 0,25, 0,18, 0,13, 0,09, 0,065 мкм, с созданием опытного производства; разработка технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства специализированных сверхбольших интегральных схем и организация межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов; ускоренное развитие систем проектирования сложных специализированных сверхбольших интегральных схем (включая схемы "система на кристалле"), ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля; разработка электронной компонентной базы нового поколения, в том числе функционально полной номенклатуры аналоговых и цифровых больших интегральных схем для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения; разработка сложнофункциональных блоков для обработки, сжатия и передачи информации, сигнальных и цифровых процессоров (в том числе программируемых), микроконтроллеров, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей, шин и интерфейсов (драйверов, приемопередатчиков), а также специализированных блоков для телекоммуникации и связи; разработка комплектов специализированных сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" сложностью до 20-100 млн. транзисторов для систем цифровой обработки сигналов (цифровое телевидение, радиовещание, широкополосный радиодоступ, космический мониторинг, системы управления и контроля); разработка приборов силовой электроники, в том числе базовой технологии производства и конструкции тиристоров и мощных транзисторов, силовых ключей на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В, а также базовой технологии производства и конструкции силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа, высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых модулей; создание центров проектирования перспективной электронной компонентной базы, в том числе промышленно ориентированных центров проектирования и испытания электронной компонентной базы в составе отраслевой многоуровневой системы проектирования сложной электронной компонентной базы и аппаратуры (топологического и схемотехнического уровней), системоориентированных базовых центров сквозного проектирования радиоэлектронной аппаратуры на основе функционально сложной электронной компонентной базы и специализированных сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", а также развитие системы проектирования сложной радиоэлектронной аппаратуры и стратегически значимых систем, учебных центров проектирования электронной компонентной базы и аппаратуры в целях обучения и подготовки высококвалифицированных специалистов. Работы, которые будут осуществляться в рамках направления "Электронные материалы и структуры", в первую очередь ориентированы на создание технологий для освоения принципиально новых материалов, применяемых в современной электронной компонентной базе (структуры "кремний на изоляторе", широкозонные полупроводниковые структуры и гетероструктуры, структуры с квантовыми дефектами, композитные, керамические и ленточные материалы, специальные органические материалы). Среди новых разрабатываемых материалов наиболее перспективными являются нитрид галлия, карбид кремния, алмазоподобные пленки и другие. Предусмотрена разработка новых материалов и структур для микроэлектроники и сверхвысокочастотной электроники, высокоинтенсивных приборов светотехники, лазеров и специальных матричных приемников, керамических материалов для многослойных плат, многокристальных сборок и корпусов электронных приборов, материалов для печатных плат и пленочных технологий, ферритовых и сегнетоэлектрических наноструктурированных материалов, композитов, клеев и герметиков в целях выпуска нового класса радиоэлектронных компонентов и приборов, корпусов и носителей, бессвинцовых сложных композиций для экологически чистой сборки электронной компонентной базы и монтажа радиоэлектронной аппаратуры, высокоэффективных процессов формирования полимерных покрытий, алмазоподобных пленок и наноструктурированных материалов, процессов самоформирования пространственных структур, сложных полупроводниковых материалов нового класса с большой шириной запрещенной зоны для высоковольтной и высокотемпературной электроники (карбид кремния, алмазоподобные материалы, сложные нитридные соединения), полимерных пленочных материалов нового класса, в том числе многослойных и металлизированных, для задач политроники и сборочных процессов массового производства электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры широкого потребления. В рамках направления "Группы пассивной электронной компонентной базы" (включая приборы оптоэлектроники, квантовой электроники, пьезо- и магнитоэлектроники, отображения информации) предусмотрено выполнение комплекса работ по совершенствованию базовых технологий и конструкций с целью повышения технических характеристик надежности и долговечности. Приборы светотехники, оптоэлектроники и отображения информации будут совершенствоваться на основе разработки: технологий производства интегрированных жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением и дисплеев на основе светоизлучающих диодов; технологии производства высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем индикации и подсветки в приборах нового поколения; базовой технологии производства и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа; базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по бесхлоридной технологии и технологии литого кремния прямоугольного сечения; технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку"; базовых конструкций и технологий производства активных матриц и драйверов плоских экранов на основе полимерных аморфных, поликристаллических, кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках для создания на их основе перспективных видеомодулей, в том числе органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных; базовой конструкции и технологии производства крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей. Работы, направленные на создание приборов квантовой электроники, будут в основном осуществляться в области разработки: технологий производства мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения) при снижении расходимости излучения в 5 раз для создания аппаратуры и систем нового поколения; технологий производства специализированных лазерных полупроводниковых диодов и лазерных волоконно-оптических модулей; технологий производства лазерных навигационных приборов, в том числе интегрального оптического модуля лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронных компонентов для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта; технологий изготовления полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства для определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве. Работы, направленные на создание приборов инфракрасной техники, в основном будут осуществляться в области разработки: технологии создания фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для аппаратуры контроля изображений; технологии создания унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона; технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов в целях развития системы космического мониторинга и специальных систем наблюдения. В рамках этого направления предусматривается разработка базовых конструкций и базовой технологии изготовления магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе: циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения, а также матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования. Для создания новых классов приборов акустоэлектроники и пьезотехники планируется провести разработку прецизионных температуростабильных высокочастотных (до 2 ГГц) резонаторов на поверхностных акустических волнах, ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, работающих в реальной помеховой обстановке и в условиях множественного доступа, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом, базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа, промышленной технологии создания акустоэлектронной компонентной базы для систем мониторинга, телекоммуникации и навигации, базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов. Кроме того, в рамках этого направления Программы для создания нового технического уровня резисторов планируются работы по разработке технологии сверхпрецизионных резисторов, используемых для аппаратуры двойного назначения, технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона, технологии интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки, технологии нелинейных резисторов (варисторов, позисторов, термисторов) в чип-исполнении, технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов. Для создания новых классов конденсаторов будут проведены работы по изготовлению танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов, по разработке технологии производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и по организации производства таких конденсаторов. Для повышения качества коммутаторов и переключателей планируются работы по созданию технологии производства базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения, технологии создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с улучшенными техническими характеристиками, технологии изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа, а также технологии создания серий герметизированных магнитоуправляемых контактов и переключателей широкого частотного диапазона. В рамках направления "Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции" предусматривается разработка базовых технологий производства, системотехнических и конструктивных решений создания унифицированных электронных модулей и базовых несущих конструкций нового поколения, отличающихся более высокой функциональной интеграцией и являющихся основой формирования современной унифицированной радиоэлектронной аппаратуры и систем. Будет осуществлена гармонизация российских нормативных документов с международными стандартами, используемыми ведущими мировыми производителями, что приведет к снижению типажа унифицированных электронных модулей и базовых несущих конструкций и обеспечит создание универсальных продуктовых рядов, а также повышение качества продукции. Предусматривается разработка технологий создания следующей номенклатуры унифицированных электронных модулей: вторичные источники питания; приемопередающие модули в широком спектральном диапазоне (от ультрафиолетового оптического диапазона до сверхвысокочастотного радиодиапазона); блоки цифровой обработки информации, в том числе элементы кодирования и декодирования по заданным алгоритмам; модули отображения информации (табло и экраны стандартных форматов, в том числе плоские телевизионные дисплеи); модули позиционирования и ориентирования, отсчета единого времени; модули ввода и вывода данных, аналого-цифрового и цифроаналогового преобразования данных, контроллеров; модули управления движением (ориентация, стабилизация) и наведением (в инфракрасном, радиочастотном и телеметрическом режимах); модули управления бортовыми радиотехническими средствами; модули охранных систем и блоков управления оптико-электронными и лазерными средствами наблюдения, измерения и предупреждения об опасности; модули контрольно-измерительной радиоэлектронной аппаратуры. Кроме того, предусматривается разработка базовых конструкторских решений, обеспечивающих наиболее эффективный способ размещения и соединения блоков и узлов, повышение механической прочности, уменьшение габаритных характеристик и оптимизацию тепловых нагрузочных характеристик радиоаппаратуры. Главными условиями разработки базовых конструкций являются требование соответствия действующим мировым стандартам и аналогам, использование магистрально-модульного принципа при создании аппаратуры двойного и гражданского назначения, учет требований информационных технологий поддержки жизненного цикла, обеспечение возможности экспорта аппаратуры с учетом задач импортозамещения и конкурентоспособности по технико-экономическим показателям, обеспечение технической и радиотехнической совместимости с объектами-носителями, использование современных материалов и технологий формообразования. В рамках направления "Типовые базовые технологические процессы" предусматриваются: разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных полосковых плат с рабочими частотами до 40 ГГц, адаптированных к новой электронной компонентной базе сверхвысокочастотного диапазона; разработка технологии изготовления многослойных высокоплотных печатных плат, в том числе с прямой металлизацией отверстий; освоение технологий нанесения новых финишных покрытий (никель-золото, иммерсионное олово), обеспечивающих повышение надежности бессвинцовой пайки компонентов, сборку аппаратуры из электронной компонентной базы в малогабаритных корпусах различного типа, в том числе с матричным расположением выводов; освоение производства прецизионных печатных плат 5-го класса; разработка технологии изготовления печатных плат со встроенными пассивными интегрированными компонентами, позволяющей сократить на 20-30 процентов трудоемкость сборочных работ; разработка технологии изготовления термонагруженных печатных плат с большой теплопроводностью и высокими диэлектрическими свойствами; развитие лазерной технологии изготовления печатных плат; разработка базовой квазимонолитной технологии монтажа сверхвысокочастотных специализированных приборов с рабочими частотами до 5-18 ГГц в сочетании с тонкопленочной технологией высокого уровня; разработка базовых технологий сборки, монтажа и технологического контроля унифицированных электронных модулей на основе новой компонентной базы, новых технологических и конструкционных материалов, в том числе высокоточное дозирование паст на контактных площадках, высокоточная установка компонентов без необходимости визуального контроля и прямого доступа к паяным контактам; развитие новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе с применением бессвинцовых припоев; освоение методов производственного автоматизированного контроля сборки и пайки элементов различного типа; разработка новых методов маркировки и нанесения меток идентификации. В рамках направления "Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов" предполагается провести комплекс исследований и разработок по следующим перспективным направлениям развития радиоэлектроники: базовые технологии создания информационно-управляющих систем и комплексов; технологии моделирования информационно-управляющих систем, включая системы реального времени; технологии обработки информации, адаптации, обучения и самообучения; технологии обеспечения информационной безопасности. В рамках направления "Обеспечивающие работы" предусмотрено выполнение мероприятий, включающих в себя: разработку межведомственной информационно-справочной системы и баз данных по библиотекам стандартных элементов, правилам проектирования; разработку научно обоснованных рекомендаций по дальнейшему развитию электронной компонентной базы и радиоэлектроники, подготовку комплектов документов программно-целевого развития радиоэлектронной техники в интересах обеспечения технологической и информационной безопасности России; создание и внедрение методической и научно-технической документации по проектированию сложной электронной компонентной базы, унификации электронных модулей и радиоэлектронной аппаратуры, обеспечению надежности и качества продукции, экологической безопасности производства, защите интеллектуальной собственности с учетом обеспечения требований Всемирной торговой организации.

IV. Обоснование ресурсного обеспечения Программы

Расходы на реализацию мероприятий Программы составляют 187000 млн. рублей, в том числе: за счет средств федерального бюджета - 110000 млн. рублей, из них: на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 66000 млн. рублей; на капитальные вложения - 44000 млн. рублей; за счет средств внебюджетных источников - 77000 млн. рублей. Ресурсное обеспечение Программы предусматривает привлечение средств федерального бюджета и внебюджетных источников. Объем финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по всем направлениям Программы за счет внебюджетных источников составляет не менее 33000 млн. рублей. Средствами внебюджетных источников являются средства организаций - исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков, заемные средства, средства потенциальных потребителей технологий и средства, полученные от эмиссии акций). Капитальные вложения направляются на создание и освоение перспективных технологических процессов изготовления электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, развитие производств нового технологического уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание объемов производства конкурентоспособной продукции. Для реализации проектов, связанных с техническим перевооружением, организации привлекают внебюджетные средства в объеме государственных капитальных вложений. Замещение средств внебюджетных источников, привлекаемых для выполнения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и работ по реконструкции и техническому перевооружению организаций, средствами федерального бюджета не допускается. Распределение объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам Программы приведено в приложении N 3. Объемы финансирования Программы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников приведены в приложении N 4.

V. Механизм реализации Программы

С учетом сложившейся структуры федеральных органов исполнительной власти и общепромышленного значения выполнения Программы государственным заказчиком - координатором Программы определено Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации, а государственными заказчиками - Федеральное агентство по промышленности, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию. Управление реализацией Программы, а также контроль за ее выполнением будет осуществлять государственный заказчик Программы - Федеральное агентство по промышленности. Программа имеет межотраслевой характер и отвечает интересам развития большинства отраслей промышленности, производящих и потребляющих высокотехнологичную наукоемкую продукцию. Управление реализацией Программы будет осуществляться в соответствии с порядком разработки и реализации федеральных целевых программ и межгосударственных целевых программ, в осуществлении которых участвует Российская Федерация, утвержденным постановлением Правительства Российской Федерации от 26 июня 1995 г. N 594, и положением об управлении реализацией программ, утверждаемым Министерством промышленности и энергетики Российской Федерации. Для осуществления контроля за выполнением работ создается научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты страны в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники, представители государственных заказчиков Программы, а также организаций промышленности, использующих разрабатываемые в рамках Программы изделия электронной техники и технологии для создания и производства радиоэлектронных и радиотехнических систем. Координационный совет будет вырабатывать рекомендации по планируемым научно-исследовательским и опытно-конструкторским работам, а также проводить экспертную оценку инвестиционных проектов. Для осуществления текущего контроля и анализа хода выполнения работ в рамках Программы, подготовки материалов и рекомендаций по управлению реализацией Программы создается автоматизированная информационно-аналитическая система. Головные исполнители (исполнители) мероприятий Программы определяются в соответствии с законодательством Российской Федерации. Головные исполнители в соответствии с государственным контрактом обеспечивают выполнение проектов, необходимых для реализации мероприятий Программы, организуют деятельность соисполнителей. Федеральное агентство по промышленности, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию ежегодно представляют в Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации отчеты о результатах выполнения работ за прошедший год и предложения по формированию плана работ на следующий год. Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации в установленном порядке представляет в Министерство экономического развития и торговли Российской Федерации и Министерство финансов Российской Федерации отчет о выполнении годовых планов и Программы в целом, подготавливает и согласовывает предложения по финансированию Программы в предстоящем году.

VI. Оценка социально-экономической и экологической эффективности Программы

За начальный год расчетного периода принимается 1-й год осуществления инвестиций - 2008 год. Конечным годом расчетного периода считается год полного освоения в серийном производстве разработанной за время реализации Программы продукции на созданных в этот период мощностях. С учетом того что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего срока реализации Программы и завершается в 2015 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей составляет 1,5 - 2 года, конечным годом расчетного периода принят 2017 год. Экономическая эффективность реализации Программы характеризуется следующими показателями: налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды, - 198577,2 млн. рублей; чистый дисконтированный доход - 64374,4 млн. рублей; бюджетный эффект - 125045,9 млн. рублей. Индекс доходности (рентабельность) составит: для всех инвестиций - 1,52; для бюджетных ассигнований - 2,7. Уровень безубыточности равен 0,68 при норме 0,7, что свидетельствует об эффективности и устойчивости Программы к возможным изменениям условий ее реализации. Расчет показателей социально-экономической эффективности реализации Программы приведен в приложении N 5. Методика оценки социально-экономической эффективности реализации Программы приведена в приложении N 6. Социальная эффективность реализации Программы обусловлена количеством создаваемых рабочих мест (6500-7000 мест на дату завершения Программы), а также существенным повышением технологического уровня новой электронной компонентной базы, который обеспечит снижение трудовых затрат на создание радиоэлектронной аппаратуры нового класса и систем и улучшение условий труда. Разработка электронной компонентной базы нового класса и изделий радиоэлектроники обеспечит создание широкой номенклатуры аппаратуры и систем для технического обеспечения решения государственных социальных программ. Экологическая эффективность реализации Программы выражается: в разработке и освоении экологически чистых технологий производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники в процессе их производства; в создании новых видов химической обработки на базе плазмохимических процессов, позволяющих исключить использование кислот и органических растворителей, а также экологически чистых технологий нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу, утилизации и нейтрализации отходов непосредственно в технологическом цикле; в применении технологий бессвинцовой сборки и монтажа радиоэлектронной аппаратуры, полупроводниковых приборов и специализированных больших интегрированных схем; в использовании высокоэффективных методов подготовки чистых сред и сверхчистых реактивов в замкнутых циклах, применении систем экологического мониторинга окружающей территории для производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, кластерных технологических систем обработки структур и приборов в технологических объемах малой величины с непосредственной подачей реагентов контролируемого минимального количества; в разработке технологий утилизации электронной компонентной базы, радиоэлектронной аппаратуры в рамках развиваемых технологий поддержания жизненного цикла. Новые виды электронной компонентной базы (высокочувствительные датчики, сенсоры) и радиоэлектронной аппаратуры контроля и охранных систем, а также аппаратура, созданная на их основе, будут использованы при создании более эффективных систем экологического контроля и мониторинга, раннего предупреждения аварий и техногенных катастроф. Радиоэлектронная промышленность является самой экологически чистой отраслью экономики, и положительные результаты, полученные вследствие улучшения экологической обстановки при совершенствовании производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, могут использоваться в других отраслях (методы ультрафильтрации, технологии улавливания и нейтрализации вредных веществ, обработки по замкнутым циклам, получения сверхчистой воды и сверхчистых реактивов, экологически чистые методы утилизации отработанной аппаратуры).

_____________

Приложение N 1 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------¦ Единица ¦ 2007¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦ 2015 ¦измерения¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год --------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Индикатор

Достигаемый технологический уровеньмкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,1-0,09 0,045 электроники

Показатели
Увеличение объемов продаж изделиймлрд. 19 58 70 95 130 300 электронной и радиоэлектронной техники рублей

Количество разработанных базовых- 3-5 16-20 80-90 125-135 179-185 260-270 технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом)

Количество завершенных и разрабатываемых -- 6 8 14 27 35 проектов базовых центров проектирования функционально сложной электронной компонентной базы в организациях электронной промышленности Роспрома, в том числе сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и- - 2 2 2 4 7 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях приборостроения и промышленности средств связи Роспрома (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и- - - - - 1 4 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и- - - - - - 11 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и- - 1 1 2 2 7 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Рособразования, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов технологического- 1 1 5 10 23 89 перевооружения электронных производств на основе передовых технологий в организациях электронной промышленности (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и- - - - - - 11 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях приборостроения и промышленности средств связи Роспрома (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и- - - - - 1 9 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов реконструкции и- - - - - - 8 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество завершенных поисковых- 1 3 9 15-17 18-21 32-37 технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом)

Количество реализованных мероприятий по- 4 11-12 16-20 22-25 36-40 55-60 созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)

Количество создаваемых рабочих мест- 450 1020-1050 1800-2200 3000-3800 3800-4100 5000-6000 (нарастающим итогом)

____________

Приложение N 2 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

П Е Р Е Ч Е Н Ь мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ Мероприятия ¦ 2008- ¦ В том числе ¦ Ожидаемые результаты ¦ 2015 +-------------------------------------¦ ¦годы - ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦2012- ¦ ¦ всего ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦2015 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦годы ¦ ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника
1.Разработка технологии 207 147 60 создание базовой технологии производства мощных --- --- -- производства мощных сверхвысокочастотных 138 98 40 сверхвысокочастотных транзисторов на транзисторов на основе основе гетероструктур материалов гетероструктур материалов группы А В для бортовой и наземной группы А B 3 5 3 5 аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

2.Разработка базовой технологии 265 60 120 85 создание базовой технологии производства монолитных --- -- --- -- производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем 175 40 79 56 сверхвысокочастотных микросхем и и объемных приемопередающих объемных приемопередающих сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных субмодулей субмодулей X-диапазона X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А В для бортовой 3 5 и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

3.Разработка базовой технологии 314 214 100 - - создание технологии производства производства мощных --- --- --- мощных транзисторов сверхвысокочастотных 210 143 67 сверхвысокочастотного диапазона на полупроводниковых приборов на основе нитридных основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для гетероэпитаксиальных структур техники связи, радиолокации (2009 год)

4.Разработка базовой технологии 770 136 337 297 создание технологии производства на и библиотеки элементов для --- --- --- --- основе нитридных проектирования и производства 512 90 225 197 гетероэпитаксиальных структур мощных монолитных интегральных схем сверхвысокочастотных монолитных сверхвысокочастотного интегральных схем с рабочими диапазона на основе нитридных частотами до 20 ГГц для техники гетероэпитаксиальных структур связи, радиолокации (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

5.Разработка базовой технологии 237 166 71 создание базовой технологии производства --- --- -- производства компонентов для сверхвысокочастотных 151 111 40 сверхвысокочастотных интегральных компонентов и схем диапазона 2-12 ГГц с высокой сложнофункциональных блоков степенью интеграции для аппаратуры для сверхвысокочастотных радиолокации и связи бортового и интегральных схем высокой наземного применения, а также степени интеграции на основе бытовой и автомобильной электроники гетероструктур "кремний - (2009 год), разработка комплектов германий" документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

6.Разработка базовой технологии 532 100 246 186 создание базовой технологии производства --- --- --- --- производства сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных 352 64 164 124 интегральных схем диапазона 2-12 ГГц интегральных схем высокой с высокой степенью интеграции для степени интеграции на основе аппаратуры радиолокации и связи гетероструктур "кремний - бортового и наземного применения, а германий" также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

7.Разработка аттестованных 111 76 35 разработка аттестованных библиотек библиотек сложнофункциональных --- -- -- сложнофункциональных блоков для блоков для проектирования 81 51 30 проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных и сверхвысокочастотных интегральных радиочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до схем на основе гетероструктур 150 ГГц, разработка комплектов "кремний - германий" документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

8.Разработка базовых технологий 207 40 100 67 создание базовых технологий проектирования --- -- --- -- проектирования на основе библиотеки кремний-германиевых 142 30 67 45 сложнофункциональных блоков широкого сверхвысокочастотных и спектра сверхвысокочастотных радиочастотных интегральных интегральных схем на SiGe с рабочими схем на основе аттестованной частотами до 150 ГГц (2011 год), библиотеки разработка комплектов документации в сложнофункциональных блоков стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

9.Разработка базовых технологий 120 60 60 создание базовых технологий производства элементной базы --- -- -- производства элементной базы для для ряда силовых герметичных 80 40 40 высокоплотных источников вторичного модулей высокоплотных электропитания сверхвысокочастотных источников вторичного приборов и узлов аппаратуры (2009 электропитания вакуумных и год), разработка комплектов твердотельных документации в стандартах единой сверхвысокочастотных приборов системы конструкторской, и узлов аппаратуры технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

10. Разработка базовых технологий153 89 64 создание базовых конструкций и производства ряда силовых --- -- -- технологии производства герметичных модулей 102 60 42 высокоэффективных, высокоплотных высокоплотных источников источников вторичного электропитания вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и вакуумных и твердотельных узлов аппаратуры на основе сверхвысокочастотных приборов гибридно-пленочной технологии с и узлов аппаратуры применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

11. Разработка базовых конструкций124 74 50 создание технологии массового и технологии производства --- -- -- производства ряда корпусов мощных корпусов мощных 85 52 33 сверхвысокочастотных приборов для сверхвысокочастотных "бессвинцовой" сборки (2009 год), транзисторов X-, C-, S-, L- и разработка комплектов документации в P-диапазонов из малотоксичных стандартах единой системы материалов с высокой конструкторской, технологической и теплопроводностью производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

12. Разработка базовых конструкций150 45 60 45 создание базовых конструктивных теплоотводящих элементов --- -- -- -- рядов элементов систем охлаждения систем охлаждения 97 30 40 27 аппаратуры Х- и С-диапазонов сверхвысокочастотных приборов наземных, корабельных и Х- и С-диапазонов на основе воздушно-космических комплексов новых материалов

13. Разработка базовой технологии93 60 33 создание технологии массового производства теплоотводящих -- -- -- производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения 62 32 30 элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов аппаратуры Х- и С-диапазонов Х- и С-диапазонов на основе наземных, корабельных и новых материалов воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

14. Разработка базовых технологий96 53 43 создание технологии массового производства суперлинейных -- -- -- производства конструктивного ряда кремниевых 62 35 27 сверхвысокочастотных транзисторов S- сверхвысокочастотных и L-диапазонов для техники связи, транзисторов S- и L-диапазонов локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

15. Разработка170 95 75 создание конструктивно-параметрического --- -- -- конструктивно-параметрического ряда ряда суперлинейных кремниевых 116 70 46 сверхвысокочастотных транзисторов S- сверхвысокочастотных и L-диапазонов для техники связи, транзисторов S- и L-диапазонов локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

16. Разработкатехнологии 87 45 42 разработка метрологической измерений и базовых -- -- -- аппаратуры нового поколения для конструкций установок 57 27 30 исследования и контроля параметров автоматизированного измерения полупроводниковых структур, активных параметров нелинейных моделей элементов и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в полупроводниковых структур, производстве и при их использовании мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства

17. Исследование иразработка 104 54 50 создание технологии унифицированных базовых технологий для --- -- -- сверхширокополосных приборов создания нового поколения 69 36 33 среднего и большого уровня мощности мощных вакуумно-твердотельных сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных приборов сверхвысокочастотных и гибридных малогабаритных магнитоэлектрических приборов для сверхвысокочастотных модулей с перспективных радиоэлектронных улучшенными массогабаритными систем и аппаратуры связи характеристиками, космического базирования (2009 год), магнитоэлектрических приборов разработка комплектов документации в сверхвысокочастотного стандартах единой системы диапазона, в том числе конструкторской, технологической и циркуляторов и фазовращателей, производственной документации, ввод вентилей, высокодобротных в эксплуатацию производственной резонаторов, перестраиваемых линии фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

18. Разработка базовых конструкций141 89 52 разработка конструктивных рядов и и технологии производства --- -- -- базовых технологий производства нового поколения мощных 95 60 35 сверхширокополосных приборов вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня мощности сверхвысокочастотных приборов сантиметрового диапазона длин волн и и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных модулей с магнитоэлектрических приборов для улучшенными массогабаритными перспективных радиоэлектронных характеристиками, систем и аппаратуры связи магнитоэлектрических приборов космического базирования (2011 год), сверхвысокочастотного разработка комплектов документации в диапазона, в том числе стандартах единой системы циркуляторов и фазовращателей, конструкторской, технологической и вентилей, высокодобротных производственной документации, ввод резонаторов, перестраиваемых в эксплуатацию производственной фильтров, микроволновых линии приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

19. Исследование иразработка 85 45 40 создание технологических процессов процессов и базовых технологий -- -- -- производства нанопленочных нанопленочных малогабаритных 57 30 27 малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных резисторно-индуктивно- матриц многофункционального емкостных матриц назначения для печатного монтажа многофункционального (2008 год), создание базовой назначения для печатного технологии получения монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) сверхбыстродействующих (до 150 приборов на наногетероструктурах с ГГц) приборов на квантовыми эффектами (2009 год), наногетероструктурах с разработка комплектов документации в квантовыми дефектами стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

20. Разработка базовых конструкций85 45 40 создание конструктивных рядов и и технологии производства -- -- -- базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных 57 30 27 нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- резисторно-индуктивно-емкостных емкостных матриц матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного монтажа назначения для печатного (2011 год), разработка комплектов монтажа документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

21. Разработка базовой технологии156 86 70 создание базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n --- -- -- производства элементов и специальных диодов, матриц, узлов 104 57 47 элементов и блоков портативной управления и портативных аппаратуры миллиметрового диапазона фазированных блоков аппаратуры длин волн для нового поколения миллиметрового диапазона длин средств связи, радиолокационных волн на основе станций, радионавигации, магнитоэлектронных измерительной техники, автомобильных твердотельных и радаров, охранных и сигнальных высокоскоростных цифровых устройств (2009 год), разработка приборов и устройств с комплектов документации в стандартах функциями адаптации и единой системы конструкторской, цифрового диаграммообразования технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

22. Разработка базовых технологий2670 375 420 450 525 900 создание конструктивных рядов и создания мощных вакуумных ---- --- --- --- --- --- базовых технологий проектирования и сверхвысокочастотных устройств 1780 250 280 300 350 600 производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку: конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год); мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год); малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)

23. Разработка базовых технологий1785 150 300 300 135 900 создание базовых конструкций и создания мощных твердотельных ---- --- --- --- --- --- технологий изготовления сверхвысокочастотных устройств 1190 100 200 200 90 600 сверхвысокочастотных мощных приборов на базе нитрида галлия на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая: создание гетеропереходных полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30-40 Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В; исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год); разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)

24. Исследованиеперспективных 1080 1080 исследование технологических типов сверхвысокочастотных ---- ---- принципов формирования перспективных приборов и структур, 720 720 сверхвысокочастотных приборов и разработка технологических структур, включая создание принципов их изготовления наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц

25. Разработкаперспективных 1050 1050 создание полного состава прикладных методов проектирования и ---- ---- программ проектирования и моделирования 700 700 оптимизации сверхвысокочастотной сложнофункциональной электронной компонентной базы, сверхвысокочастотной включая проектирование активных электронной компонентной базы приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе

Всего по направлению 1 10791 1545 1722 1930,5 1603,5 3930 ----- ---- ---- ------ ------ ---- 7194 1030 1148 1327 1069 2620

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база
26. Разработка базовой технологии151 71 80 создание технологии изготовления радиационно стойких ----- ---- ---- микросхем с размерами элементов 0,5 сверхбольших интегральных схем 100,8 47,4 53,4 мкм на структурах "кремний на уровня 0,5 мкм на структурах сапфире" диаметром 150 мм (2009 "кремний на сапфире" диаметром год), разработка правил 150 мм проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)

27. Разработка базовой технологии315,4 59,4 256 создание технологии изготовления радиационно стойких ----- ---- ----- микросхем с размерами элементов 0,35 сверхбольших интегральных схем 210,3 39,6 170,7 мкм на структурах "кремний на уровня 0,35 мкм на структурах сапфире" диаметром 150 мм (2011 "кремний на сапфире" диаметром год), разработка правил 150 мм проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационностойкой элементной базы

28. Разработкатехнологии 155 71 84 создание технологического базиса проектирования и ----- ---- -- (технология проектирования, базовые конструктивно-технологических 103,4 47,4 56 технологии), позволяющего решений библиотеки логических разрабатывать радиационно стойкие и аналоговых элементов, сверхбольшие интегральные схемы на оперативных запоминающих структурах "кремний на изоляторе" с устройств, постоянных проектной нормой до 0,25 мкм (2009 запоминающих устройств, год) сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм

29. Разработкатехнологии 360,1 81,5 278,6 создание технологического базиса проектирования и ----- ---- ----- (технология проектирования, базовые конструктивно-технологических 240 54,3 185,7 технологии), позволяющего решений библиотеки логических разрабатывать радиационно стойкие и аналоговых элементов, сверхбольшие интегральные схемы на оперативных запоминающих структурах "кремний на изоляторе" с устройств, постоянных проектной нормой до 0,18 мкм запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм

30. Разработкабазовых 174 98 76 создание технологического процесса технологических процессов --- ---- ---- изготовления сверхбольших изготовления радиационно 116 65,3 50,7 интегральных схем энергонезависимой, стойкой элементной базы для радиационно стойкой сверхбольших интегральных схем сегнетоэлектрической памяти уровня энергозависимой 0,35 мкм и базовой технологии пьезоэлектрической и создания, изготовления и аттестации магниторезистивной памяти с радиационно стойкой пассивной проектными нормами 0,35 мкм и электронной компонентной базы (2009 пассивной радиационно стойкой год) элементной базы

31. Разработкабазовых 261 56 205 создание технологического процесса технологических процессов ----- ---- ----- изготовления сверхбольших изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 интегральных схем энергонезависимой стойкой элементной базы для радиационно стойкой сверхбольших интегральных схем сегнетоэлектрической памяти уровня энергозависимой 0,18 мкм (2010 год) и создания, пьезоэлектрической и изготовления и аттестации магниторезистивной памяти с радиационно стойкой пассивной проектными нормами 0,18 мкм и электронной компонентной базы (2011 пассивной радиационно стойкой год) элементной базы

32. Разработка технологии "кремний140,8 83,2 57,6 разработка расширенного ряда на сапфире" изготовления ряда ----- ---- ---- цифровых процессоров, лицензионно-независимых 93,9 55,4 38,5 микроконтроллеров, оперативных радиационно стойких запоминающих программируемых и комплементарных полевых перепрограммируемых устройств, полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых преобразователей в интегральных схем цифровых радиационно стойком исполнении для процессоров обработки создания специальной аппаратуры сигналов, микроконтроллеров и нового поколения схем интерфейса

33. Разработка технологии структур374 74,5 299,5 создание технологии проектирования и с ультратонким слоем кремния ----- ---- ----- изготовления микросхем и на сапфире 249,5 49,8 199,7 сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2011 год)

34. Разработка базовой технологии152,6 80,6 72 разработка конструкции и модели и приборно-технологического ----- ---- -- интегральных элементов и базиса производства 98,4 50,4 48 технологического маршрута радиационно стойких изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле", "система на кристалле" с расширенным радиационно стойкой силовой температурным диапазоном, силовых электроники для аппаратуры транзисторов и модулей для бортовых питания и управления и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)

35. Разработка элементнойбазы 81,2 33,2 48 создание ряда микронанотриодов и радиационно стойких ---- ---- -- микронанодиодов с наивысшей интегральных схем на основе 57,5 25,5 32 радиационной стойкостью для полевых эмиссионных долговечной аппаратуры космического микронанотриодов базирования

36. Создание информационнойбазы 251 61,1 189,9 разработка комплекса моделей расчета радиационно стойкой ----- ---- ----- радиационной стойкости электронной электронной компонентной базы, 167,3 40,7 126,6 компонентной базы для определения содержащей модели интегральных технически обоснованных норм компонентов, функционирующих в испытаний условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы

37. Разработкабиблиотек 975 975 создание технологии проектирования и стандартных элементов и --- --- изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков 650 650 сложнофункциональных блоков на для создания радиационно основе ультратонких слоев на стойких сверхбольших структуре "кремний на сапфире", интегральных схем позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)

38. Разработка расширенногоряда 975 975 разработка расширенного ряда радиационно стойких --- --- цифровых процессоров, сверхбольших интегральных схем 600 600 микроконтроллеров, оперативных для специальной аппаратуры запоминающих программируемых и связи, обработки и передачи перепрограммируемых устройств, информации, систем управления аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанотриодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

39. Разработка и совершенствование951 951 разработка комплекса моделей расчета методов моделирования и --- --- радиационной стойкости электронной проектирования радиационно 634 634 компонентной базы для определения стойкой элементной базы технически обоснованных норм испытаний

40. Разработка и совершенствование975 975 создание технологического базиса базовых технологий и --- --- (технология проектирования, базовые конструкций радиационно 650 650 технологии), позволяющего стойких сверхбольших разрабатывать радиационно стойкие интегральных схем на сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на структурах "кремний на изоляторе" с сапфире" и "кремний на проектной нормой не менее 0,18 мкм изоляторе" с топологическими (2014 год), создание нормами не менее 0,18 мкм технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)

Всего 6293 437,1 417,6 332,5 1229,4 3876 по направлению 2 ------ ----- ----- ----- ------ ---- 4195,3 291,4 278,6 221,7 819,6 2584

Направление 3. Микросистемная техника
41. Разработка базовых технологий209 112 97 создание базовых технологий (2009 микроэлектромеханических --- --- -- год) и комплектов технологической систем 105 75 30 документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов

42. Разработка базовых конструкций424 - 75 228 121 разработка базовых конструкций и микроэлектромеханических --- -- --- --- комплектов необходимой систем 277 60 141 76 конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике

43. Разработка базовых технологий155 110 45 создание базовых технологий (2009 микроакусто- --- --- -- год) и комплектов необходимой электромеханических систем 100 70 30 технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники

44. Разработка базовых конструкций418 71 225 122 разработка базовых конструкций и микроакустоэлектромеханических --- -- --- --- комплектов необходимой систем 280 60 143 77 конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин - микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов

45. Разработка базовых технологий55 55 создание базовых технологий микроаналитических систем -- -- изготовления элементов 38 38 микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов

46. Разработка базовых конструкций224 64 102 58 создание базовых конструкций микроаналитических систем --- -- --- -- микроаналитических систем, 164 30 86 48 предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники; разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах

47. Разработка базовых технологий94 59 35 создание базовых технологий выпуска микрооптоэлектромеханических -- -- -- трехмерных оптических и систем 71 41 30 акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2009 год)

48. Разработка базовых конструкций208 35 112 61 разработка базовых конструкций и микрооптоэлектромеханических --- -- --- -- комплектов, конструкторской систем 145 30 75 40 документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения

49. Разработка базовых технологий55 55 создание базовых технологий микросистем анализа магнитных -- -- изготовления микросистем анализа полей 38 38 магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год)

50. Разработка базовых конструкций214 54 104 56 разработка базовых конструкций и микросистем анализа магнитных --- -- --- -- комплектов конструкторской полей 137 30 69 38 документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях

51. Разработка базовых технологий77 45 32 разработка и освоение в производстве радиочастотных микроэлектро- -- -- -- базовых технологий изготовления механических систем 61 31 30 радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год)

52. Разработка базовых конструкций166 32 87 47 разработка базовых конструкций и радиочастотных --- -- -- -- комплектов конструкторской микроэлектромеханических 119 30 58 31 документации на изготовление систем радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий

53. Разработка методов и средств40 40 создание методов и средств контроля обеспечения создания и -- -- и измерения параметров и производства изделий 24 24 характеристик изделий микросистемной техники микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии

54. Разработкаперспективных 1155 1155 создание базовых технологий выпуска технологий и конструкций ---- ---- трехмерных оптических и микрооптоэлектромеханических 770 770 акустооптических функциональных систем для оптической элементов, аппаратуры, систем отображения микрооптоэлектромеханических систем изображений, научных для коммутации и модуляции исследований и специальной оптического излучения (2012 год), техники акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год)

55. Разработка и совершенствование1155 1155 создание методов и средств контроля методов и средств контроля, ---- ---- и измерения параметров и испытаний и аттестации изделий 770 770 характеристик изделий микросистемотехники микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии

56. Разработкаперспективных 1170 1170 создание перспективных технологий технологий и конструкций ---- ---- изготовления элементов микроаналитических систем для 780 780 микроаналитических систем, аппаратуры контроля и чувствительных к газовым, химическим обнаружения токсичных, и биологическим компонентам внешней горючих, взрывчатых и среды, предназначенных для наркотических веществ использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год)

Всего по направлению 3 5818,5 475,5 540 858 465 3480 ------ ----- --- --- --- ---- 3879 317 360 572 310 2320

Направление 4. Микроэлектроника
57. Разработка технологиии 270 148,9 121,1 разработка комплекта развитие методологии ----- ----- ----- нормативно-технической документации проектирования изделий 125,6 76,6 49 по проектированию изделий микроэлектроники: микроэлектроники, создание разработка и освоение отраслевой базы данных с каталогами современной технологии библиотечных элементов и проектирования универсальных сложнофункциональных блоков с микропроцессоров, процессоров каталогизированными результатами обработки сигналов, аттестации на физическом уровне, микроконтроллеров и "системы разработка комплекта на кристалле" на основе нормативно-технической и каталогизированных технологической документации по сложнофункциональных блоков и взаимодействию центров библиотечных элементов, в том проектирования в сетевом режиме числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм

58. Разработка и освоение базовой34 22 12 разработка комплекта технологической технологии производства ---- ---- -- документации и фотошаблонов с технологическим 22,7 14,7 8 организационно-распорядительной уровнем до 0,13 мкм с целью документации по взаимодействию обеспечения информационной центров проектирования и центра защиты проектов изделий изготовления фотошаблонов микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного)

59. Разработка семейств исерий 766,9 336,7 430,2 разработка комплектов документации в изделий микроэлектроники: ----- ----- ----- стандартах единой системы универсальных микропроцессоров 466,8 180 286,8 конструкторской, технологической и для встроенных применений; производственной документации, универсальных микропроцессоров изготовление опытных образцов для серверов и рабочих изделий и организация серийного станций; производства цифровых процессоров обработки сигналов; сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем; сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти; микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью; схем интерфейса дискретного ввода/вывода; схем аналогового интерфейса; цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит; схем приемопередатчиков шинных интерфейсов; изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; встроенных интегральных источников питания

60. Разработка базовыхсерийных 1801,6 799,8 1001,8 разработка комплектов документации в технологий изделий ------ ------ ------ стандартах единой системы микроэлектроники: 1200,9 533,1 667,8 конструкторской, технологической и цифроаналоговых и производственной документации, аналого-цифровых изготовление опытных образцов преобразователей на частотах изделий и организация серийного выше 100 МГц с разрядностью производства более 14-16 бит; микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнито-электрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов

61. Разработка технологиии 462,4 252,4 210 разработка комплектов документации в освоение производства изделий ----- ----- ----- стандартах единой системы микроэлектроники с 308,3 168,3 140 конструкторской, технологической технологическим уровнем 0,13 документации и ввод в эксплуатацию мкм производственной линии

62. Разработка базовой технологии894,8 146,3 748,5 разработка комплектов документации в формирования многослойной ----- ----- ----- стандартах единой системы разводки (7-8 уровней) 596,2 97,3 498,9 конструкторской, технологической и сверхбольших интегральных схем производственной документации, ввод на основе Al и Cu в эксплуатацию производственной линии

63. Разработка технологиии 494,2 211,1 166,4 116,7 разработка комплектов документации в организация производства ----- ----- ----- ----- стандартах единой системы многокристальных 294,2 105,6 110,9 77,7 конструкторской, технологической и микроэлектронных модулей для производственной документации, ввод мобильных применений с в эксплуатацию производственной использованием полимерных и линии металлополимерных микроплат и носителей

64. Разработка новыхметодов 173 68 105 разработка технологической и технологических испытаний --- -- --- производственной документации, ввод изделий микроэлектроники, 173 68 105 в эксплуатацию специализированных гарантирующих их повышенную участков надежность в процессе долговременной (более 100 000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов

65. Разработка современных методов227 132 95 разработка комплектов документации, анализа отказов изделий --- --- -- включая утвержденные отраслевые микроэлектроники с применением 227 132 95 методики, ввод в эксплуатацию ультраразрешающих методов модернизированных участков и (ультразвуковая гигагерцовая лабораторий анализа отказов микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие)

66. Разработкабазовых 1200 1200 разработка и освоение базовой субмикронных технологий ---- ---- технологии производства фотошаблонов уровней 0,065 - 0,045 мкм 800 800 с технологическим уровнем до 0,045 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) (2014 год). Создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования сверхбольших интегральных схем; создание базовой технологии формирования многослойной разводки (7-8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров

67. Исследованиетехнологических 1425 1425 создание технологии сверхбольших процессов и структур для ---- ---- интегральных схем технологических субмикронных технологий 950 950 уровней 65-32 нм, организация уровней 0,032 мкм опытного производства (2015 год)

68. Разработкаперспективных 1425 1425 создание технологий и конструкций технологий и конструкций ---- ---- перспективных изделий изделий интеллектуальной 950 950 интеллектуальной силовой силовой электроники для микроэлектроники для применения в применения в аппаратуре аппаратуре промышленного и бытового бытового и промышленного назначения; применения, на транспорте, в создание встроенных интегральных топливно-энергетическом источников питания (2013-2015 годы) комплексе и в специальных системах

69. Разработкаперспективных 1650 1650 разработка перспективной технологии технологий сборки сверхбольших ---- ---- многокристальных микроэлектронных интегральных схем в 1100 1100 модулей для мобильных применений с многовыводные корпуса, в том использованием полимерных и числе корпуса с матричным металлополимерных микроплат и расположением выводов и носителей (2015 год) технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе"

Всего по направлению 4 11222 993,4 1236,4 1151 1913,6 5927,5 ------ ----- ------ ----- ------ ------ 7214,7 639,6 789,4 741,3 1244,4 3800

Направление 5. Электронные материалы и структуры
70. Разработкатехнологии 78 51 27 внедрение новых диэлектрических производства новых -- -- -- материалов на основе ромбоэдрической диэлектрических материалов на 49 32 17 модификации нитрида бора и подложек основе ромбоэдрической из поликристаллического алмаза с модификации нитрида бора и повышенной теплопроводностью и подложек из электропроводностью для создания поликристаллического алмаза нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов

71. Разработкатехнологии 131 77 54 создание технологии производства производства --- -- -- гетероэпитаксиальных структур и гетероэпитаксиальных структур 87 51 36 структур гетеробиполярных и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных транзисторов на основе соединений А В для обеспечения нитридных соединений А В для 3 5 3 5 разработок и изготовления мощных полупроводниковых сверхвысокочастотных монолитных приборов и интегральных схем и мощных сверхвысокочастотных транзисторов (2011 год) монолитных интегральных схем

72. Разработка базовой технологии77 50 27 создание базовой технологии производства метаморфных -- -- -- производства гетероструктур и структур на основе GaAs и 50 32 18 псевдоморфных структур на подложках псевдоморфных структур на InP для перспективных подложках InP для приборов полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотной сверхвысокочастотных монолитных электроники диапазона 60-90 интегральных схем диапазона 60-90 ГГц ГГц (2009 год)

73. Разработкатехнологии 133 79 54 создание спинэлектронных магнитных производства спинэлектронных --- -- -- материалов и микроволновых структур магнитных материалов, 88 52 36 со спиновым управлением для создания радиопоглощающих и перспективных микроволновых мелкодисперсных ферритовых сверхвысокочастотных приборов материалов для повышенного быстродействия и низкого сверхвысокочастотных приборов энергопотребления

74. Разработкатехнологии 77 50 27 создание технологии массового производства высокочистых -- -- -- производства высокочистых химических химических материалов 49 31 18 материалов (аммиака, арсина, (аммиака, арсина, фосфина, фосфина, тетрахлорида кремния) для тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек обеспечения производства нитрида галлия, арсенида галлия, полупроводниковых подложек фосфида индия, кремния и нитрида галлия, арсенида гетероэпитаксиальных структур на их галлия, фосфида индия, кремния основе (2009 год) и гетероэпитаксиальных структур на их основе

75. Разработкатехнологии 134 79 55 создание технологии производства производства --- -- -- поликристаллических алмазов и его поликристаллических алмазов и 88 52 36 пленок для мощных их пленок для теплопроводных сверхвысокочастотных приборов (2011 конструкций мощных выходных год) транзисторов и сверхвысокочастотных приборов

76. Исследование путейи 57 36 21 создание технологии изготовления разработка технологии -- -- -- новых микроволокон на основе изготовления новых 38 24 14 двухмерных диэлектрических и микроволокон на основе металлодиэлектрических микро- и двухмерных диэлектрических и наноструктур для новых классов металлодиэлектрических микро- микроструктурных приборов, и наноструктур, а также магниторезисторов, осцилляторов, полупроводниковых нитей с устройств оптоэлектроники (2009 год) наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника

77. Разработкатехнологии 106 25 44 37 создание базовой пленочной выращивания слоев --- -- -- -- технологии пьезокерамических пьезокерамики на кремниевых 69 17 28 24 элементов, совместимой с подложках для формирования комплементарной металлооксидной комплексированных устройств полупроводниковой технологией для микросистемной техники разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год)

78. Разработка методологиии 57 36 21 создание технологии травления и базовых технологий создания -- -- -- изготовления кремниевых трехмерных многослойных кремниевых 38 24 14 базовых элементов структур с использованием микроэлектромеханических систем с "жертвенных" и "стопорных" использованием "жертвенных" и диффузионных и диэлектрических "стопорных" слоев для серийного слоев для производства силовых производства элементов приборов и элементов микроэлектромеханических систем микроэлектромеханических (2009 год) кремниевых структур с систем использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния

79. Разработка базовых технологий105 61 44 создание технологии получения получения алмазных --- -- -- алмазных полупроводниковых полупроводниковых наноструктур 70 41 29 наноструктур и наноразмерных и наноразмерных органических органических покрытий, алмазных покрытий с широким диапазоном полупроводящих пленок для функциональных свойств конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год)

80. Исследование иразработка 141 57 84 создание технологии изготовления технологии роста --- -- -- гетероструктур и эпитаксиальных эпитаксиальных слоев карбида 93 38 55 структур на основе нитридов для кремния, структур на основе создания радиационно стойких нитридов, а также формирования сверхвысокочастотных и силовых изолирующих и коммутирующих приборов нового поколения (2009 год) слоев в приборах экстремальной электроники

81. Разработкатехнологии 160 52 108 создание технологии производства производства радиационно --- -- --- структур "кремний на сапфире" стойких сверхбольших 90 35 55 диаметром до 150 мм с толщиной интегральных схем на приборного слоя до 0,1 мкм и ультратонких топологическими нормами до 0,18 мкм гетероэпитаксиальных для производства электронной структурах кремния на компонентной базы специального и сапфировой подложке для двойного назначения (2009 год) производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения

82. Разработкатехнологии 146 54 92 создание технологии производства производства высокоомного --- -- -- радиационно облученного кремния и радиационно облученного 96 36 60 пластин кремния до 150 мм для кремния, слитков и пластин выпуска мощных транзисторов и кремния диаметром до 150 мм сильноточных тиристоров нового для производства силовых поколения (2009 год) полупроводниковых приборов

83. Разработкатехнологии 92 36 56 разработка и промышленное освоение производства кремниевых -- -- -- получения высококачественных подложек и структур для 63 24 39 подложек и структур для силовых полупроводниковых использования в производстве силовых приборов с глубокими полупроводниковых приборов, с высоколегированными слоями р- глубокими высоколегированными слоями и n-типов проводимости и и скрытыми слоями носителей с скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год) повышенной рекомбинацией

84. Разработкатехнологии 216 72 144 создание технологии производства производства электронного --- -- --- пластин кремния диаметром до 200 мм кремния, кремниевых пластин 162 48 114 и эпитаксиальных структур уровня диаметром до 200 мм и 0,25 - 0,18 мкм (2009 год) кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм

85. Разработкаметодологии, 232 109 123 разработка технологии корпусирования конструктивно-технических --- --- --- интегральных схем и решений и перспективной 161 78 83 полупроводниковых приборов на основе базовой технологии использования многослойных корпусирования интегральных кремниевых структур со сквозными схем и полупроводниковых токопроводящими каналами, приборов на основе обеспечивающей сокращение состава использования многослойных сборочных операций и формирование кремниевых структур со трехмерных структур (2010 год, 2011 сквозными токопроводящими год) каналами

86. Разработкатехнологии 220 85 135 создание базовой технологии производства гетероструктур --- -- --- производства гетероструктур SiGe для SiGe для разработки 143 53 90 выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем сверхбольших интегральных схем с с топологическими нормами топологическими нормами 0,25 - 0,18 0,25 - 0,18 мкм мкм (2010 год, 2011 год)

87. Разработкатехнологии 46 28 18 создание технологии выращивания и выращивания и обработки, в том -- -- -- обработки пьезоэлектрических числе плазмохимической, новых 34 22 12 материалов акустоэлектроники и пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры акустооптики акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год)

88. Разработкатехнологий 87 32 55 создание технологии массового производства соединений А В и -- -- -- производства исходных материалов и 3 5 58 22 36 структур для перспективных приборов тройных структур для: лазерной и оптоэлектронной техники, производства сверхмощных в том числе: лазерных диодов; производства сверхмощных лазерных высокоэффективных светодиодов диодов (2010 год); белого, зеленого, синего и высокоэффективных светодиодов ультрафиолетового диапазонов; белого, зеленого, синего и фотоприемников среднего ультрафиолетового диапазонов (2011 инфракрасного диапазона год); фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2011 год)

89. Исследование иразработка 48 30 18 создание технологии производства технологии получения -- -- -- принципиально новых материалов гетероструктур с вертикальными 33 33 33 полупроводниковой электроники на оптическими резонаторами на основе сложных композиций для основе квантовых ям и перспективных приборов лазерной и квантовых точек для оптоэлектронной техники (2009 год) производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения

90. Разработкатехнологии 86 32 54 создание технологии производства производства современных -- -- -- компонентов для специализированных компонентов для 57 22 35 электронно-лучевых (2010 год), специализированных электронно-оптических и отклоняющих фотоэлектронных приборов, в систем (2010 год), стеклооболочек и том числе: деталей из электровакуумного стекла катодов и газопоглотителей; различных марок (2011 год) электронно-оптических и отклоняющих систем; стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок

91. Разработкатехнологии 47 30 17 создание технологии производства производства особо тонких -- -- -- особо тонких гетерированных гетерированных нанопримесями 32 20 12 нанопримесями полупроводниковых полупроводниковых структур для структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических электронно-оптических преобразователей и преобразователей и фотоэлектронных фотоэлектронных умножителей, умножителей, приемников приемников инфракрасного инфракрасного диапазона, солнечных диапазона и солнечных элементов и других приложений (2009 элементов с высокими год) значениями коэффициента полезного действия

92. Разработка базовой технологии85 32 53 создание технологии монокристаллов производства монокристаллов -- -- -- AlN для изготовления изолирующих и AlN для изготовления 58 22 36 проводящих подложек для создания изолирующих и проводящих полупроводниковых подложек для гетероструктур высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год)

93. Разработка базовой технологии47 30 17 создание базовой технологии производства -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой наноструктурированных оксидов 32 20 12 керамики из нанокристаллических металлов (корунда и т. п.) для порошков и нитридов металлов для производства вакуумно-плотной промышленного освоения спецстойких нанокерамики, в том числе с приборов нового поколения (2009 заданными оптическими год), в том числе микрочипов, свойствами сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники

94. Разработка базовой технологии86 33 53 создание технологии производства производства полимерных и -- -- -- полимерных и композиционных гибридных 58 21 37 материалов с использованием органо-неорганических поверхностной и объемной модификации наноструктурированных защитных полимеров наноструктурированными материалов для электронных наполнителями для создания изделий с компонентов нового поколения высокой механической, термической и прецизионных и радиационной стойкостью при работе в сверхвысокочастотных условиях длительной эксплуатации и резисторов, терминаторов, воздействии комплекса специальных аттенюаторов и внешних факторов (2011 год) резисторно-индукционно-емкост- ных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов

95. Исследование иразработка 1395 1395 создание базовой технологии перспективных ---- ---- производства гетероструктур, гетероструктурных и 930 930 структур и псевдоморфных структур на наноструктурированных подложках InP для перспективных материалов с экстремальными полупроводниковых приборов и характеристиками для сверхвысокочастотных монолитных перспективных электронных интегральных схем диапазона 60-90 приборов и радиоэлектронной ГГц (2012 год), создание технологии аппаратуры специального получения алмазных полупроводниковых назначения наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год)

96. Исследование иразработка 1395 1395 создание нового класса экологически чистых материалов ---- ---- конструкционных и технологических и методов их использования в 930 930 материалов для уровней технологии производстве электронной 0,065 - 0,032 мкм и обеспечения компонентной базы и высокого процента выхода годных радиоаппаратуры, включая изделий, экологических требований по бессвинцовые композиции для международным стандартам (2012 год, сборки 2015 год)

97. Разработкаперспективных 1380 1380 создание перспективных технологий технологий получения ленточных ---- ---- производства компонентов для материалов (полимерные, 920 920 специализированных металлические, плакированные и электронно-лучевых, другие) для радиоэлектронной электронно-оптических и отклоняющих аппаратуры и сборочных систем, стеклооболочек и деталей из операций электронной электровакуумного стекла различных компонентной базы марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год)

Всего по направлению 5 6864 612 702 663 717 4170 ---- --- --- --- --- ---- 4576 408 468 442 478 2780

Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы
98. Разработка технологии выпуска33 18 15 разработка расширенного ряда прецизионных -- -- -- резонаторов с повышенной температуростабильных 22 12 10 кратковременной и долговременной высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для создания резонаторов на поверхностно контрольной аппаратуры и техники акустических волнах до 1,5 ГГц связи двойного назначения с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс

99. Разработка в лицензируемых и120 21 48 51 создание технологии и конструкции нелицензируемых международных --- -- -- -- акустоэлектронных пассивных и частотных диапазонах 860 МГц и 80 14 32 34 активных меток-транспондеров для 2,45 ГГц ряда радиочастотных применения в логистических пассивных и активных приложениях на транспорте, в акустоэлектронных торговле и промышленности (2010 год, меток-транспондеров, в том 2011 год) числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом

100. Разработка базовой конструкции32 17 15 создание технологии проектирования и и промышленной технологии -- -- -- базовых конструкций производства пьезокерамических 21 11 10 пьезоэлектрических фильтров в фильтров в корпусах для малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год)

101. Разработкатехнологии 39 39 создание базовой технологии проектирования, базовой -- -- акустоэлектронных приборов для технологии производства и 26 26 перспективных систем связи, конструирования измерительной и навигационной акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения - нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых, тропосферных промежуточной частоты с и радиорелейных линий связи, высокими характеристиками для цифрового интерактивного современных систем связи, телевидения, радиоизмерительной включая высокоизбирательные аппаратуры, радиолокационных высокочастотные устройства станций, спутниковых навигационных частотной селекции на систем (2008 год) поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц

102. Разработкатехнологии 96 33 63 создание технологии производства проектирования и базовой -- -- -- высокоинтегрированной электронной технологии производства 64 22 42 компонентной базы типа "система в функциональных законченных корпусе" для вновь разрабатываемых и устройств стабилизации, модернизируемых сложных селекции частоты и обработки радиоэлектронных систем и комплексов сигналов типа "система в (2010 год) корпусе"

103. Разработка базовой конструкции69 48 21 создание базовой технологии (2010 и технологии изготовления -- -- -- год) и базовой конструкции высокочастотных резонаторов и 46 32 14 микроминиатюрных высокодобротных фильтров на объемных фильтров для малогабаритной и акустических волнах для носимой аппаратуры навигации и связи телекоммуникационных и навигационных систем

104. Разработка технологиии 30 30 создание нового поколения базовой конструкции -- -- оптоэлектронных приборов для фоточувствительных приборов с 20 20 обеспечения задач предотвращения матричными приемниками аварий и контроля высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений

105. Разработка базовой технологии37 16 21 создание базовой технологии нового унифицированных -- -- -- поколения приборов контроля тепловых электронно-оптических 24 10 14 полей для задач теплоэнергетики, преобразователей, медицины, поисковой и контрольной микроканальных пластин, аппаратуры на транспорте, пироэлектрических матриц и продуктопроводах и в охранных камер на их основе с системах (2009 год) чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона

106. Разработка базовой технологии84 45 39 создание базовой технологии (2008 создания интегрированных -- -- -- год) и конструкции новых типов гибридных фотоэлектронных 55 30 25 приборов, сочетающих фотоэлектронные высокочувствительных и и твердотельные технологии, с целью высокоразрешающих приборов и получения экстремально достижимых усилителей для задач характеристик для задач контроля и космического мониторинга и наблюдения в системах двойного специальных систем наблюдения, назначения научной и метрологической аппаратуры

107. Разработка базовых технологий96 45 51 создание базовой технологии (2008 мощных полупроводниковых -- -- -- год) и конструкций принципиально лазерных диодов (непрерывного 64 30 34 новых мощных диодных лазеров, и импульсного излучения), предназначенных для широкого специализированных лазерных применения в изделиях двойного полупроводниковых диодов, назначения, медицины, фотодиодов и лазерных полиграфического оборудования и волоконно-оптических модулей системах открытой оптической связи для создания аппаратуры и систем нового поколения

108. Разработка и освоение базовых98 15 60 23 разработка базового комплекта технологий для лазерных -- -- -- -- основных оптоэлектронных компонентов навигационных приборов, 65 10 40 15 для лазерных гироскопов широкого включая интегральный применения (2010 год), создание оптический модуль лазерного комплекса технологий обработки и гироскопа на базе формирования структурных и приборных сверхмалогабаритных кольцевых элементов, оборудования контроля и полупроводниковых лазеров аттестации, обеспечивающих новый инфракрасного диапазона, уровень технико-экономических оптоэлектронные компоненты для показателей производства широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта

109. Разработка базовых конструкций47 22 25 создание базовой технологии и технологий создания -- -- -- твердотельных чип-лазеров для квантово-электронных 32 15 17 лазерных дальномеров, твердотельных приемопередающих модулей для лазеров с пикосекундными малогабаритных лазерных длительностями импульсов для дальномеров нового поколения установок по прецизионной обработке на основе твердотельных композитных материалов, для создания чип-лазеров с элементов и изделий полупроводниковой накачкой, микромашиностроения и в производстве технологических лазерных электронной компонентной базы нового установок широкого поколения, мощных лазеров для спектрального диапазона применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год)

110. Разработка базовых технологий67 55 12 создание технологии получения формирования конструктивных -- -- -- широкоапертурных элементов на основе узлов и блоков для лазеров 45 37 8 алюмоиттриевой легированной керамики нового поколения и технологии композитных составов для лазеров с создания полного комплекта диодной накачкой (2008 год), электронной компонентной базы высокоэффективных преобразователей для производства лазерного частоты лазерного излучения, устройства определения наличия организация промышленного выпуска опасных, взрывчатых, оптических изделий и лазерных отравляющих и наркотических элементов широкой номенклатуры веществ в контролируемом пространстве

111. Разработка базовых технологий,52 25 27 разработка расширенной серии базовой конструкции и -- -- -- низковольтных катодолюминесцентных и организация производства 35 17 18 других дисплеев с широким диапазоном интегрированных эргономических характеристик и катодолюминесцентных и других свойств по условиям применения для дисплеев двойного назначения информационных и контрольных систем со встроенным микроэлектронным управлением

112. Разработка технологиии 45 24 21 создание ряда принципиально новых базовых конструкций -- -- -- светоизлучающих приборов с высокояркостных светодиодов и 30 16 14 минимальными геометрическими индикаторов основных цветов размерами, высокой надежностью и свечения для систем подсветки устойчивостью к механическим и в приборах нового поколения климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения

113. Разработка базовой технологии90 15 57 18 создание базовой технологии и конструкции оптоэлектронных -- -- -- -- производства нового поколения приборов (оптроны, оптореле, 60 10 38 12 оптоэлектронной высокоэффективной и светодиоды) в миниатюрных надежной электронной компонентной корпусах для поверхностного базы для промышленного оборудования монтажа и систем связи (2010 год, 2011 год)

114. Разработкасхемотехнических 51 24 27 создание технологии новых классов решений и унифицированных -- -- -- носимой и стационарной аппаратуры, базовых конструкций и 34 16 18 экранов отображения информации технологий формирования коллективного пользования повышенных твердотельных видеомодулей на емкости и формата (2009 год) полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой

115. Разработка базовой технологии60 30 30 создание технологии массового изготовления высокоэффективных -- -- -- производства солнечных элементов для солнечных элементов на базе 40 20 20 индивидуального и коллективного использования кремния, использования в труднодоступных полученного по "бесхлоридной" районах, развития солнечной технологии и технологии энергетики в жилищно-коммунальном "литого" кремния хозяйстве для обеспечения задач прямоугольного сечения энергосбережения (2009 год)

116. Разработка базовой технологии38 18 20 создание технологии массового и освоение производства -- -- -- производства нового класса оптоэлектронных реле с 25 12 13 оптоэлектронных приборов для повышенными техническими широкого применения в характеристиками для радиоэлектронной аппаратуре (2009 поверхностного монтажа год)

117. Комплексное исследованиеи 162 33 99 30 создание базовой технологии разработка технологий --- -- -- -- массового производства экранов с получения новых классов 108 22 66 20 предельно низкой удельной стоимостью органических (полимерных) для информационных и обучающих люминофоров, пленочных систем (2010 год, 2011 год) транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку"

118. Разработка базовых конструкций183 45 33 105 создание технологии и конструкции и технологии активных матриц и --- -- -- --- активно-матричных органических драйверов плоских экранов на 122 30 22 70 электролюминесцентных, основе аморфных, жидкокристаллических и поликристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, кристаллических кремниевых стойких к внешним специальным и интегральных структур на климатическим воздействиям (2010 различных подложках и создание год) на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения

119. Разработка базовой конструкции162 33 99 30 создание технологии и базовых и технологии крупноформатных --- -- -- -- конструкций полноцветных полноцветных газоразрядных 108 22 66 20 газоразрядных видеомодулей видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год)

120. Разработкатехнологии 72 24 18 30 разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов и -- -- -- -- сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем 48 16 12 20 гибридных интегральных схем цифроаналоговых и цифроаналоговых и аналого-цифровых аналого-цифровых преобразователей с параметрами, преобразователей на их основе превышающими уровень существующих в металлокерамических корпусах отечественных и зарубежных изделий, для аппаратуры двойного для аппаратуры связи, назначения диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год)

121. Разработка базовой технологии105 45 60 разработка расширенного ряда особо стабильных и особо --- -- -- сверхпрецизионных резисторов с точных резисторов широкого 70 30 40 повышенной удельной мощностью диапазона сопротивления, рассеяния, высоковольтных прецизионных датчиков тока для высокоомных резисторов для измерительной и контрольной измерительной техники, приборов аппаратуры и освоение их ночного видения и аппаратуры производства контроля (2011 год)

122. Разработка технологиии 192 24 78 90 создание базовой технологии и базовых конструкций резисторов --- -- -- -- конструкции резисторов с повышенными и резистивных структур нового 128 16 52 60 значениями стабильности, удельной поколения для поверхностного мощности в чип-исполнении на основе монтажа, в том числе многослойных монолитных структур резисторов с повышенными (2010 год, 2011 год) характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции

123. Разработкатехнологий 48 36 12 создание базовой технологии формирования интегрированных -- -- -- производства датчиков на резистивной резистивных структур с 32 24 8 основе с высокими техническими повышенными характеристиками и надежностью (2009 технико-эксплуатационными год) характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки

124. Создание групповой технологии60 30 30 создание технологии автоматизированного -- -- -- автоматизированного производства производства толстопленочных 40 20 20 чип- и микрочип-резисторов (в чип- и микрочип-резисторов габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год)

125. Разработка новыхбазовых 129 24 30 75 создание базовой технологии технологий и конструктивных --- -- -- -- производства конденсаторов с решений изготовления 86 16 20 50 качественно улучшенными танталовых характеристиками с электродами из оксидно-полупроводниковых и неблагородных металлов при оксидно-электролитических сохранении высокого уровня конденсаторов и надежности (2010 год) чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками

126. Разработка комплексной базовой41 20 21 создание базовых технологий технологии и организация -- -- -- конденсаторов и ионисторов на основе производства конденсаторов с 27 13 14 полимерных материалов с повышенным органическим диэлектриком и удельным зарядом и энергоемких повышенными удельными накопительных конденсаторов с характеристиками и ионисторов повышенной удельной энергией (2009 с повышенным током разряда год)

127. Разработка технологии, базовых115 25 60 30 создание технологии и базовых конструкций высоковольтных --- -- -- -- конструкций нового поколения (быстродействующих, мощных) 77 17 40 20 выключателей для радиоэлектронной вакуумных выключателей нового аппаратуры с повышенными поколения с предельными тактико-техническими характеристиками для характеристиками и надежностью (2011 радиотехнической аппаратуры с год) высокими сроками службы

128. Разработка технологий создания49 24 25 создание технологии изготовления газонаполненных высоковольтных -- -- -- коммутирующих устройств для токовой высокочастотных коммутирующих 33 16 17 коммутации цепей в широком диапазоне устройств для токовой напряжений и токов для коммутации цепей с повышенными радиоэлектронных и техническими характеристиками электротехнических систем (2009 год)

129. Разработка полногокомплекта 27 27 создание технологии выпуска электронной компонентной базы -- -- устройств грозозащиты в для создания модульного 18 18 индивидуальном, промышленном и устройства грозозащиты зданий гражданском строительстве, и сооружений с обеспечением строительстве пожароопасных объектов требований по международным (2008 год) стандартам

130. Разработка базовых конструкций97 46 51 создание базовой технологии и технологий изготовления -- -- -- формирования высококачественных малогабаритных переключателей 65 31 34 гальванических покрытий, технологии с повышенными сроками службы прецизионного формирования изделий для печатного монтажа для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения (2009 год)

131. Комплексное исследованиеи 825 825 комплексное исследование и разработка пленочных --- --- разработка технологий получения технологий изготовления 550 550 новых классов органических высокоэкономичных (полимерных) люминофоров, пленочных крупноформатных гибких и особо транзисторов на основе "прозрачных" плоских экранов материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку" (2012 год), создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем (2014 год)

132. Исследованиеперспективных 825 825 создание технологии формирования конструкций и технологических --- --- нового поколения оптоэлектронных принципов формирования 550 550 комплексированных приборов, оптоэлектронных и квантовых обеспечивающих создание "системы на структур и приборов нового кристалле" с оптическими поколения входами-выходами (2014 год, 2015 год)

133. Разработкаперспективных 811,5 811,5 создание перспективной технологии технологий промышленного ----- ----- массового производства солнечных изготовления солнечных 541 541 элементов для индивидуального и высокоэффективных элементов коллективного использования (2015 год)

Всего по направлению 6 5086,5 684 721,5 867 352,5 2461,5 ------ --- ----- --- ----- ------ 3391 456 481 578 235 1641

Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции

134. Разработка базовых технологий4395 90 135 135 735 3300 создание на основе современной и создания рядов ---- -- --- --- --- ---- перспективной отечественной приемопередающих 2930 60 90 90 490 2200 электронной компонентной элементной унифицированных электронных базы и последних достижений в модулей для аппаратуры связи, разработке алгоритмов сжатия радиолокации, видеоизображений приемопередающих телекоммуникаций, бортовых унифицированных электронных модулей радиотехнических средств аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами: диапазон частот до 100 ГГц; скорость передачи информации до 100 Гбит/с; создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемопередающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области; разработка новых технологий

135. Разработка базовых технологий2820 60 105 90 465 2100 создание на основе базовых создания нового класса ---- -- --- -- --- ---- технологий и современной унифицированных электронных 1880 40 70 60 310 1400 отечественной твердотельной модулей для обработки компонентной электронной базы аналоговых и цифровых сигналов унифицированных электронных модулей на основе устройств нового поколения для обработки функциональной электроники, аналоговых и цифровых сигналов РЛС и приборов обработки сигналов других радиотехнических систем в аналого-цифровых и высокочастотных, ПЧ и цифроаналоговых сверхвысокочастотных диапазонах, преобразователей, сенсоров и освоение производства нового класса преобразователей многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем

136. Разработка базовых технологий1725 45 60 60 285 1275 создание рядов унифицированных создания рядов унифицированных ---- -- -- -- --- ---- электронных модулей для систем электронных модулей для систем 1150 30 40 40 190 850 телеметрии, управления, телеметрии, управления, радиолокационных, робототехнических, навигации (угловых и линейных телекоммуникационных систем и перемещений, ориентации, навигации (ориентации, стабилизации, стабилизации, позиционирования, наведения, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени), радиопеленгации, единого позволяющих резко снизить стоимость времени) и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения

137. Разработка базовых технологий3285 60 105 105 540 2475 создание на основе современной и создания рядов унифицированных ---- -- --- --- --- ---- перспективной отечественной электронных модулей 2190 40 70 70 360 1650 электронной компонентной базы процессоров, скоростного и унифицированных электронных модулей сверхскоростного ввода-вывода широкой номенклатуры для применения данных, шифрования и в различных информационных системах, дешифрования данных, в том числе унифицированных интерфейсов обмена, систем электронных модулей шифрования и сбора и хранения информации, дешифрования данных; периферийных устройств, систем разработка базовых технологий и идентификации и управления конструкций унифицированных доступом, конверторов, электронных модулей на поверхностных информационно-вычислительных акустических волнах систем систем радиочастотной и биометрической идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, электронных паспортов, логистики, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики. В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/сек

138. Разработка базовых технологий1680 45 60 60 270 1245 разработка на основе перспективных создания рядов унифицированных ---- -- -- -- --- ---- отечественных сверхбольших электронных цифровых модулей 1120 30 40 40 180 830 интегральных схем типа "система на для перспективных кристалле" базового ряда электронных магистрально-модульных модулей для создания перспективных архитектур магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов

139. Разработка базовых технологий1980 45 75 60 330 1470 создание на основе современной и создания ряда унифицированных ---- -- -- -- --- ---- перспективной отечественной электронных модулей для 1320 30 50 40 220 980 электронной компонентной базы рядов контрольно-измерительной, унифицированных электронных модулей, метрологической и поверочной обеспечивающих возможность создания аппаратуры, аппаратуры по модульному принципу тестового контроля, контрольно-измерительной, диагностики блоков метрологической и поверочной радиоэлектронной аппаратуры, аппаратуры, аппаратуры тестового для стандартных и встроенных контроля и диагностики на основе систем контроля и измерений базовых несущих конструкций; создание комплекта сложнофункциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для поверки и диагностики выполнения процессорных и интерфейсных функций сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений

140. Разработка базовых технологий2865 60 90 90 480 2145 разработка базовых технологий создания нового поколения ---- -- -- -- --- ---- создания системообразующих унифицированных рядов средств 1910 40 60 60 320 1430 унифицированных рядов средств электропитания и (систем, источников, сервисных преобразователей устройств) и преобразователей электроэнергии для электроэнергии нового поколения радиоэлектронных систем и межвидового и межведомственного аппаратуры гражданского и применения, в том числе средств двойного назначения электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания: унифицированных рядов источников электропитания; преобразователей электрической энергии; источников и систем бесперебойного электропитания; фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов; модулей защиты от сетевых помех; адаптеров

141. Разработкаоптимизированной 3195 60 105 105 525 2400 разработка системы базовых несущих системы базовых несущих ---- -- --- --- --- ---- конструкций, изготавливаемых на конструкций первого, второго и 2130 40 70 70 350 1600 основе прогрессивных технологий и третьего уровней для наземной, обеспечивающих техническую морской, авиационной и совместимость со всеми видами космической радиоэлектронной современных объектов с аппаратуры специального и использованием новых полимерных двойного назначения, материалов. Применение предназначенной для жестких оптимизированных базовых несущих условий эксплуатации, в том конструкций позволит сократить сроки числе работающей в разработки радиоэлектронной негерметизированном отсеке с аппаратуры в 1,2 раза, снизить использованием прогрессивных трудоемкость изготовления базовых технологий несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение

142. Разработка базовых технологий1695 30 45 60 285 1275 разработка базовых несущих комплексно интегрированных ---- -- -- -- --- ---- конструкций с функциями контроля, в базовых несущих конструкций с 1130 20 30 40 190 850 том числе контроля температуры, функциями контроля, влажности, задымления в корпусах диагностики, индикации радиоэлектронной аппаратуры, уровня функционирования вибрации, контроля параметров составных частей радиоэлектронной аппаратуры - унифицированных электронных модулей, индикации рабочих режимов и аварийных сигналов для идентификации контролируемых параметров, разработка герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций, обеспечивающих нормальный тепловой режим радиоэлектронной аппаратуры и выполняющих функции измерения и регулирования в требуемом диапазоне температуры и влажности воздуха внутри герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций. Это позволит в 1,5 - 2 раза повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры

143. Разработка базовых технологий1320 45 45 45 210 975 обеспечение улучшения создания облегченных паяных ---- -- -- -- --- --- массогабаритных характеристик базовых несущих конструкций 880 30 30 30 140 650 бортовой аппаратуры на 30 процентов для радиоэлектронной и повышение прочности при внешних аппаратуры авиационного и воздействиях в 1,5 - 2 раза космического базирования на основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции

144. Разработкаконтейнерных 1080 30 45 45 180 780 повышение уровня системной базовых несущих конструкций с ---- -- -- -- --- --- интеграции и комплексирования унифицированными интерфейсными 720 20 30 30 120 520 средств и систем, повышение средствами для конкурентоспособности не менее чем в комплексирования бортовых и 2 раза, обеспечение функционирования наземных систем и комплексов аппаратуры в условиях внешних различного назначения жестких воздействий

Всего по направлению 7 26040 570 870 855 4305 19440 ----- --- --- --- ---- ----- 17360 380 580 570 2870 54518

Направление 8. Типовые базовые технологические процессы
145. Разработкатехнологии 3225 60 105 105 555 2400 обеспечение разработки технологий: изготовления высокоплотных ---- -- --- --- --- ---- производства печатных плат 5-го и теплонагруженных и 2150 40 70 70 370 1600 выше классов точности, включая платы сильноточных печатных плат со встроенными пассивными элементами; создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания; формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200-400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости; формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий; производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки; лазерных процессов изготовления печатных плат; прямой металлизации сквозных и глухих отверстий

146. Разработкатехнологии 2040 45 60 60 360 1515 обеспечение разработки технологий: изготовления прецизионных ---- -- -- -- --- ---- изготовления коммутационных плат для коммутационных плат на основе 1360 30 40 40 240 1010 жестких условий эксплуатации и керамики (в том числе широкого диапазона частот; низкотемпературной), металла, получения коммутационных плат с углепластика и других температурным коэффициентом функциональных материалов расширения, соответствующим тепловым характеристикам многовыводных корпусов (в том числе керамических) современных приборов; обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей; снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики; интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоомных проводников, пассивных элементов; прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат; обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате

147. Разработка технологий сборки,3780 90 120 105 615 2850 обеспечение разработки технологий: монтажа электронных модулей, ---- -- --- --- --- ---- новых методов присоединения, сварки, многокристальных модулей и 2520 60 80 70 410 1900 пайки, в том числе с применением микросборок на основе новой бессвинцовых припоев; компонентной базы, высокоточного дозирования перспективных технологических материалов, применяемых при сборке и конструкционных материалов (флюсы, припои и припойные пасты, клеи, лаки, компаунды и т. п.); новых методов сборки и пайки корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и других на различные коммутационные платы; монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины; сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов; настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты

148. Разработка технологии создания1455 45 60 60 225 1065 обеспечение разработки технологий: межблочных соединений для ---- -- -- -- --- ---- изготовления антенно-фидерных коммутации сигналов в широком 970 30 40 40 150 710 устройств, в том числе гибких диапазоне частот и мощностей волноводов, вращающихся сочленений с различными видами охлаждения; оптоволоконной коммутации, устойчивой к воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга; изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и т. п.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и других

149. Разработка методов, средств и1485 45 75 75 225 1065 повышение процента выхода годных технологии автоматизированного ---- -- -- -- --- ---- изделий, снижение потерь на 15-30 контроля коммутационных плат, 990 30 50 50 150 710 процентов; узлов, электронных модулей и обеспечение разработки: приборов специального и общего неразрушающих методов контроля применения на этапах качества монтажных соединений и разработки и производства многослойных структур за счет использования различного излучения и цифровой обработки информации; методов выявления напряженных состояний элементов конструкции и потенциальных неисправностей изделий; унифицированных методов и средств тестового и функционального контроля изделий различного назначения

150. Разработкатехнологии 3645 60 105 105 600 2775 импортозамещение специальных производства специальных ---- -- --- --- --- ---- конструкционных и технологических технологических и 2430 40 70 70 400 1850 материалов, обеспечивающих процессы конструкционных материалов и бессвинцовой и комбинированной базовой технологии защиты пайки, изготовления коммутационных электронных модулей от плат; воздействия в жестких условиях разработка влагозащитных эксплуатации электроизоляционных покрытий с минимальным газовыделением со сроком эксплуатации 25 и более лет; разработка быстроотверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов; разработка материалов и технологии их применения для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре; разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности; обеспечение разработки технологий: локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе наноструктурированными; вакуумно-плотной герметизации узлов и блоков со свободным внутренним объемом до 5-10 л методами пайки и сварки; изготовления вакуумно-плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы; формирования покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения; нанесения локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей

Итого по направлению 8 15630 345 525 510 2580 11670 ----- --- --- --- ---- ----- 10420 230 350 340 1720 7780

Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов

151. Разработка технологий создания2640 60 90 90 435 1965 создание технологий отечественного систем и оборудования ---- -- -- -- --- ---- программно-аппаратного обеспечения и автоматизации проектирования 1760 40 60 60 290 1310 средств разработки для радиоэлектронных систем и автоматизированного проектирования комплексов радиоэлектронного оборудования с использованием различных технологических процессов; повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции; создание технологий обеспечения информационной безопасности функционирования информационно-управляющих систем; существенное повышение уровней защиты информации в информационно-управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем; реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры

152. Разработкатехнологий 3120 90 120 105 525 2280 создание новых способов моделирования сложных ---- -- --- --- --- ---- моделирования: информационно-управляющих 2080 60 80 70 350 1520 комбинированного способа систем, в том числе систем моделирования, позволяющего реального времени существенным образом повысить быстродействие вычислений при сохранении точности расчета выходных показателей эффективности; способа операционно-динамического моделирования; снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции; повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов

153. Разработкатехнологий 2430 45 75 75 405 1830 создание метрологически полунатурных и стендовых ---- -- -- -- --- ---- аттестованной унифицированной испытаний сложных 1620 30 50 50 270 1220 стендовой испытательной базы для информационно-управляющих проведения научно-исследовательских систем и опытно-конструкторских работ; снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции; существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний

154. Разработкатехнологии 2265 45 75 75 375 1695 разработка базовых технологий, конструирования и ---- -- -- -- --- ---- элементов и конструкций для создания производства, а также 1510 30 50 50 250 1130 парка измерительных систем и аппаратно-программного приборов, необходимых для разработки обеспечения метрологических и испытаний радиотехнических систем различного назначения информационно-управляющих систем, для создания нового поколения систем связи и телекоммуникаций отечественного парка измерительной аппаратуры

Итого по направлению 9 10455 240 360 345 1740 7770 ----- --- --- --- ---- ---- 6970 160 240 230 1160 5180

Направление 10. Обеспечивающие работы
155. Разработкаорганизационных 93 6 10 7 10 60 разработка комплекта методической и принципов и научно-технической -- - -- - -- -- научно-технической документации для базы обеспечения 93 6 10 7 10 60 обеспечения функционирования систем проектирования и производства проектирования и производства электронной компонентной базы электронной компонентной базы в в соответствии с требованиями соответствии с требованиями Всемирной торговой организации Всемирной торговой организации

156. Создание иобеспечение 128 13 20 15 19 60 разработка новых и совершенствование функционирования системы --- -- -- -- -- -- существующих методов испытаний испытаний электронной 128 13 20 15 19 60 электронной компонентной базы, компонентной базы, разработка методов отбраковочных обеспечивающей поставку испытаний перспективной электронной изделий с гарантированной компонентной базы, обеспечение надежностью для комплектации поставки изделий с гарантированной систем специального и двойного надежностью для комплектации систем назначения специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения)

157. Разработка и совершенствование99 7 12 9 11 60 разработка и систематизация методов методов, обеспечивающих -- - -- - -- -- расчетно-экспериментальной оценки качество и надежность 99 7 12 9 11 60 показателей надежности электронной сложнофункциональной компонентной базы, разрешенной для электронной компонентной базы применения в аппаратуре, на этапах функционирующей в специальных опытно-конструкторских работ, условиях и с длительными сроками освоения и производства активного существования

158. Создание ивнедрение 94 7 10 7 10 60 разработка системы технологий основополагающих документов по -- - -- - -- -- обеспечения жизненного цикла изделия обеспечению жизненного цикла 94 7 10 7 10 60 при создании широкой номенклатуры изделия на этапах электронной компонентной базы проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы

159. Научноесопровождение 127 13 20 15 19 60 оптимизация состава выполняемых Программы, в том числе --- -- -- -- -- -- комплексов научно-исследовательских определение технологического и 127 13 20 15 19 60 и опытно-конструкторских работ по технического уровней развития развитию электронной компонентной отечественной и импортной базы в рамках Программы и электронной компонентной базы определение перспективных на основе их рубежных направлений создания новых классов технико-экономических электронной компонентной базы с показателей, разработка установлением системы "маршрутных карт" развития технико-экономических и рубежных групп электронной компонентной технологических показателей, базы разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы

160. Созданиеинтегрированной 98 7 12 9 10 60 проведение технико-экономической информационно-аналитической -- - -- - -- -- оптимизации выполнения комплексных автоматизированной системы по 98 7 12 9 10 60 годовых мероприятий подпрограммы, развитию электронной создание системы действенного компонентной базы, финансового и технического контроля охватывающей деятельность выполнения Программы заказчика-координатора, заказчика и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, с целью оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико-экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы

161. Определениеперспектив 93 7 10 8 8 60 формирование развития российской -- - -- - - -- системно-ориентированных материалов электронной компонентной базы 93 7 10 8 8 60 по экономике, технологиям на основе анализа динамики проектирования и производству сегментов мирового и электронной компонентной базы, отечественного рынков обобщение и анализ мирового опыта радиоэлектронной продукции и для выработки технически и действующей экономически обоснованных решений производственно- развития электронной компонентной технологической базы базы

162. Системный анализрезультатов 68 8 11 8 7 35 создание отраслевой системы учета и выполнения комплекса -- -- -- - - -- планирования развития разработки, мероприятий Программы на 68 8 11 8 7 35 производства и применения основе создания отраслевой электронной компонентной базы системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико-экономическим показателям

Всего по направлению 10 800 68 105 78 94 455 --- -- --- -- -- --- 800 68 105 78 94 455

Итого по разделу I 99000 5970 7200 7650 15000 63180 ----- ---- ---- ---- ----- ----- 66000 3980 4800 5100 10000 42120

II. Капитальные вложения
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ПРОМЫШЛЕННОСТИ (РОСПРОМ)
1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
163. Реконструкция итехническое 1393 630 383 380 создание перевооружение производства ----- --- ----- --- производственно-технологического сверхвысокочастотной техники 696,5 315 191,5 190 комплекса по выпуску твердотельных федерального государственного сверхвысокочастотных субмодулей унитарного предприятия мощностью 100 тыс. штук в год "Научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино

164. Реконструкция итехническое 1161 220 341 180 420 создание производственной перевооружение федерального ----- --- ----- --- --- технологической линии по выпуску государственного унитарного 580,5 110 170,5 90 210 сверхвысокочастотных приборов и предприятия модулей на широкозонных "Научно-производственное полупроводниках предприятие "Пульсар", г. Москва

165. Реконструкция итехническое 280 100 180 расширение мощностей по производству перевооружение федерального ---- --- --- активных элементов и государственного унитарного 140* 50 90 сверхвысокочастотных монолитных предприятия интегральных схем с повышенной "Научно-производственное радиационной стойкостью с 15 до 35 предприятие "Салют", г. Нижний тыс. штук в год** Новгород

166. Реконструкция итехническое 280 100 180 ввод новых мощностей по производству перевооружение федерального ---- --- --- новейших образцов ламп бегущей волны государственного унитарного 140* 50 90 и других сверхвысокочастотных предприятия приборов, в том числе в "Научно-производственное миллиметровом диапазоне** предприятие "Алмаз", г. Саратов

167. Реконструкция итехническое 400 210 190 реконструкция производственной линии перевооружение федерального ---- --- --- по выпуску новых сверхмощных государственного унитарного 200* 105 95 сверхвысокочастотных приборов с предприятия повышенным уровнем технических "Научно-производственное параметров, надежности и предприятие "Торий", г. Москва долговечности**

168. Техническоеперевооружение 120 60 60 реконструкция производственной линии федерального государственного ---- --- --- для выпуска новых изделий унитарного предприятия 60* 30 30 радиационно стойкой электронной "Новосибирский завод компонентной базы, необходимой для полупроводниковых приборов с организаций Росатома и Роскосмоса** ОКБ", г. Новосибирск

169. Техническоеперевооружение 180 100 80 создание производственных мощностей федерального государственного ---- --- --- по выпуску радиационно стойкой унитарного предприятия 90* 50 40 электронной компонентной базы в "Научно-производственное количестве 80-100 тыс. штук в год предприятие "Восток", для комплектования важнейших г. Новосибирск специальных систем**

170. Техническоеперевооружение 1520 1520 техническое перевооружение завода открытого акционерного ---- ---- для выпуска сверхбольших общества "НИИ молекулярной 760* 760 интегральных схем с топологическими электроники и завод "Микрон", нормами 0,18 мкм** г. Москва

171. Техническоеперевооружение 240 120 120 организация участка прецизионной федерального государственного ---- --- --- оптической и механической обработки унитарного предприятия 120* 60 60 деталей для лазерных излучателей, "Научно-исследовательский твердотельных лазеров и бескарданных институт "Полюс" им. лазерных гироскопов нового М.Ф.Стельмаха", г. Москва поколения**

172. Техническоеперевооружение 420 420 создание новых производственных открытого акционерного ---- ---- мощностей для выпуска общества "Светлана", 210* 210 микроэлектронных датчиков физических г. Санкт-Петербург величин и электронных датчиков для экспресс-контроля параметров крови и жизнедеятельности человека**

173. Реконструкция итехническое 300 300 Обеспечение потребности в базовых перевооружение ---- --- несущих конструкциях, в том числе централизованного производства 150* 150 импортозамещающих, предприятий базовых несущих конструкций на приборостроения, машиностроения, федеральном государственном судостроения и других отраслей унитарном предприятии промышленности** "Производственное объединение "Квант", г. Великий Новгород

174. Техническоеперевооружение 120 120 техническое перевооружение федерального государственного ---- --- действующего производства унитарного предприятия 60* 60 электронной компонентной базы и "Научно-исследовательский микросистемотехники для создания институт электронно- новых рядов конкурентоспособных механических приборов", изделий электронной техники** г. Пенза

175. Техническоеперевооружение 60 60 техническое перевооружение федерального государственного --- -- действующих производственных унитарного предприятия 30* 30 мощностей по выпуску сверхбольших "Научно-исследовательский интегральных схем и мощных институт электронной техники", сверхвысокочастотных транзисторов с г. Воронеж объемом выпуска сверхбольших интегральных схем 50 тыс. штук в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс. штук в год**

176. Техническоеперевооружение 100 50 50 техническое перевооружение федерального государственного ---- --- --- производства новых электронных унитарного предприятия 50* 25 25 материалов, используемых в "Научно-исследовательский микросистемотехнике, институт электронных микроэлектронике и квантовой материалов", г. Владикавказ электронике**

177. Техническоеперевооружение 200 60 140 создание новых производственных федерального государственного ---- --- --- мощностей по выпуску оптоволоконных унитарного предприятия 100* 30 70 соединителей изделий микромеханики** "Производственное объединение "Октябрь", г. Каменск- Уральский, Свердловская область

178. Техническоеперевооружение 200 100 100 создание спецтехнологической линии, открытого акционерного ---- --- --- включающей чистые производственные общества "Авангард", 100* 50 50 помещения и технологическое г. Санкт-Петербург оборудование для выпуска современных микроэлектромеханических и микроакустоэлектромеханических систем мирового класса**

179. Техническоеперевооружение 160 160 организация серийного производства федерального государственного ---- ---- параметрических рядов мембранных унитарного предприятия 80* 80* датчиков (10 млн. штук в год) и "Научно-исследовательский чувствительных элементов для институт физических проблем сканирующей зондовой микроскопии имени Ф.В.Лукина", г. Москва (0,3 млн. штук в год)**

180. Реконструкция итехническое 840 120 60 660 расширение производства перевооружение производства ---- --- -- ---- перспективных тонкостенных перспективных тонкостенных 420* 60 30 330 антенно-фидерных устройств и антенно-фидерных устройств и волноводных трактов волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона, сверхвысокочастотного увеличение выпуска в 1,5 раза** диапазона в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область

181. Техническое перевооружениеи 1000 1000 увеличение объемов производства реконструкция технологической ---- ---- модулей для обработки и передачи и лабораторной базы 500* 500 сигналов радиолокационных, производства и контроля навигационных и посадочных систем до перспективных радиоэлектронных 250 штук в год, рост объемов модулей в открытом акционерном производства на 500-750 млн. обществе "Челябинский рублей** радиозавод "Полет", г. Челябинск

182. Техническое перевооружениеи 1800 1800 повышение эффективности, надежности реконструкция производства и ---- ---- и конкурентоспособности лабораторной базы для 900* 900 отечественных радиоэлектронных разработки и производства модулей, изделий, комплексов и перспективных радиоэлектронных систем открытого акционерного модулей, изделий в открытом общества "Концерн радиостроения акционерном обществе "Концерн "Вега"** радиостроения "Вега", г. Москва

183. Техническое перевооружениеи 1200 1200 повышение надежности и качества реконструкция производственно- ---- ---- конечной продукции открытого технологической, контрольно- 600* 600 акционерного общества "Концерн испытательной базы нового радиостроения "Вега", создание поколения антенных систем конкурентоспособных изделий мирового дистанционного зондирования уровня, увеличение годового объема Земли в открытом акционерном производства до 6 систем в год** обществе "Научно- исследовательский институт "Кулон", г. Москва

184. Техническое перевооружение для350 100 110 140 создание комплексного испытательного создания производства нового ---- --- --- --- стенда для исследования образцов поколения радиоэлектронных 175* 50 55 70 техники** модулей в открытом акционерном обществе "Научно- производственное предприятие "Рубин", г. Пенза

185. Техническое перевооружениеи 400 60 60 280 производство систем радиочастотной реконструкция производственно- ---- -- -- ---- идентификации до 10 тыс. штук в технологической, контрольно- 200* 30 30 140 год** испытательной базы в открытом акционерном обществе "Инженерно-маркетинговый центр Концерна радиостроения "Вега", г. Москва

186. Техническое перевооружениеи 1000 1000 обеспечение производства реконструкция мощностей для ---- ---- микропроцессорных систем управления производства микропроцессорных 500* 500 и контроля гибридных двигательных систем управления и контроля установок различного класса в объеме гибридных двигательных до 1000 штук в месяц** установок различного класса в открытом акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область

187. Реконструкция итехническое 1720 1720 изготовление прецизионных лазерных и перевооружение в целях ---- ---- пьезокерамических гироскопов для создания специализированного 860* 860 перспективных летательных производства прецизионных аппаратов** лазерных и пьезокерамических гироскопов в открытом акционерном обществе "Ижевский электромеханический завод "Купол", г. Ижевск, Удмуртская Республика

188. Техническое перевооружениеи 1220 1220 изготовление унифицированных реконструкция ---- ---- твердотельных низкочастотных типовых специализированного 610* 610 элементов замены для информационных производства унифицированных средств и модулей активных низкочастотных типовых фазированных антенных решеток для элементов замены и модулей локационных систем различного активных фазированных антенных применения, перспективных средств решеток в открытом акционерном связи и управления воздушным обществе "Марийский движением** машиностроительный завод", г. Йошкар-Ола

189. Реконструкция итехническое 720 720 организация производства и внедрение перевооружение производства ---- ---- современной технологии с унифицированных электронных 360* 360 соответствующим переоснащением модулей межвидового применения высокопроизводительным на федеральном государственном оборудованием, увеличение объема унитарном предприятии ежегодного производства продукции с "Нижегородский научно- 2370 млн. рублей в 2007 году до 5028 исследовательский институт млн. рублей в 2015 году** радиотехники", г. Нижний Новгород

190. Техническое перевооружениеи 970 110 60 70 730 увеличение объемов производства, реконструкция ---- --- -- -- ---- повышение качества и надежности специализированного 485* 55 30 35 365 твердотельных передающих и приемных производства твердотельных систем, приемопередающих модулей передающих и приемных систем, активных фазированных антенных приемопередающих модулей решеток L-диапазона для активных фазированных антенных перспективных средств связи и решеток в открытом акционерном управления воздушным движением** обществе "Научно-производственное объединение "Правдинский радиозавод", г. Балахна, Нижегородская область

191. Техническое перевооружение и1230 1230 увеличение объемов производства, реконструкция ---- ---- повышение качества и надежности специализированного 615* 615 твердотельных передающих и приемных производства твердотельных систем, приемопередающих модулей передающих и приемных систем, активных фазированных антенных приемопередающих модулей решеток С- и S-диапазонов волн, для активных фазированных антенных перспективных средств связи и решеток в открытом акционерном управления воздушным движением** обществе "Научно-производственное объединение "Лианозовский электромеханический завод", г. Москва

192. Техническое перевооружениеи 450 100 160 190 изготовление приемопередающих реконструкция ---- --- --- --- модулей активных фазированных специализированного 225* 50 80 95 антенных решеток С- и производства приемопередающих сверхвысокочастотного диапазона волн модулей активных фазированных для информационных средств и антенных решеток в открытом информационно-управляющих систем, акционерном обществе увеличение объема производства в 1,8 "Новосибирский завод им. раза** Коминтерна", г. Новосибирск

193. Техническое перевооружениеи 800 800 изготовление унифицированных реконструкция ---- ---- твердотельных высокочастотных специализированного 400* 400 типовых элементов замены для производства унифицированных локационных систем различного высокочастотных типовых применения, перспективных средств элементов замены в открытом связи и управления воздушным акционерном обществе движением, увеличение объема "Рязанский завод "Красное производства типовых элементов Знамя", г. Рязань замены в 1,5 раза**

194. Техническое перевооружениеи 960 960 увеличение выпуска унифицированных реконструкция ---- ---- автоматизированных рабочих мест специализированного 480* 480 операторов информационных и производства унифицированных специального назначения управляющих рабочих мест операторов систем в 1,7 раза** информационных систем в открытом акционерном обществе "Уральское производственное предприятие "Вектор", г. Екатеринбург

195. Реконструкция итехническое 960 960 внедрение современных технологий с перевооружение для создания ---- ---- соответствующим переоснащением регионального контрактного 480* 480 высокопроизводительным оборудованием производства унифицированных для организации контрактного электронных модулей в открытом производства** акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж

196. Созданиелабораторной, 2060 2060 создание конкурентоспособной технологической и ---- ---- продукции мирового уровня, освоение производственной базы для 1030* 1030 технологий двойного назначения, обеспечения разработки, увеличение объема выпуска изделий до производства и испытаний 2 - 2,5 млрд. рублей в год** нового поколения телекоммуникационных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж

197. Реконструкция итехническое 160 40 40 80 увеличение объема выпуска продукции перевооружение производства ---- --- --- --- в 1,4 - 1,5 раза, повышение качества перспективной наземной 80* 20 20 40 и конкурентоспособности продукции** аппаратуры связи в открытом акционерном обществе "Рязанский радиозавод", г. Рязань

198. Реконструкция итехническое 490 50 60 380 увеличение объема выпуска продукции перевооружение производства ---- -- -- ---- в 1,3 - 1,5 раза, повышение качества перспективных коротковолновых 245* 25 30 190 и конкурентоспособности продукции** радиостанций в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Октябрь", г. Тамбов

199. Реконструкция итехническое 350 350 модернизация производства и перевооружение производства ---- ---- внедрение современной технологии с наземной аппаратуры подвижной 175* 175 соответствующим переоснащением связи в открытом акционерном высокопроизводительным обществе "Тамбовский завод оборудованием** "Революционный труд", г. Тамбов

200. Техническое перевооружение и600 90 50 60 400 ускорение и повышение качества реконструкция производственно- ---- -- -- -- ---- разработки мультисервисных сетей технологической и лабораторно- 300* 45 25 30 200 ведомственной и профессиональной испытательной базы в открытом связи, ожидаемый экономический акционерном обществе эффект 3 млрд. рублей** "Воронежский научно- исследовательский институт "Вега", г. Воронеж

201. Техническое перевооружениеи 220 60 80 80 ускорение и повышение качества реконструкция лабораторной и ---- -- --- --- разработки перспективных программно производственно-технологичес- 110* 30 40 40 реализуемых сетей радиосвязи и серии кой базы нового поколения унифицированных электронных модулей узлов связи в открытом для построения указанных сетей** акционерном обществе "Тамбовский научно- исследовательский институт радиотехники "Эфир", г. Тамбов

202. Техническоеперевооружение 1520 1520 серийное производство производства открытого ---- ---- монокристаллических и акционерного общества 760* 760 мультикристаллических пластин "Богородицкий завод кремния; производство детекторов на технохимических изделий", основе новых высокотемпературных г. Богородицк, Тульская кристаллов сцинтилляторов** область

203. Созданиесерийного 1120 1120 серийное производство инфракрасных производства инфракрасных ---- ---- оптоэлектронных компонентов и оптоэлектронных компонентов в 560* 560 комплекса электронных средств для открытом акционерном обществе обеспечения безопасности "РЭ Комплексные системы", промышленных объектов** г. Санкт-Петербург

204. Техническое перевооружениес 320 100 100 120 увеличение объемов производства в целью создания производства ---- --- --- --- 1,5 раза** новых электровакуумных 160* 50 50 60 приборов на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие "Контакт", г. Саратов

205. Техническое перевооружениеи 300 100 100 100 обеспечение увеличения объема реконструкция производства по ---- --- --- --- выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. выпуску электровакуумных 150* 50 50 50 рублей в год, увеличения ресурса приборов сверхвысокочастотного изделий, создания новых приборов** диапазона и специального технологического оборудования в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод", г. Москва

206. Техническое перевооружение для800 800 создание сборочного производства с создания сборочного ---- ---- использованием микроминиатюрной производства электронных 400* 400 элементной базы, в том числе модулей с использованием микропроцессоров и матриц BGA** новейшей электронной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Электромеханический завод "Звезда", г. Сергиев Посад, Московская область

207. Реконструкция итехническое 420 420 увеличение объема выпуска продукции перевооружение с целью ---- ---- до 520 млн. рублей в год** создания контрактного 210* 210 производства электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга

208. Техническое перевооружениеи 302 302 внедрение современных технологий, реконструкция производства и ---- ---- создание комплекса для проведения приборно-измерительной базы на 151* 151 контроля технологических параметров федеральном государственном и испытаний. Увеличение объема унитарном предприятии выпуска продукции в 1,5 раза** "Таганрогский научно- исследовательский институт связи", г. Таганрог

209. Техническое перевооружениеи 480 480 производство наногетероструктурных реконструкция пилотной ---- ---- сверхвысокочастотных транзисторов и технологической линии по 240* 240 монолитных интегральных схем для изготовлению систем связи, измерительной техники, наногетероструктурных радиолокации и сверхвысокочастотной сверхвысокочастотных радиометрии** транзисторов и монолитных интегральных схем для систем связи, измерительной техники, радиолокации и сверхвысокочастотной радиометрии на федеральном государственном унитарном предприятии "Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской Академии наук", г. Москва

210. Техническое перевооружениеи 300 300 производство полного функционального реконструкция производства ---- ---- ряда массовых отечественных испытательной базы нового 150* 150 микроминиатюрных пьезоэлектрических поколения пьезоэлектрических генераторов, фильтров, резонаторов. генераторов, фильтров, Увеличение объема выпуска продукции резонаторов в открытом до 230-250 млн. рублей в год** акционерном обществе "Завод "Метеор", г. Волжский, Волгоградская область

211. Реконструкция итехническое 400 400 расширение производственных площадей перевооружение научно- ---- ---- выпуска приемопередающих модулей на производственной и 200* 200 720 кв. м** лабораторной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени федеральный научно- производственный центр по радиоэлектронным системам и информационным технологиям имени В.И.Шимко", г. Казань

212. Техническое перевооружениес 400 400 организация контрактной сборки целью создания контрактного ---- ---- массовой продукции, увеличение производства унифицированных 200* 200 объема производства контрактной электронных модулей на продукции в 1,8 раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский завод имени М.В.Фрунзе", г. Нижний Новгород

213. Техническое перевооружениес 300 120 180 организация контрактной сборки целью создания контрактного ---- --- --- массовой продукции, увеличение производства унифицированных 150* 60 90 объема производства контрактной электронных модулей на продукции в 2,5 раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Омское производственное объединение "Иртыш", г. Омск

214. Техническое перевооружениес 300 300 организация контрактной сборки целью создания контрактного ---- ---- массовой продукции, увеличение производства унифицированных 150* 150 объема производства контрактной электронных модулей в открытом продукции в 1,5 раза** акционерном обществе "Авангард", г. Санкт-Петербург

215. Техническое перевооружениес 1000 1000 обеспечение изготовления печатных целью создания контрактного ---- ---- плат с новыми финишными покрытиями производства по изготовлению 500* 500 до 20 000 кв. м в год; печатных плат выше 5-го класса обеспечение изготовления точности и унифицированных унифицированных электронных модулей электронных модулей на на печатных платах в количестве до федеральном государственном 400 тыс. штук в год** унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение "Электроприбор", г. Пенза

216. Техническое перевооружениеи 600 600 внедрение современной технологии с реконструкция производства ---- ---- соответствующим переоснащением электронных 300* 300 высокопроизводительным сверхвысокочастотных модулей оборудованием. Увеличение объема на федеральном государственном выпуска продукции в 1,5 раза** унитарном предприятии "Нижегородский научно- исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород

217. Техническое перевооружениеи 510 510 обеспечение разработки, производства реконструкция производства ---- ---- и аттестации средств комплексов и систем, комплексов и средств, 255* 255 систем защиты информации. Увеличение защиты информации на объема выпуска продукции до 0,8 - федеральном государственном 1,2 млрд. рублей** унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва

218. Техническое перевооружениеи 300 300 обеспечение потребности организаций реконструкция регионального ---- ---- в базовых несущих конструкциях для производства базовых несущих 150* 150 всех видов радиоэлектронной конструкций (БНК) на аппаратуры. Увеличение объема федеральном государственном выпуска продукции в 2 раза** унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт "Градиент", г. Ростов-на-Дону

219. Реконструкция итехническое 360 360 обеспечение разработки, производства перевооружение ---- ---- и аттестации комплексов средств производственно-технологичес- 180* 180 автоматизации информационно- кой и лабораторно- управляющих систем. Увеличение испытательной базы для объема выпуска продукции до 0,52 создания комплексов средств млрд. рублей** автоматизации информационно- управляющих систем на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва

220. Техническое перевооружениес 300 300 организация контрактной сборки целью создания контрактного ---- ---- массовой продукции, увеличение производства унифицированных 150* 150 объема производства контрактной электронных модулей на продукции в 1,8 раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Калугаприбор", г. Калуга

221. Техническое перевооружениес 300 300 организация контрактной сборки целью создания контрактного ---- ---- массовой продукции, увеличение производства унифицированных 150* 150 объема производства контрактной электронных модулей на продукции в 1,7 раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Ростовский-на-Дону научно- исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону

222. Техническое перевооружениес 300 300 организация контрактной сборки целью создания контрактного ---- ---- массовой продукции, увеличение производства унифицированных 150* 150 объема производства контрактной электронных модулей на продукции в 2,5 раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва

223. Техническое перевооружениес 300 300 организация контрактной сборки целью создания контрактного ---- ---- массовой продукции, увеличение производства унифицированных 150* 150 объема производства контрактной электронных модулей на продукции в 2,5 раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Курский завод "Маяк", г. Курск

224. Техническое перевооружениес 400 400 организация контрактной сборки целью создания контрактного ---- ---- массовой продукции, увеличение производства унифицированных 200* 200 объема производства контрактной электронных модулей на продукции в 1,8 раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Полюс" имени М.Ф.Стельмаха", г. Москва

225. Техническое перевооружениес 300 300 организация контрактной сборки целью создания контрактного ---- ---- массовой продукции, увеличение производства унифицированных 150* 150 объема производства контрактной электронных модулей на продукции в 1,7 раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург

226. Техническое перевооружениес 240 240 увеличение объема производства в 1,5 целью создания мощностей по ---- ---- раза** выпуску источников вторичного 120* 120 электропитания в открытом акционерном обществе "Специальное конструкторско- технологическое бюро по релейной технике", г. Великий Новгород

227. Реконструкция итехническое 400 400 увеличение объема производства перевооружение производства и ---- ---- радиоэлектронных изделий на 170 млн. испытательной базы 200* 200 рублей** широкополосных сверхвысоко- частотных устройств на федеральном государственном унитарном предприятии "Брянский электромеханический завод", г. Брянск

228. Техническое перевооружение и100 100 увеличение объема выпуска продукции реконструкция производственно- ---- ---- на 100 млн. рублей, освоение испытательных мощностей на 50* 50 серийного производства изделий федеральном государственном "Орион-3М", "Орион-3СМ", "Анализ", унитарном предприятии "Страж-ПМ" и других** "Государственное конструкторское бюро аппаратно-программных средств "Связь", г. Ростов-на-Дону

229. Техническое перевооружениеи 800 800 увеличение объема выпуска продукции реконструкция научно- ---- ---- до 1,5 - 2 млрд. рублей в год, технического и 400* 400 снижение себестоимости продукции** производственного комплексов по выпуску электровакуумных приборов сверхвысокочастотного диапазона на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие "Торий", г. Москва

230. Техническое перевооружениеи 300 200 100 увеличение объема выпуска продукции реконструкция регионального ---- --- --- в 2 раза** производства базовых несущих 150* 100 50 конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие "Полет", г. Нижний Новгород

231. Техническое перевооружениеи 480 480 организация производства базисных реконструкция производства, ---- ---- материалов и элементов для метрологической и стендовой 240* 240 разработки приборов и устройств базы для наноструктурированных контроля сверхмалых количеств материалов, слоистых структур химических и биологических веществ с и композитов на их основе в использованием наноструктурированных открытом акционерном обществе материалов, слоистых структур и "Центральный научно- композитов на их основе** исследовательский технологический институт "Техномаш", г. Москва

232. Реконструкция итехническое 400 400 увеличение объема производства перевооружение испытательного ---- ---- изделий до 1,9 млн. штук и 650 млн. центра для обеспечения 200* 200 рублей** комплекса работ по корпусированию и испытаниям сложнофункциональных интегральных схем в открытом акционерном обществе "Российский научно- исследовательский институт "Электронстандарт", г. Санкт-Петербург

233. Реконструкция итехническое 700 700 увеличение объема выпуска продукции перевооружение технологической ---- ---- на 2 млрд. рублей** линии по производству 350* 350 прецизионных многослойных печатных плат на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский приборостроительный ордена Трудового Красного Знамени завод им. Н.Г.Козицкого", г. Омск

234. Реконструкция итехническое 806 220 176 190 220 создание конкурентоспособных изделий перевооружение ---- --- --- --- --- мирового уровня. Разработка производственно-технологичес- 403* 110 88 95 110 технологий двойного назначения. кой и лабораторно- Увеличение объема производства в 1,5 испытательной базы на раза** федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Экран", г. Самара

235. Реконструкция итехническое 720 720 создание комплексов перевооружение ---- ---- конкурентоспособной аппаратуры производственно-технологичес- 360* 360 специальной радиосвязи и управления. кой и лабораторной базы для Увеличение объема выпуска продукции комплексов специальной в 1,5 раза** радиосвязи и управления на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск

236. Реконструкция итехническое 280 280 повышение конкурентоспособности, перевооружение моделирующего ---- ---- снижение сроков разработки на 4-5 центра в открытом акционерном 140* 140 месяцев. обществе "Научно- Создание поведенческих моделей исследовательский институт систем реального времени, вычислительных комплексов им. использование систем поддержки М.А.Карцева", г. Москва принятия решений, проведение и анализ полунатурных испытаний, отработка алгоритмов искусственного интеллекта. Сокращение сроков испытания в 1,5 - 2 раза. Применение CALS-технологий с целью сокращения затрат и поддержки жизненного цикла разрабатываемых систем**

237. Техническое перевооружениеи 560 560 увеличение объема выпуска продукции реконструкция ---- ---- до 421,5 млн. рублей** производственно-технологичес- 280* 280 кой и лабораторно- испытательной базы по созданию модернизированной системы идентификации на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза

238. Техническое перевооружениеи 600 600 создание метрологической, реконструкция метрологической, ---- ---- испытательной базы для разработки и испытательной базы и 300* 300 производства контрольно- производства оптических измерительной аппаратуры изделий на федеральном миллиметрового диапазона длин волн. государственном унитарном Увеличение объема производства предприятии "Нижегородский квантовых рубидиевых стандартов научно-исследовательский частоты в 3 раза** приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород

239. Техническое перевооружениеи 180 180 создание сверхширокополосных реконструкция стендовой и ---- ---- измерительных комплексов для испытательной базы сложных 90* 90 измерения параметров одиночных радиоэлектронных систем и антенн и линейных, плоских и комплексов в открытом объемных решеток систем навигации, акционерном обществе посадки и радиолокации в ближней и "Производственное объединение дальней зонах (до 1000 м) и "Азимут", г. Махачкала модернизация существующей в организации испытательной базы для проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ**

240. Реконструкция итехническое 570 70 500 увеличение объема выпуска продукции перевооружение ---- -- ---- до 3 - 3,5 млрд. рублей в год** производственно-технологичес- 285* 35 250 кой и лабораторно- испытательной базы в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", г. Томск

241. Техническое перевооружениеи 1160 60 1100 увеличение объема производства реконструкция производства ---- -- ---- монолитно-интегральных и сверхвысокочастотной техники 580* 30 550 гибридно-монолитных приборов и на федеральном государственном электронных компонентов (в том числе унитарном предприятии импортозамещающих) до 250 тыс. штук "Научно-производственное в год, электровакуумных и предприятие "Салют", г. Нижний вакуумно-твердотельных модулей (в Новгород том числе на основе микроминиатюрных ламп бегущей волны) до 1 тыс. штук в год, унифицированных приемопередающих модулей (в диапазоне частот 20-150 ГГц) до 1,5 тыс. штук в год**

242. Реконструкция итехническое 224 224 увеличение объема выпуска продукции перевооружение для выпуска ---- ---- до 761,5 млн. рублей в год. Серийный теплоотводящих керамических 112* 112 выпуск электронных компонентов, подложек для твердотельных керамических подложек, керамических сверхвысокочастотных устройств корпусов, обеспечивающих увеличение и IGBT-модулей в открытом объемов производства в различных акционерном обществе отраслях промышленности, "Холдинговая компания сверхвысокочастотной техники и "Новосибирский силовой полупроводниковой электровакуумный завод - электроники** Союз", г. Новосибирск

243. Техническое перевооружениеи 640 640 реконструкция опытного производства реконструкция опытного ---- ---- с учетом реализации новых технологий приборного производства в 320* 320 по изготовлению интегральных сборок, открытом акционерном обществе датчиков на пьезопленках и других** "Концерн "Океанприбор", г. Санкт-Петербург

244. Реконструкция итехническое 832 140 692 комплексное дооснащение базовых перевооружение организации для ---- --- ---- технологий производства электронных совершенствования судовой 416* 70 346 средств вычислительной техники с электротехнической продукции в целью импортозамещения и повышения открытом акционерном обществе конкурентоспособности; "Научно-производственное создание экспериментально- объединение "Марс", лабораторного комплекса для г. Ульяновск проведения контроля технологических параметров и испытаний**

245. Реконструкция итехническое 240 240 техническое перевооружение перевооружение опытно- ---- ---- обеспечит: экспериментального 120* 120 внедрение современных технологий производства модулей производства модулей функциональной функциональной микроэлектроники; микроэлектроники в открытом рост объема производства акционерном обществе "Концерн функциональных модулей в 2 - 2,5 "Гранит-Электрон", раза; г. Санкт-Петербург расширение номенклатуры без существенных затрат на подготовку производства; промышленное освоение технологий влагозащиты и электроизоляции модулей**

246. Созданиепроизводственного 1100 1100 создание участков по производству комплекса для массового ---- ---- кремниевых датчиков, многослойных производства компонентов 550* 550 плат, сборке и корпусированию инерциальных микромеханических инерциальных микромеханических датчиков двойного назначения изделий** на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно- исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург

247. Реконструкцияинженерно- 620 100 520 внедрение современных базовых испытательного корпуса в ---- --- ---- технологий производства электронных открытом акционерном обществе 310* 50 260 модулей цифровой и цифроаналоговой "Концерн "Гранит-Электрон", вычислительной техники; г. Санкт-Петербург обеспечение разработки и производства базовых унифицированных электронных модулей. Увеличение объема поставок до 10000 штук**

248. Техническоеперевооружение 460 160 300 создание новой оптической элементной производственно-технологичес- ---- --- ---- базы перспективных кого комплекса по созданию 230* 80 150 оптико-электронных систем, оптико-электронной обеспечивающей предельно возможные компонентной базы на технические параметры систем, в том федеральном государственном числе комплексированных и унитарном предприятии многоспектральных оптических "Научно-производственное каналов** объединение "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань

249. Реконструкция производственно-640 640 разработка, испытания, опытные испытательного комплекса ---- ---- поставки и серийное производство федерального государственного 320* 320 новых видов оптико-электронных унитарного предприятия систем, обеспечивающих предельно "Научно-производственная возможные технические параметры корпорация "Государственный изделий** оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург

250. Реконструкция корпуса 2Ж для700 700 создание единого аналитического создания лабораторно- ---- ---- центра по исследованиям и аналитического центра 350* 350 сертификации важнейших материалов и инфракрасной фото- и компонентов инфракрасной оптоэлектроники на федеральном фотоэлектроники** государственном унитарном предприятии "НПО "Орион", г. Москва

251. Техническоеперевооружение 3720 3720 создание производственно- производственно-технологичес- ---- ---- технологического комплекса, который кого комплекса по созданию 1860* 1860 обеспечит промышленный выпуск оптоэлектронной компонентной изделий компонентной базы 2-го и базы на федеральном 3-го поколений и оптико-электронных государственном унитарном систем на их основе с параметрами, предприятии "НПО "Орион", превышающими современный и г. Москва прогнозируемый мировой уровень**

252. Техническоеперевооружение 600 600 создание инфракрасных матричных производственно-технологичес- ---- ---- фотоприемных устройств нового кой базы в открытом 300* 300 поколения и организация на их основе акционерном обществе производства тепловизионной "Московский завод "Сапфир", аппаратуры широкого применения** г. Москва

253. Модернизациястендово- 420 140 280 обеспечение возможности проведения экспериментальной базы на ---- --- ---- испытаний опытных образцов федеральном государственном 210* 70 140 источников электроэнергии, унитарном предприятии статических преобразователей и "Научно-исследовательский аппаратуры защиты и коммутации для институт авиационного проекта "полностью электрический оборудования", г. Жуковский, самолет"** Московская область

254. Техническоеперевооружение 520 520 изготовление конкурентоспособных производственной базы, ---- ---- изделий авиационной техники, освоение инновационных 260* 260 соответствующих современным и технологий для изготовления перспективным международным радиоэлектронных изделий стандартам** авиационной техники с использованием новых уровней технологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт авиационного оборудования", г. Жуковский, Московская область

255. Реконструкция итехническое 376 100 276 создание производственных мощностей перевооружение ---- --- ---- по производству современной экспериментально-технологичес- 188* 50 138 микроэлектронной аппаратуры** кой базы для производства микроэлектронных изделий на федеральном государственном унитарном предприятии "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань

256. Реконструкция итехническое 230 230 производство конкурентоспособной перевооружение цеха по ---- ---- продукции, обладающей современными производству первичных 115* 115 показателями по надежности, преобразователей и вторичной быстродействию и массогабаритным аппаратуры на федеральном характеристикам** государственном унитарном предприятии "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань

257. Реконструкция итехническое 458 160 298 серийное производство широкой перевооружение производства ---- --- ---- номенклатуры статических электронных систем самолетного 229* 80 149 преобразователей напряжения энергоснабжения в открытом авиационных перспективных объектов акционерном обществе (проект "полностью электрический "Агрегатное конструкторское самолет", истребитель 5-го бюро "Якорь", г. Москва поколения, программа развития гражданской авиационной техники)**

258. Создание электронного полигона1070 1070 полигон позволит проводить работы с по исследованиям, отработке и ---- ---- радиоэлектронной аппаратурой в сертификации бортового 535* 535 условиях реального полета с учетом авиационного радиоэлектронного информационного взаимодействия с оборудования на федеральном наземными и самолетными системами государственном унитарном обеспечения воздушного движения в предприятии реальных условиях естественных и "Летно-испытательный институт промышленных помех** имени М.М.Громова", г. Жуковский, Московская область

259. Создание центрасертификации 400 400 создание новой позиции для аппаратных средств бортовой ---- ---- проведения сертификации аппаратных вычислительной техники на 200* 200 модулей бортовой вычислительной федеральном государственном техники, включающей: унитарном предприятии аппаратное и программное оснащение "Государственный научно- центра сертификации; исследовательский институт создание и освоение базовых авиационных систем", г. Москва инженерных методик проведения сертификации; акты ввода в эксплуатацию центра сертификации**

260. Созданиераспределенной 500 500 создание распределенной отраслевой стендово- ---- ---- информационно-связанной сети имитационной среды 250* 250 стендов, на которой будут исследований, отработки проводиться исследования архитектур прикладного математического и информационных потоков, обеспечения, отладки и соответствующих различным условиям испытаний систем и комплексов полета, интерфейсов, отработка авиационного бортового системного и функционального радиоэлектронного оборудования математического обеспечения, отладка на федеральном государственном прикладного математического унитарном предприятии обеспечения и радиоэлектронной "Государственный научно- бортовой аппаратуры, наземные исследовательский институт сертификационные испытания авиационных систем", г. Москва радиоэлектронных систем и комплексов**

261. Техническоеперевооружение 1040 1040 освоение: производства в открытом ---- ---- базовой конструкции акционерном обществе "Научно- 520* 520 фоточувствительных приборов с производственный комплекс матричными приемниками высокого "Технокомплекс", г. Раменское, разрешения для видимого и ближнего Московская область инфракрасного диапазона на основе применения отечественной электронной компонентной базы; технологии создания фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона на основе применения отечественной электронной компонентной базы**

262. Техническоеперевооружение 296 296 ввод в эксплуатацию производственных участков монтажа электронных ---- ---- линий с высокой степенью систем и электронно-оптических 148* 148 автоматизации производства модулей на федеральном современной авиационной государственном унитарном радиоэлектронной и предприятии оптико-электронной аппаратуры для Санкт-Петербургское особое коммерческой и военной авиации** конструкторское бюро "Электроавтоматика", г. Санкт-Петербург

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

263. Реконструкция итехническое 160 60 100 создание межотраслевого базового перевооружение федерального ---- --- --- центра системного проектирования государственного унитарного 80* 30 50 площадью 800 кв. м** предприятия "Научно- исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс", г. Москва, для создания межотраслевого центра проектирования

264. Реконструкция итехническое 120 120 создание базового центра системного перевооружение открытого ---- --- проектирования производительностью акционерного общества 60* 60 40 аппаратно-программных комплексов "Информационные в год** телекоммуникационные технологии", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра полного цикла проектирования и производства аппаратно- программных комплексов

265. Реконструкция итехническое 120 120 создание базового центра системного перевооружение открытого ---- --- проектирования площадью 500 кв. м** акционерного общества 60* 60 "Московский научно- исследовательский институт "Агат", г. Жуковский, Московская область, для создания базового центра проектирования

266. Реконструкция итехническое 80 30 50 создание базового центра системного перевооружение открытого ---- --- --- проектирования площадью 400 кв. м** акционерного общества 40* 15 25 "Всероссийский научно- исследовательский институт радиотехники", г. Москва, для создания базового центра проектирования

267. Реконструкция итехническое 460 60 140 260 создание базового центра системного перевооружение открытого ---- --- --- --- проектирования площадью 1000 кв. м** акционерного общества "НИИ 230* 30 70 130 молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

268. Реконструкция итехническое 60 60 создание базового центра системного перевооружение федерального ---- --- проектирования площадью 250 кв. м** государственного унитарного 30* 30 предприятия "Научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва, для создания базового центра проектирования

269. Реконструкция итехническое 140 140 создание базового центра системного перевооружение федерального --- --- проектирования площадью 600 кв. м** государственного унитарного 70* 70 предприятия "Научно- производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

270. Реконструкция итехническое 200 80 120 создание базового центра системного перевооружение открытого ---- --- --- проектирования площадью 700 кв. м** акционерного общества "Концерн 100* 40 60 "Созвездие", г. Воронеж, для создания базового центра проектирования

271. Реконструкция итехническое 200 80 120 создание базового центра системного перевооружение открытого ---- --- --- проектирования площадью 700 кв. м** акционерного общества "Концерн 100* 40 60 радиостроения "Вега", г. Москва, для создания базового центра проектирования

272. Реконструкция итехническое 120 120 создание базового центра системного перевооружение федерального ---- ---- проектирования площадью 500 кв. м** государственного унитарного 60* 60 предприятия "Ростовский-на- Дону научно-исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования

273. Реконструкция итехническое 34 34 создание базового центра системного перевооружение действующего --- --- проектирования площадью 500 кв. м** предприятия федеральное 17 17 государственное унитарное предприятие "Омский научно- исследовательский институт приборостроения", г. Омск (развитие базового центра системного проектирования СБИС)

274. Реконструкция итехническое 120 120 создание базового центра системного перевооружение открытого --- --- проектирования площадью 500 кв. м** акционерного общества 60* 60 "Российский институт радионавигации и времени", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

275. Реконструкция итехническое 232 232 создание базового центра системного перевооружение открытого ---- ---- проектирования площадью 800 кв. м** акционерного общества 116* 116 "Светлана", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

276. Реконструкция итехническое 360 160 200 создание базового центра системного перевооружение открытого ---- --- --- проектирования площадью 800 кв. м** акционерного общества 180* 80 100 "Центральный научно- исследовательский институт "Циклон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

277. Реконструкция итехническое 120 120 создание базового центра системного перевооружение федерального ---- ---- проектирования площадью 500 кв. м** государственного унитарного 60* 60 предприятия "Научно- исследовательский институт "Аргон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

278. Реконструкция итехническое 30 30 создание базового центра системного перевооружение федерального --- --- проектирования площадью 500 кв. м** государственного унитарного 15* 15 предприятия "НПО "Орион", г. Москва, для создания базового центра проектирования

279. Реконструкция итехническое 120 120 создание базового центра системного перевооружение федерального --- --- проектирования площадью 500 кв. м** государственного унитарного 60* 60 предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

280. Реконструкция итехническое 160 160 создание базового центра системного перевооружение федерального ---- --- проектирования площадью 600 кв. м** государственного унитарного 80* 80 предприятия "Научно- исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

281. Реконструкция итехническое 140 140 создание базового центра системного перевооружение открытого --- --- проектирования площадью 600 кв. м** акционерного общества "Концерн 70* 70 "Океанприбор", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

282. Реконструкция итехническое 180 180 создание базового центра системного перевооружение федерального --- --- проектирования площадью 650 кв. м** государственного унитарного 90* 90 предприятия "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования

283. Реконструкция итехническое 160 160 создание базового центра системного перевооружение открытого --- --- проектирования площадью 650 кв. м** акционерного общества 80* 80 "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение", г. Королев, Московская область, для создания базового центра проектирования

284. Реконструкция итехническое 120 120 создание базового центра системного перевооружение федерального --- --- проектирования площадью 500 кв. м** государственного унитарного 60* 60 предприятия "Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем", г. Москва, для создания базового центра проектирования

285. Создание базовогоцентра 500 500 создание базового центра по проектирования на базе ---- ---- проектированию, моделированию, федерального государственного 250* 250 изготовлению, тестированию и унитарного предприятия сертификации перспективных "Научно-производственная оптических систем и корпорация "Государственный оптико-электронного оборудования** оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург

286. Реконструкция итехническое 2200 2200 повышение качества и надежности перевооружение открытого ---- ---- систем цифровой обработки, систем акционерного общества "Концерн 1100* 1100 твердотельных передающих и приемных ПВО "Алмаз-Антей", г. Москва, систем, приемопередающих модулей для создания базового центра активных фазированных системных проектирования систем цифровой решеток С-диапазона для обработки, твердотельных перспективных средств связи, передающих и приемных систем, управления воздушным движением и приемопередающих модулей формирования сигналов на кристалле для радиолокационных станций различного применения**

287. Реконструкция итехническое 500 500 создание базового центра перевооружение для создания ---- ---- проектирования сложных базового центра проектирования 250* 250 функциональных блоков и сверхбольших в открытом акционерном интегральных схем типа "система на обществе "Концерн "Созвездие", кристалле" для нового поколения г. Воронеж аппаратуры и мобильных телекоммуникационных систем; создание конкурентоспособных изделий для нового поколения мобильных телекоммуникационных систем гражданского и двойного назначения**

288. Созданиебазового центра 440 440 обеспечение производства комплексных системного проектирования --- --- средств автоматизации для управления (дизайн-центра) 220* 220 автомобильным и железнодорожным радиоэлектронных модулей и транспортом, объектами узлов стационарных и мобильных топливно-энергетического комплекса** средств автоматизации в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза

289. Созданиебазового центра 200 200 обеспечение возможности изготовления системного проектирования ---- --- разработанных электронных модулей по унифицированных электронных 100* 100 современным технологиям; модулей на основе современной повышение надежности и качества и электронной компонентной базы ускорение разработки в открытом акционерном конкурентоспособных изделий мирового обществе "Челябинский уровня; радиозавод "Полет", разработка технологий двойного г. Челябинск назначения**

290. Создание базовогоцентра 200 200 обеспечение возможности изготовления системного проектирования ---- ---- разработанных электронных модулей по унифицированных электронных 100* 100 современным технологиям; модулей на основе современной разработка технологий двойного электронной компонентной базы назначения** в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область

291. Созданиебазового центра 180 180 обеспечение проектирования, системного проектирования ---- --- производства, испытаний, контроля, микроэлектронных модулей 90* 90 тестирования и сертификации нового поколения на основе перспективных изделий, включая технологии "систем в модуле" климатические, механические, двойного и специального надежностные и другие применения в открытом специализированные испытания, а акционерном обществе также сертификации выпускаемых "Всероссийский научно- изделий по требованиям различных исследовательский институт категорий заказчиков и производств** "Эталон", г. Москва

292. Создание базовогоцентра 180 180 обеспечение проектирования, системного проектирования ---- ---- производства, испытаний, контроля, микроэлектронных модулей 90* 90 тестирования и сертификации нового поколения на основе перспективных изделий, включая технологии "систем в модуле" климатические, механические, двойного и специального надежностные и другие применения в открытом специализированные испытания, а акционерном обществе также сертификации выпускаемых "Московский научно- изделий по требованиям различных исследовательский институт категорий заказчиков и производств** связи", г. Москва

293. Расширение базовогоцентра 320 320 расширение возможностей и объемов системного проектирования по ---- ---- базового центра системного проектированию 160* 160 проектирования, перевод ключевых радиоэлектронной аппаратуры на проектов, выполняемых концерном, на базе сверхбольших интегральных использование технологии схем "система на кристалле" в современного системного открытом акционерном обществе проектирования. "Концерн радиостроения "Вега", Ускорение процесса получения готовых г. Москва проектов не менее чем в 2 раза**

294. Создание базовогоцентра 210 210 обеспечение проектирования, системного проектирования ---- ---- производства высокоплотных высокоплотных электронных 105* 105 электронных узлов на основе узлов на основе технологии технологии многокристальных модулей многокристальных модулей в как ключевой технологии достижения открытом акционерном обществе высоких технических характеристик "Научно-исследовательский разрабатываемых и производимых институт "Кулон", г. Москва изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей - до 3,5 тысяч штук в год**

295. Создание базовогоцентра 210 210 обеспечение проектирования, системного проектирования ---- ---- производства высокоплотных высокоплотных электронных 105* 105 электронных узлов на основе узлов на основе технологии технологии многокристальных модулей многокристальных модулей в как ключевой технологии достижения открытом акционерном обществе высоких технических характеристик "Конструкторское бюро "Луч", разрабатываемых и производимых г. Рыбинск, Ярославская изделий. Планируемый объем выпуска область многокристальных модулей - до 3,5 тысяч штук**

296. Реконструкция итехническое 500 500 создание базового центра перевооружение федерального ---- ---- проектирования и разработки государственного унитарного 250* 250 высокопроизводительных сверхбольших предприятия "Московский ордена интегральных схем и Трудового Красного Знамени микропроцессорной техники, научно-исследовательский оснащенного современными средствами радиотехнический институт", проектирования, разработки и отладки г. Москва, для создания сверхбольших интегральных схем типа базового центра проектирования "система на кристалле", а также универсальных цифровых матричных корпусов для сверхбольших устройств, комплексов и систем интегральных схем с большим на базе современных количеством выводов, контроллеров лицензионных систем перспективных периферийных автоматизированного интерфейсов для разработки на их проектирования и технических базе перспективных средств сложнофункциональных блоков и радиоэлектронной аппаратуры для систем и средств связи двойного и гражданского применения**

297. Создание базовогоцентра 370 120 100 150 создание базового центра разработки проектирования универсальных ---- --- --- --- высокопроизводительной микропроцессоров, систем на 185* 60 50 75 микропроцессорной техники двойного кристалле, цифровых приборов назначения, оснащенного современной обработки сигналов и других технологией разработки многоядерных цифровых устройств, комплексов систем на кристалле, матричных и систем на базе современных корпусов для сверхбольших лицензионных систем интегральных схем с большим автоматизированного количеством выводов, контроллеров проектирования и технических перспективных периферийных средств открытого акционерного интерфейсов для разработки на их общества "Институт электронных базе высокопроизводительных управляющих машин", г. Москва. вычислительных систем широкого применения**

298. Техническое перевооружениеи 840 840 ускорение проектирования и отработки реконструкция базового ---- ---- технологии производства регионального научно- 420* 420 перспективных устройств технологического центра по микросистемотехники для микросистемотехнике комплектования аппаратуры федерального государственного управления, средств телекоммуникации унитарного предприятия "Омский и связи, высокоточного оружия, научно-исследовательский робототехнических комплексов, институт приборостроения", мониторинга окружающей среды, зданий г. Омск и сооружений, систем трубопроводов, водо- и газоснабжения, цифровых и аналоговых устройств средств контроля, учета и дистанционного управления подачей энергоресурсов. Ожидаемый экономический эффект составит 1500 млн. рублей**

299. Реконструкция итехническое 490 490 создание конкурентоспособных изделий перевооружение центра ---- ---- мирового уровня для комплексов системного проектирования и 245* 245 аппаратуры спутниковой связи. производства радиоэлектронных Разработка технологий двойного средств спутниковой связи назначения** федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственный центр "Вигстар", г. Москва

300. Реконструкция итехническое 1080 1080 создание дизайн-центра площадью 2000 перевооружение федерального ---- ---- кв. м и увеличение выпуска продукции государственного унитарного 540* 540 на 500 млн. рублей в год** предприятия "Научно- производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов, с целью создания дизайн-центра и производства сверхвысокочастотных и силовых устройств

301. Техническое перевооружение для90 90 создание конкурентоспособной создания центра проектирования --- --- технологии автоматизированного перспективной электронной 45* 45 проектирования кристаллов компонентной базы на сверхбольших интегральных схем и федеральном государственном систем на кристалле с проектными унитарном предприятии нормами 0,18 - 0,13 мкм и степенью "Научно-исследовательский интеграции до 100 млн. вентилей на институт электронной техники", кристалле, что позволит обеспечить г. Воронеж ускоренную разработку сложнофункциональных блоков, сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле, соответствующих по техническим характеристикам современным мировым образцам**

302. Создание отраслевогоцентра 340 340 организация современного центра системного уровня ---- ---- системного уровня проектирования на проектирования 170* 170 основе отечественной электронной интеллектуальных датчиков компонентной базы: различного назначения на микромеханических датчиков; федеральном государственном датчиков акустического давления; унитарном предприятии датчиков угловых перемещений и "Центральный научно- других** исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург

303. Создание отраслевогоцентра 360 360 создание отраслевого центра проектирования сложных ---- ---- проектирования (дизайн-центра) функциональных блоков и 180* 180 сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем сверхбольших интегральных схем типа типа "система на кристалле" в "система на кристалле" для открытом акционерном обществе обеспечения новейшей цифровой "Концерн "Моринформсистема- техникой приборостроительных Агат", г. Москва организаций судостроительной отрасли**

3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств) для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

304. Реконструкция итехническое 1306 156 830 320 создание межотраслевого центра перевооружение открытого ---- --- --- --- проектирования, каталогизации и акционерного общества 653* 78 415 160 изготовления фотошаблонов с объемом "Российская электроника", производства не менее 1200 штук в г. Москва (включая год** приобретение программно- технических средств) с целью создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

Итого по Роспрому 75600 2790 3740 4340 5740 58990 ----- ---- ---- ---- ---- ----- 37800 1395 1870 2170 2870 29495

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ (РОСАТОМ)
1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
305. Техническоеперевооружение 140 80 60 создание технологического комплекса федерального государственного ---- --- --- для производства унитарного предприятия 70* 40 30 сверхвысокочастотных монолитных "Федеральный научно- интегральных схем на широкозонных производственный центр полупроводниковых материалах** Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

306. Техническое перевооружениеи 440 440 создание производственно- реконструкция с целью ---- ---- технологического участка в производства структур "кремний 220* 220 межведомственном центре по на сапфире" для субмикронных разработке и производству радиационно стойких радиационно стойкой электронной сверхбольших интегральных схем компонентной базы** на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

307. Техническое перевооружениеи 420 420 создание производственно- реконструкция с целью ---- ---- технологического участка в производства фотошаблонов 210* 210 межведомственном центре по субмикронных радиационно разработке и производству стойких сверхбольших радиационно стойкой электронной интегральных схем на компонентной базы** федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

308. Техническое перевооружениеи 380 380 создание производственно- реконструкция с целью ---- ---- технологического участка в производства структур "кремний 190* 190 межведомственном центре по на сапфире" с ультратонким разработке и производству приборным слоем для радиационно стойкой электронной субмикронных радиационно компонентной базы** стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

309. Техническое перевооружениеи 400 400 создание производственно- реконструкция с целью ---- ---- технологического участка производства радиационно 200* 200 изготовления изделий стойких изделий микроэлектроники для систем микроэлектроники с применением автоматики специзделий** методов нанотехнологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва

310. Техническое перевооружениеи 1060 1060 создание производственно- реконструкция с целью ---- ---- технологического участка в производства быстродействующих 530* 530 межведомственном центре по радиационно стойких монолитных разработке и производству интегральных схем на радиационно стойкой электронной федеральном государственном компонентной базы** унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

311. Техническое перевооружениеи 500 500 создание производственно- реконструкция с целью ---- ---- технологического участка в производства радиационно 250* 250 межведомственном центре по стойких изделий разработке и производству оптоэлектроники на федеральном радиационно стойкой электронной государственном унитарном компонентной базы** предприятии "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

312. Техническое перевооружениеи 780 780 создание производственно- реконструкция с целью ---- ---- технологического участка в производства радиационно 390* 390 межведомственном центре по стойких изделий разработке и производству микросистемотехники на радиационно стойкой электронной федеральном государственном компонентной базы** унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

313. Техническое перевооружениеи 820 820 реконструкция производственно- реконструкция с целью ---- ---- технологических участков по производства радиационно 410* 410 изготовлению радиационно стойких стойких изделий изделий микроэлектроники** микроэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

314. Реконструкциядизайн-центра 200 80 80 40 реконструкция дизайн-центра** радиационно-стойкой ---- -- -- --- электронной компонентной базы 100* 40 40 20 на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

315. Реконструкциядизайн-центра 80 80 реконструкция дизайн-центра** радиационно стойкой ---- --- электронной компонентной базы 40* 40 на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва

316. Реконструкциядизайн-центра 80 80 реконструкция дизайн-центра** радиационно стойкой ---- --- электронной компонентной базы 40* 40 на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область

317. Реконструкциядизайн-центра 100 100 реконструкция дизайн-центра** радиационно стойкой ---- ---- электронной компонентной базы 50* 50 на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И.Забабахина", г. Снежинск, Челябинская область

Итого по Росатому 5400 80 80 80 100 5060 ---- --- --- --- ---- ---- 2700 40 40 40 50 2530

ФЕДЕРАЛЬНОЕ КОСМИЧЕСКОЕ АГЕНТСТВО (РОСКОСМОС)
1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
318. Реконструкция итехническое 320 320 переоснащенное производство перевооружение федерального ---- ---- многокристальных систем в корпусе, государственного унитарного 160* 160 микро- и радиоэлектронных модулей, в предприятия "Российский том числе на основе устройств научно-исследовательский микросистемной техники; институт космического оснащенное отраслевое приборостроения", г. Москва, с автоматизированное хранилище целью создания производства производимых и приобретаемых многокристальных систем в электронных компонентов со корпусе, микро- и встроенной системой мониторинга и радиоэлектронных модулей, в прогнозирования состояния хранимой том числе на основе устройств продукции** микросистемной техники

319. Реконструкция итехническое 600 600 переоснащение производства по перевооружение федерального ---- ---- выпуску: государственного унитарного 300* 300 параметрического ряда модулей предприятия "Научно- сверхвысокочастотных устройств; исследовательский институт узлов и крупноблочных точных приборов", г. Москва, радиоэлектронных функциональных для создания производства модулей приемопередающей модулей сверхвысокочастотных аппаратуры. устройств для особо жестких Реализация указанных мероприятий условий эксплуатации обеспечивает: сокращение сроков изготовления изделий радиолокационной техники и техники связи в 2-3 раза; расширение номенклатуры сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза**

320. Реконструкция итехническое 160 160 переоснащение производственной линии перевооружение федерального ---- ---- для выпуска облегченных государственного унитарного 80* 80 сверхвысокочастотных волноводов; предприятия "Научно- увеличение производства производственное объединение сверхвысокочастотных волноводов с прикладной механики имени низким уровнем потерь и улучшенными академика М.Ф.Решетнева", массовыми характеристиками; г. Железногорск, Красноярский оснащение отраслевого край, с целью создания автоматизированного хранилища для производственной линии для модулей радиоэлектронных и изготовления облегченных навигационных систем со встроенной сверхвысокочастотных системой мониторинга и волноводов миллиметрового прогнозирования состояния хранимой диапазона продукции**

321. Реконструкция итехническое 200 200 дооснащение производства перевооружение федерального ---- ---- электромеханических и государственного унитарного 100* 100 радиоэлектронных компонентов для предприятия "Научно- микромодульных средств автономного производственное объединение управления и контроля; автоматики имени академика увеличение производства изделий Н.А.Семихатова", бортовой и промышленной г. Екатеринбург, для создания радиоэлектроники на 35 процентов и производства более; электромеханических и оснащение отраслевого радиоэлектронных компонентов автоматизированного хранилища для микромодульных средств радиоэлектронных модулей со автономного управления и встроенной системой мониторинга и контроля прогнозирования состояния хранимой продукции**

322. Реконструкция итехническое 200 200 переоснащение производства модульных перевооружение федерального ---- ---- лазерных средств высокоточных государственного унитарного 100* 100 измерений, дальнометрии и передачи предприятия "Научно- информации в бортовых и промышленных исследовательский институт системах различного назначения** прецизионного приборостроения", г. Москва, для создания производства лазерных средств высокоточных измерений

323. Реконструкция итехническое 200 200 создание межотраслевой лаборатории перевооружение федерального ---- ---- контроля стойкости электронной государственного унитарного 100* 100 компонентной базы для специальной предприятия "Российский радиоэлектронной аппаратуры в научно-исследовательский условиях космического пространства, институт космического что обеспечит: приборостроения", г. Москва, внедрение технологических процессов для создания отраслевой прямого (в том числе неразрушающего) лаборатории контроля стойкости контроля стойкости электронной электронной компонентной базы компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры к экспериментально-аналитического дестабилизирующим факторам прогноза деградации характеристик космического пространства электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры; определение характеристик стойкости к условиям открытого космического пространства; увеличение сроков активного функционирования аппаратуры до 20 лет**

324. Реконструкция итехническое 200 200 перевооружение производственных перевооружение федерального ---- ---- линий для изготовления встроенных государственного унитарного 100* 100 модульных пассивных радиоэлементов предприятия "Научно- для систем бортовой и промышленной производственный центр радиоэлектроники и вторичных "Полюс", г. Томск, для источников питания с совмещенными технического перевооружения линиями передачи данных и действующего производства электропитания; расширение номенклатуры и увеличение производства встроенных вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания для средств бортовой и промышленной электроники на 70 процентов и более**

325. Реконструкция итехническое 200 200 переоснащение производства матричных перевооружение федерального ---- ---- оптико-электронных модулей для государственного унитарного 100* 100 работы в составе оптико-электронных предприятия "Научно- преобразователей высокого разрешения исследовательский институт и матричных сверхвысокочастотных микроприборов - К", г. Москва, приборов для модулей фазированных для создания матричных антенных решеток, что позволит: оптико-электронных модулей на расширить номенклатуру выпускаемой основе кремниевых мембран и мелкосерийной продукции в 2 раза; гетеропереходов на основе увеличить объем выпускаемых арсенида галлия и нитрида дискретных и модульных элементов в галлия 10 раз**

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

326. Реконструкция итехническое 610 60 60 490 создание базового центра системного перевооружение федерального ---- --- --- --- проектирования площадью 500 кв. м** государственного унитарного 305* 30 30 245 предприятия "Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения", г. Москва, для создания базового центра проектирования

327. Реконструкция итехническое 550 120 120 60 60 190 создание отраслевого центра перевооружение для создания ---- --- --- --- --- --- автоматизированного проектирования и отраслевого центра 275* 60 60 30 30 95 функциональной поддержки процессов автоматизированного изготовления и эксплуатации проектирования гибридных параметрических рядов микро- и наноэлектронных сверхвысокочастотных модулей модулей сверхвысокочастотных унифицированных сверхвысокочастотных устройств со встроенными трактов, базовых несущих конструкций пассивными и активными активных фазированных антенных элементами на федеральном решеток, радиолокационных и связных государственном унитарном модульных приборов площадью 500 предприятии "Научно- кв. м** исследовательский институт точных приборов", г. Москва

328. Реконструкция итехническое 600 40 560 создание базового координационного перевооружение для создания ---- --- ---- центра площадью 300 кв. м для базового координационного 300* 20 280 системного проектирования центра системного стандартных наборов конструктивных проектирования унифицированных элементов для создания электронных модулей на унифицированных электронных модулей федеральном государственном субминиатюрных адаптивных и унитарном предприятии самообучающихся информационно- "Центральный научно- управляющих вычислительных систем и исследовательский институт управляющих многопроцессорных машиностроения", г. Королев, больших цифровых вычислительных Московская область машин с элементами искусственного интеллекта**

329. Реконструкция итехническое 280 280 создание центра проектирования перевооружение для создания ---- ---- унифицированных микроэлектронных центра проектирования 140* 140 датчиков площадью 380 кв. м для унифицированных проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков для полупроводниковых микродатчиков и работы в особо жестких преобразователей физических величин условиях эксплуатации на в системах управления, контроля и федеральном государственном диагностики динамических объектов** унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт физических измерений", г. Пенза

330. Реконструкция итехническое 200 200 создание базового центра площадью перевооружение для создания ---- ---- 350 кв. м для системного базового центра системного 100* 100 проектирования с полным циклом проектирования интегральных проектирования и производства микроэлектронных датчиков и параметрического ряда интегральных датчикопреобразующей микроэлектронных датчиков и аппаратуры для особо жестких нанодатчиков для контрольной условий эксплуатации на аппаратуры на основе федеральном государственном специализированных электронных узлов унитарном предприятии "Научно- по технологии "кремний на изоляторе" производственное объединение для особо жестких условий измерительной техники", эксплуатации** г. Королев, Московская область

331. Реконструкция итехническое 420 420 создание базового центра сквозного перевооружение для создания ---- ---- системного проектирования и базового центра сквозного 210* 210 функциональной поддержки системного проектирования на радиоэлектронных средств с федеральном государственном улучшенной электромагнитной унитарном предприятии "Научно- совместимостью площадью 450 кв. м (в производственное предприятие том числе для создания встроенных Всероссийский научно- бесконтактных систем управления исследовательский институт электродвигателями и приводами, электромеханики с заводом оптоэлектронных и радиотехнических имени А.Г.Иосифьяна", приборов)** г. Москва

332. Реконструкция итехническое 260 260 создание центра проектирования перевооружение для создания ---- ---- интегральных сверхвысокочастотных центра проектирования на 130* 130 модулей специального и промышленного федеральном государственном применения для унифицированных унитарном предприятии приемопередающих радиоэлектронных "Центральный научно- трактов площадью 340 кв. м исследовательский (в том числе для создания радиотехнический институт испытательного центра имени академика А.И.Берга", радиоэлектронной аппаратуры г. Москва космического и промышленного назначения)**

333. Реконструкция итехническое 200 200 создание центра площадью 220 кв. м перевооружение для создания ---- ---- для системного проектирования центра проектирования 100* 100 матричных преобразователей и матричных преобразователей и микроэлектронных сигнальных микроэлектронных сигнальных процессоров высокоточных процессоров на федеральном навигационных приборов бортового и государственном унитарном промышленного назначения** предприятии "Научно- производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А.Пилюгина", г. Москва

334. Реконструкция итехническое 200 200 создание дизайн-центра площадью 370 перевооружение для создания ---- ---- кв. м для системного проектирования центра проектирования особо 100* 100 радиационно стойкой, стойкого модульного ядра помехоустойчивой электронной отказоустойчивой компонентной базы, в том числе радиоэлектронной аппаратуры с изделий "система на кристалле" для особо жесткими условиями построения особо стойкого модульного эксплуатации на федеральном ядра радиоэлектронной аппаратуры с государственном унитарном особо жесткими условиями предприятии "Центральный эксплуатации, в том числе для научно-исследовательский космического, авиационного и институт "Комета", г. Москва промышленного применения**

335. Реконструкция итехническое 200 200 создание базового центра сквозного перевооружение для создания ---- ---- системного проектирования и базового центра системного 100* 100 функциональной поддержки в процессе проектирования и технического эксплуатации аппаратуры модульных перевооружения действующего средств связи и навигации для производства на федеральном бортовых и промышленных систем государственном унитарном площадью 300 кв. м** предприятии "Научно- производственное объединение прикладной механики имени академика М.Ф.Решетнева", г. Железногорск, Красноярский край

336. Реконструкция итехническое 200 200 создание базового центра сквозного перевооружение для создания ---- ---- системного проектирования и базового центра сквозного 100* 100 функциональной поддержки в процессе системного проектирования на эксплуатации площадью 350 кв. м (в федеральном государственном том числе для радиоэлектронных унитарном предприятии "Научно- функциональных модулей производственное объединение роботизированных транспортных имени С.А.Лавочкина", средств повышенной живучести)** г. Москва

Итого по 5800 120 120 120 160 5280 Роскосмосу ---- --- --- --- --- ---- 2900 60 60 60 80 2640

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ (РОСОБРАЗОВАНИЕ)

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

337. Реконструкция итехническое 120 60 60 создание базового центра системного перевооружение ---- --- --- проектирования площадью 500 кв. м** государственного 60* 30 30 образовательного учреждения "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования

338. Реконструкция итехническое 50 50 создание базового центра системного перевооружение --- --- проектирования площадью 500 кв. м государственного 25 25 образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования

339. Реконструкция итехническое 200 200 создание базового центра системного перевооружение ---- ---- проектирования площадью 400 кв. м** государственного 100* 100 образовательного учреждения высшего профессионального образования "Томский государственный университет", г. Томск, для создания базового центра проектирования

340. Реконструкция итехническое 200 200 создание базового центра системного перевооружение ---- ---- проектирования площадью 400 кв. м** государственного 100* 100 образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана", г. Москва, для создания базового центра проектирования

341. Реконструкция итехническое 200 200 создание базового центра системного перевооружение федерального ---- ---- проектирования площадью 400 кв. м** государственного учреждения 100* 100 высшего профессионального образования "Южный федеральный университет", г. Ростов-на- Дону, для создания базового центра проектирования

342. Реконструкция итехническое 200 200 создание базового центра системного перевооружение ---- ---- проектирования площадью 400 кв. м** государственного 100* 100 образовательного учреждения высшего профессионального образования "Новосибирский государственный университет", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

343. Реконструкция итехническое 230 230 создание базового центра системного перевооружение федерального ---- ---- проектирования площадью 600 кв. м** государственного 115* 115 образовательного учреждения высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования

Итого по 1200 50 60 60 1030 Рособразованию ---- -- -- -- ---- 600 25 30 30 515

Всего по 88000 3040 4000 4600 6000 70360 Программе ----- ---- ---- ---- ---- ----- 44000 1520 2000 2300 3000 35180 ________________________ В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета. * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации. ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

Примечание. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания ихфинансирования.

____________

Приложение N 3 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Распределение объемов финансирования за счет средств федеральногобюджета по государственным заказчикам федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) ------------------------------------------------------------------- ¦ ¦ В том числе ¦ 2008- +------------------------------ ¦ 2015 ¦2008 ¦2009 ¦2010 ¦ 2011 ¦2012- ¦ годы ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦2015 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦годы ------------------------------------------------------------------- Всего по Программе 110000 5500 6800 7400 13000 77300

из них:

Министерство 3895 258 279 265 585 2508 промышленности и энергетики Российской Федерации

Федеральное агентство по 90605 4627 5761 6265 11425 62527 промышленности

Федеральное космическое 7200 290 320 360 430 5800 агентство

Федеральное агентство по 6600 240 290 340 400 5330 атомной энергии

Федеральное агентство по 1100 60 120 140 160 620 науке и инновациям

Федеральное агентство по 600 25 30 30 - 515 образованию

Капитальные вложения -44000 1520 2000 2300 3000 35180 всего

из них:

Министерство - - - - - - промышленности и энергетики Российской Федерации

Федеральное агентство по 37800 1395 1870 2170 2870 29495 промышленности

Федеральное космическое 2900 60 60 60 80 2640 агентство

Федеральное агентство по 2700 40 40 40 50 2530 атомной энергии

Федеральное агентство по - - - - - - науке и инновациям

Федеральное агентство по 600 25 30 30 - 515 образованию

Научно-исследовательские и66000 3980 4800 5100 10000 42120 опытно-конструкторские работы - всего

из них:

Министерство 3895 258 279 265 585 2508 промышленности и энергетики Российской Федерации

Федеральное агентство по 52805 3232 3891 4095 8555 33032 промышленности

Федеральное космическое 4300 230 260 300 350 3160 агентство

Федеральное агентство по 3900 200 250 300 350 2800 атомной энергии

Федеральное агентство по 1100 60 120 140 160 620 науке и инновациям

Федеральное агентство по - - - - - - образованию

____________

Приложение N 4 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Объемы финансирования федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) ------------------------------------------------------------------- ¦ ¦ В том числе ¦ 2008- +--------------------------------- ¦ 2015 ¦2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦2012- ¦ годы ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦2015 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦годы ------------------------------------------------------------------- Всего по Программе 187000 9010 11200 12250 21000 133540

в том числе:

федеральный бюджет 110000 5500 6800 7400 13000 77300
внебюджетные средства 77000 3510 4400 4850 8000 56240
Капитальные вложения -88000 3040 4000 4600 6000 70360 всего

в том числе:

федеральный бюджет 44000 1520 2000 2300 3000 35180
внебюджетные средства 44000 1520 2000 2300 3000 35180
Научно-исследовательские 990005970 7200 7650 15000 63180 и опытно-конструкторские работы - всего

в том числе:

федеральный бюджет 66000 3980 4800 5100 10000 42120

внебюджетные средства 33000 1990 2400 2550 5000 21060

____________

Приложение N 5 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Расчет показателей социально-экономической эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Расчеты коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (далее - Программа) базировались на ориентировочных данных о бюджетных и внебюджетных ассигнованиях на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения и ожидаемых объемах производства высокотехнологичной наукоемкой продукции по годам расчетного периода (2008-2015 годы). Эффективность реализации Программы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом реализации Программы вплоть до максимального уровня освоения введенных новых мощностей. За начальный год расчетного периода принимается первый год осуществления инвестиций или первый год разработки приоритетных образцов продукции (в данном случае это 2008 год). Конечный год расчетного периода определяется полным освоением в серийном производстве разработанной в период реализации Программы (2008-2015 годы) продукции на созданных в этот период мощностях. Учитывая, что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего периода действия Программы и завершается в 2015 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей составит 1,5 - 2 года, конечным годом расчетного периода принят 2017 год. Исходная информация по годовым объемам производства продукции была определена на основе прогнозных оценок. При этом объемы производства на первой стадии финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ достигнуты за счет реализации программных мероприятий прошлых лет и составляют в 2008 году 60 процентов объема выпускаемой продукции отрасли, в 2009 году - 65 процентов, в 2010 году - 70 процентов, в 2011 году - 90 процентов. Капитальные вложения на реализацию Программы предусматривают прежде всего техническое перевооружение производства и строительство уникальных объектов. Коммерческая и бюджетная эффективность Программы определялась с учетом следующих условий: данные об ассигнованиях на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения, а также об объемах производства приведены в ценах соответствующих лет; расчеты произведены с учетом фактора времени, т. е. приведения (дисконтирования) будущих затрат и результатов к расчетному году с помощью коэффициента дисконтирования (Е = 0,1); размер всех налогов и отчислений, поступающих в бюджет и внебюджетные фонды, определен в соответствии с Налоговым кодексом Российской Федерации; расчеты всех экономических показателей произведены в ценах соответствующих лет с учетом индексов-дефляторов, установленных Министерством экономического развития и торговли Российской Федерации до 2009 года с последующей экстраполяцией их до 2017 года (на период 2008-2015 годов индекс-дефлятор для продукции радиоэлектронной промышленности составляет 1,05). Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации Программы, приведены в таблице 1. Результаты расчетов приведены в таблице 2. Экономическая эффективность реализации Программы в отрасли характеризуется следующими показателями. При общей сумме инвестиций 187000 млн. рублей, включая 110000 млн. рублей бюджетных ассигнований на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения и 77000 млн. рублей внебюджетных ассигнований, реализация Программы позволит получить в сфере производства за расчетный период (2008-2015 годы) чистый дисконтированный доход в размере 64374,4 млн. рублей, а чистый дисконтированный доход государства (бюджетный эффект) составит 125045,9 млн. рублей. Всего налоговых поступлений от реализации Программы ожидается в размере 198577,2 млн. рублей. Срок окупаемости всех инвестиций (бюджетных и внебюджетных ассигнований) за счет чистой прибыли и амортизации составит 8,1 года, а бюджетных ассигнований за счет налоговых поступлений - 1 год. Соответственно, индексы доходности (рентабельности) составят для всех инвестиций - 1,52, для бюджетных ассигнований - 2,7. Уровень безубыточности равен 0,68 при норме 0,7, что свидетельствует о высокой эффективности и степени устойчивости Программы к возможным отклонениям от условий ее реализации. Итоговые показатели эффективности реализации Программы приведены в таблице 3.

Таблица 1

Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей) -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ За Показатели ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦ 2012 ¦ 2013 ¦ 2014 ¦ 2015 ¦ 2016 ¦ 2017 ¦ рас- ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦четный ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦период -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Условно-переменная часть 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 текущих издержек производства (себестоимости), процентов

Годовой объем реализуемой 58000 70000 95000 130000 170000 210000 250000 300000 370000 450000 продукции отрасли (объем продаж)

Инвестиции из всех9010 11200 12250 21000 29640 35200 34750 33950 187000 источников финансирования по Программе

в том числе:

средства федерального5500 6800 7400 13000 18000 20800 19500 19000 110000 бюджета на научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды

из них:

капитальные вложения1520 2000 2300 3000 5280 8000 11000 10900 44000

внебюджетные средства3510 4400 4850 8000 11640 14400 15250 14950 77000 на научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения (собственные, заемные и пр.)

налогооблагаемая база33000 35000 37000 40000 44000 50000 58000 65000 67000 68000 налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)

Рентабельность10 10 12 14 16 18 20 20 20 20 реализованной продукции, процентов

Амортизационные3,5 3,8 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7 7,5 отчисления, процентов себестоимости

Материалы, процентов50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 себестоимости

Фонд оплаты труда,25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 процентов себестоимости

Налог на имущество,2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 процентов

Налог на прибыль,24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 процентов

Подоходный налог,13 13 13 13 13 13 13 13 13 13 процентов

Единый социальный налог,26 26 26 26 26 26 26 26 26 26 процентов

Налог на добавленную18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 стоимость, процентов

Налог с продаж, процентов -- - - - - - - - -

Норма дисконта (средняя0,1 за расчетный период), процентов

Таблица 2

Расчет коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей) ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ ¦ Расчетный период ¦ +--------------------------------------------------------------------------------------------¦ За Наименование ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦ 2012 ¦ 2013 ¦ 2014 ¦ 2015 ¦ 2016 ¦ 2017 ¦расчет- показателей +--------------------------------------------------------------------------------------------¦ ный ¦ номер шага (m) ¦ период +--------------------------------------------------------------------------------------------¦ ¦ 0 ¦ 1 ¦ 2 ¦ 3 ¦ 4 ¦ 5 ¦ 6 ¦ 7 ¦ 8 ¦ 9 ¦ ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)

Годовой объем58000 70000 95000 130000 170000 210000 250000 300000 370000 450000 реализованной продукции отрасли без налога на добавленную стоимость

Себестоимость52727 63636 84821 114035 146552 177966 208333 25000 308333 375000 годового объема реализованной продукции отрасли

Прибыль от5273 6364 10179 15965 23448 32034 41667 50000 61667 75000 реализации продукции

Налогооблагаемая33000 35000 37000 40000 44000 50000 58000 65000 67000 68000 база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)

Налог на660 700 740 800 880 1000 1160 1300 1340 1360 имущество

Налогооблагаемая4587,3 5727,3 9466,1 15166,7 22744,8 31072,9 40416,7 48500 59816,7 72750 прибыль

Налог на прибыль1100,9 1374,5 2271,9 3640 5458,8 7457,5 9700 11640 14356 17460

Чистая прибыль3486,3 4352,7 7194,2 11526,7 17286,1 23615,4 30716,7 36860 45460,7 55290

Амортизационные1845,5 2418,2 3392,9 5131,6 7327,6 9788,1 12500 16250 21583,3 28125 отчисления в структуре себестоимости

Материальные26363,6 31818,2 42410,7 57017,5 73275,9 88983,1 104166,7 125000 154166,7 187500 затраты в структуре себестоимости

Фонд оплаты труда 13181,8 15909,1 21205,4 28508,8 36637,944491,5 52083,3 62500 77083,3 93750 в структуре себестоимости

Налог на4745,5 5727,3 7633,9 10263,2 13189,7 16016,9 18750 22500 27750 33750 добавленную стоимость

Налог с продаж- - - - - - - - - -

Подоходный налог1713,6 2068,2 2756,7 3706,1 4762,9 5783,9 6770,8 8125 10020,8 12187,5

Единый социальный 3427,34136,4 5513,4 7412,3 9525,9 11567,8 13541,7 16250 20041,7 24375 налог

Налоги,10546,4 12631,8 16644 22181,6 28358,4 34368,6 40222,5 48175 59152,5 71672,5 343953,4 поступающие в бюджет и внебюджетные фонды (приток в бюджет)

Сальдо от5331,8 6770,9 10587,1 16658,2 24613,7 33403,5 43216,7 53110 67044 83415 операционной деятельности. Чистый доход организаций (чистая прибыль и амортизационные отчисления)

Коэффициент1 0,909 0,826 0,751 0,683 0,621 0,564 0,513 0,467 0,424 дисконтирования (норма дисконта Е = 0,10)

Сальдо от5331,8 6155,4 8749,6 12515,6 16811,5 20741 24394,7 27253,8 31276,5 35376,1 188605,9 операционной деятельности с учетом дисконтирования. Чистый доход организаций с учетом дисконтирования

Величина9010 11200 12250 21000 29640 35200 34750 33950 187000,0 инвестиций из всех источников финансирования (оттоки)

Сальдо суммарного -3678,2 -4429,1 -1662,9 -4341,8 -5026,3-1796,5 8466,7 19160 67044 83415 потока от инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования

Величина9010 10181,8 10124 15777,6 20244,5 21856,4 19615,5 17421,7 124231,5 инвестиций из всех источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования

Сальдо суммарного -3678,2 -4026,4 -1374,3 -3262-3433,1 -1115,5 4779,2 9832,1 31276,5 35376,1 64374,4 потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования

Сальдо накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом)

Чистый-3678,2 -7704,7 -9079 -12341 -15774,1 -16889,5 -12110,3 -2278,2 28998,3 64374,4 дисконтированный доход

Срок окупаемости8,1 инвестиций (период возврата), лет

Индекс доходности1,52 (рентабельность инвестиций)

Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)
Средства5500 6800 7400 13000 18000 208000 19500 19000 110000 федерального бюджета на научно- исследовательские и опытно- конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды (отток из бюджета)

Налоги,10546,4 12631,8 16644 22181,6 28358,4 34368,6 40222,5 48175 59152,5 71672,5 поступающие в бюджет и внебюджетные фонды

Налоги,10546,4 11483,5 13755,4 16665,3 19369,2 21340,2 22704,6 24721,4 27595,1 30396,1 198577,2 поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования

Отток бюджетных5500 6800 7400 13000 18000 20800 19500 19000 средств

Отток бюджетных5500 6181,8 6115,7 9767,1 12294,2 12915,2 11007,2 9750 73531,3 средств с учетом дисконтирования

Сальдо суммарного 5046,45301,7 7639,7 6898,3 7075 8425,1 11697,3 14971,4 27595,1 30396,1 125045,9 потока от финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования

Чистый5046,4 10348 17987,7 24886 31960,9 40386 52083,3 67054,7 94649,8 125045,9 дисконтированный доход государства или бюджетный эффект

Индекс доходности 1,91,9 2,2 1,7 1,6 1,7 2,1 2,5 2,7 бюджетных средств

Налоги,10546,4 11483,5 13755,4 16665,3 19369,2 21340,2 22704,6 24721,4 27595,1 30396,1 198577,2 поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования

Удельный вес0,61 0,61 0,6 0,62 0,61 0,59 0,56 0,56 0,59 средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)

Период возврата1 год бюджетных средств, лет

Уровень0,79 0,79 0,76 0,73 0,7 0,68 0,66 0,66 0,66 0,66 0,68 безубыточности

Таблица 3
Итоговые показатели эффективности реализации федеральной целевойпрограммы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(млн. рублей) ------------------------------------------------------------------- Наименование показателей ¦2008-2017 годы ------------------------------------------------------------------- Всего инвестиций (в ценах соответствующих лет) 187000

в том числе:

средства федерального бюджета110000

внебюджетные средства77000

Показатели коммерческой эффективности
Чистый дисконтированный доход в 2017 году64374,4

Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли8,1 организации, лет

Индекс доходности (рентабельность) инвестиций1,52 по чистой прибыли

Уровень безубыточности0,68

Показатели бюджетной эффективности

Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с 198577,2 учетом дисконтирования

Бюджетный эффект125045,9

Индекс доходности (рентабельность) бюджетных2,7 ассигнований по налоговым поступлениям

Удельный вес средств федерального бюджета в общем0,6 объеме финансирования (степень участия государства)

Срок окупаемости бюджетных ассигнований по1 год налоговым поступлениям, лет

____________

Приложение N 6 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Методика оценки социально-экономической эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Для создания настоящей методики в качестве основы была взята методика оценки социально-экономической эффективности реализации федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы. Указанная методика была использована при проведении технико-экономического обоснования и оценки эффективности федеральных целевых программ "Оптика России" (проект), "Национальная технологическая база" на 2002-2006 годы, "Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2007-2010 годы и на период до 2015 года", "Техническое перевооружение системы учета и контроля производства оружия, боеприпасов, взрывчатых материалов" ("Антитеррор", 2004-2008 годы) (проект), а также ряда крупных инвестиционных проектов организаций оборонного комплекса, что позволяет в полной мере применить ее для оценки социально-экономической эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (далее - Программа). Оценка эффективности реализации Программы включает в себя: оценку эффективности реализации Программы в целом на основе определения показателей коммерческой эффективности путем сопоставления чистой прибыли и амортизационных отчислений, остающихся в распоряжении организаций, с суммарными затратами на реализацию Программы из всех источников финансирования (бюджетными и внебюджетными ассигнованиями); оценку эффективности участия в Программе государства на основе определения показателей бюджетной эффективности путем сопоставления расхода средств федерального бюджета с доходами, поступающими в бюджеты всех уровней в виде налогов. Расчеты выполнены в ценах каждого года (с учетом инфляции) с последующим дисконтированием затрат и результатов к началу расчетного (программного) периода (2008-2015 годы), т. е. к 2007 году. В расчетах применялись налоги и ставки налогообложения, действующие на момент проведения расчета.

Показатели коммерческой эффективности

Чистый дисконтированный доход является одним из основных показателей эффективности и характеризует интегральный эффект от реализации Программы. Определяется как сальдо суммарного денежного потока от операционной и инвестиционной деятельности организаций с учетом дисконтирования за расчетный период по следующей формуле: м ЧДД = сумма фи х альфа , m=1 m m

где: фи - сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и m операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода; m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М); альфа - коэффициент дисконтирования на m-ом шаге расчетного m периода. Чистый дисконтированный доход характеризуется превышением суммарных денежных притоков от инвестиционной и операционной деятельности организаций над суммарными денежными оттоками за расчетный период с учетом дисконтирования. Эффективность реализации Программы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом реализации Программы вплоть до ее завершения. За начальный год расчетного периода (t ) принимается н первый год осуществления затрат (2008 год), конечный год расчетного периода (t ) определяется годом завершения реализации к Программы (2015 год). В качестве расчетного года (t ) принимается фиксированный р момент времени - начальный год расчетного периода или год проведения расчета. Для данного расчета принят год приведения расчета (2007 год). Расчетный период (2008-2015 годы) измеряется количеством шагов расчета. В качестве шага расчета принимается минимальный интервал времени, принятый разработчиком для расчета (год, полугодие, квартал, месяц). Номер шага обозначается числами - 1, 2, 3 и так далее. За начальный шаг принимается первый шаг. Для данного технико-экономического обоснования в качестве шага принят один год. Соизмерение разновременных затрат и результатов (учет фактора времени) производится путем их приведения (дисконтирования) к расчетному шагу. Приведение будущих денежных ресурсов (инвестиций, производственных издержек, прибыли и так далее) к расчетному году расчетного периода производится путем умножения затрат и результатов на коэффициент дисконтирования, величина которого (альфа ) определяется по классической формуле сложных процентов: m 1 альфа = __________, m m (1 + Е) где: Е - годовая норма дисконтирования, принятая в размере 0,15; m - порядковый номер шага расчетного периода от 1 до m-ого шага, а именно: 1 - базовый (начальный) шаг (год); 2 - первый шаг, следующий за базовым шагом; 3 - второй шаг, следующий за первым шагом, и так далее. Под нормой дисконтирования (Е) понимается минимально допустимая для инвестора величина дохода в расчете на единицу капитала, вложенного в реализацию Программы, с учетом уровня инфляции. При отсутствии утвержденных норм дисконта и обоснованных требований инвесторов в качестве нормы дисконтирования рекомендуется принимать процентную ставку за банковский кредит, т. е. ставку рефинансирования Центрального банка Российской Федерации, действующую на момент проведения расчета (13 процентов), с учетом фактора риска в размере 2 процентов, т. е. Е = 15 процентов. Для настоящего расчета норма дисконта принята в размере 15 процентов. В свою очередь, сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и операционной деятельности на m-ом шаге расчетного периода равно: и о фи = (фи + фи ), m m m где: и фи - сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной m деятельности на m-м шаге расчетного периода; о фи - сальдо суммарного денежного потока от операционной m деятельности на m-м шаге расчетного периода. Сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и деятельности на m-ом шаге расчетного периода (фи ) определяется m как разность между затратами на реализацию Программы из всех источников финансирования (отток) и реализацией активов (приток), которые в данном случае равны 0. Сальдо суммарного денежного потока от операционной о деятельности на m-м шаге расчетного периода (фи ) определяется m как разность между объемом продаж (приток) и суммой издержек производства реализуемой продукции (без амортизационных отчислений), налога на имущество и налога на прибыль (отток). В итоге образуется сумма чистой прибыли и амортизационных отчислений, остающаяся у организаций (чистый доход организаций). Внутренняя норма доходности представляет собой норму дисконтирования, при которой величина чистого дисконтированного дохода равна 0. Внутренняя норма доходности характеризует предельную (граничную) норму дисконтирования, разделяющую эффективные варианты реализации Программы от неэффективных, а также степень устойчивости Программы. Внутренняя норма доходности сравнивается с нормой дисконтирования, принятой для расчета, и чем больше внутренняя норма доходности, тем выше эффективность реализации Программы. Показатель внутренней нормы доходности определяется исходя из условия, что значение ЧДД = 0, и решения уравнения относительно внутренней нормы доходности: м 1 ЧДД = сумма фи х __________ = 0, m=1 m m (1 + ВНД)

где: фи - сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и m операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода; m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М). Для определения показателя внутренней нормы доходности (ВНД) используется финансовая функция "ВНДОХ", встроенная в программу "Excel". Срок окупаемости инвестиций или период возврата (СО ) - это и период времени от начального момента времени, в течение которого чистый дисконтированный доход становится неотрицательным. Другое определение срока окупаемости - продолжительность периода, в конце которого суммарная величина дисконтированных инвестиций полностью возмещается суммарными дисконтированными доходами (суммой чистой прибыли и амортизационных отчислений) вследствие реализации Программы. В зависимости от начального момента времени, принятого для определения срока окупаемости (периода возврата инвестиций), существует несколько его модификаций. Как правило, за начальный момент времени принимается начало инвестиционной деятельности в календарном исчислении, т. е. календарное начало первого шага расчетного периода m (в данном 1 случае 2008 год, принятый для расчета). Срок окупаемости определяется по данным расчета "Сальдо накопленного суммарного потока от операционной и инвестиционной деятельности с учетом дисконтирования". Целая часть величины срока окупаемости определяется количеством шагов, имеющих отрицательное значение сальдо. Дробная часть периода возврата, добавляемая к целой части, определяется методом интерполяции. Программа может быть принята к рассмотрению при условии, если срок окупаемости меньше расчетного периода, принятого для технико-экономического обоснования Программы, равного 8 годам (2008-2015 годы). Индекс доходности инвестиций определяется как отношение дисконтированной величины сальдо от операционной деятельности, т. е. чистого дохода организаций (чистой прибыли плюс амортизационные отчисления) за расчетный период, к дисконтированной величине затрат из всех источников финансирования за тот же период. Если индекс доходности инвестиций больше 1, Программа является эффективной, если меньше 1 - неэффективной. При значении чистого дисконтированного дохода, равном 0, индекс доходности равен 1.

Показатели бюджетной эффективности

Бюджетный эффект представляет собой превышение доходной части бюджета над его расходной частью в результате реализации Программы. Бюджетный эффект за расчетный период определяется по следующей формуле:

м БЭ = сумма дельта х альфа , m=1 m m где: дельта - превышение доходной части бюджета над его расходной m частью на m-м шаге расчетного периода; альфа - коэффициент дисконтирования на m-м шаге расчетного m периода; m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М). В состав расходов бюджета включаются средства, выделяемые для прямого бюджетного финансирования Программы. В состав доходов бюджета и приравненных к ним поступлений во внебюджетные фонды включаются: налог на имущество в размере 2 процентов среднегодовой стоимости основных промышленно-производственных фондов по остаточной стоимости; налог на прибыль в размере 24 процентов налогооблагаемой прибыли (прибыли от реализации за вычетом налога на имущество); налог на добавленную стоимость в размере 18 процентов объема реализованной продукции; подоходный налог в размере 13 процентов фонда оплаты труда; единый социальный налог в размере 26 процентов фонда оплаты труда. Доходная часть бюджета корректируется в зависимости от коэффициента участия государства в Программе. Доля бюджетных ассигнований (коэффициент участия государства) является важным показателем бюджетной эффективности и определяется как отношение дисконтированной величины средств федерального бюджета, выделяемых на реализацию Программы, за расчетный период к дисконтированной величине суммарных затрат из всех источников финансирования за тот же период. Этот показатель характеризует степень финансового участия государства в реализации Программы и учитывается при оценке бюджетного эффекта. Предпочтение следует отдавать вариантам программ, имеющим наименьшую величину показателя, т. е. требующим относительно меньше бюджетных ассигнований. Срок окупаемости или период возврата средств федерального бюджета - это период времени от начального шага, в течение которого бюджетный эффект становится неотрицательным. Другое определение срока окупаемости средств федерального бюджета - продолжительность периода, в конце которого суммарная величина дисконтированных средств федерального бюджета полностью возмещается суммарными дисконтированными доходами бюджета (налоговыми поступлениями) вследствие реализации Программы. Определение срока окупаемости (периода возврата) средств федерального бюджета производится аналогично определению срока окупаемости затрат из всех источников финансирования. Индекс доходности средств федерального бюджета определяется как отношение дисконтированной величины доходов бюджета от реализации Программы за расчетный период к дисконтированной величине расходов бюджета за тот же период.

____________

УТВЕРЖДЕНЫ постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809

И З М Е Н Е Н И Я, которые вносятся в федеральную целевую программу "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 29 января 2007 г. N 54

1. Паспорт указанной Программы изложить в следующей редакции:

"П А С П О Р Т федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

Наименование Программы - федеральная целеваяпрограмма "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

Дата принятия решения- распоряжение Правительства Российской о разработке Программы Федерации от 18 декабря 2006 г. N 1761-р

Государственные- Федеральное агентство по промышленности, заказчики Программы Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию, Федеральное космическое агентство, Российская академия наук, Сибирское отделение Российской академии наук

Государственный- Министерство промышленности и энергетики заказчик - координатор Российской Федерации Программы

Основные разработчики- Министерство промышленности и энергетики Программы Российской Федерации, Федеральное агентство по промышленности, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное космическое агентство, Российская академия наук

Цель и задачи Программы - цель Программы- обеспечение технологического развития отечественной промышленности на основе создания и внедрения прорывных, ресурсосберегающих, экологически безопасных промышленных технологий для производства конкурентоспособной наукоемкой продукции.

Задачи Программы: создание новых передовых технологий и оборудования, необходимого для их реализации, на уровне экспериментальных линий, демонстрационных установок и (или) опытных образцов, подтверждающих готовность технологических решений к промышленной реализации; разработка программ (планов) внедрения разработанных технологий в производство с оценкой необходимых затрат и источников их финансирования; активизация процессов коммерциализации новых технологий; создание перспективного научно-технологического задела для разработки наукоемкой продукции; решение проблем улучшения экологической ситуации в стране

Важнейшие целевые- количество переданных в производство индикаторы и показатели технологий, обеспечивающих конкурентоспособность конечного продукта, - 215-246 (здесь и далее - за весь период действия программы); количество патентов и других документов, удостоверяющих новизну технологических решений и закрепляющих права на объекты интеллектуальной собственности, полученные в ходе выполнения Программы, в том числе права Российской Федерации, - 206-241; количество разработанных технологий, соответствующих мировому уровню или превышающих его, - 195-233

Сроки и этапы- Программа выполняется в 2007-2011 годах реализации Программы в 2 этапа: I этап (2007-2009 годы) - выполнение быстрореализуемых проектов, базирующихся на уже имеющемся научно-техническом заделе; II этап (2008-2011 годы) - выполнение сложных комплексных проектов по созданию перспективных прорывных технологий, реализуемых в новых поколениях наукоемкой продукции и ориентированных на недопущение технологического отставания от передовых стран

Подпрограмма- подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Объемы и источники- всего по Программе - 67298 млн. рублей финансирования (в ценах соответствующих лет), в том числе: а) за счет средств федерального бюджета - 30149 млн. рублей, из них: на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 22649 млн. рублей; на капитальные вложения - 7500 млн. рублей; б) за счет средств внебюджетных источников - 37149 млн. рублей. Всего на 2007 год - 11200 млн. рублей, в том числе: а) за счет средств федерального бюджета - 6300 млн. рублей, из них: на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 5100 млн. рублей; на государственные капитальные вложения - 1200 млн. рублей; б) за счет средств внебюджетных источников - 4900 млн. рублей

Ожидаемые конечные- выполнение Программы в полном объеме результаты реализации позволит: Программы и показатели создать промышленно-технологические ее социально- основы для производства нового поколения экономической конкурентоспособной наукоемкой продукции эффективности мирового уровня в области важнейших технических систем (авиационной и морской техники, машиностроительного и энергетического оборудования, информационно-управляющих систем), специальных материалов и другой высокотехнологичной продукции, что в целом обеспечит технологические аспекты безопасности страны и развитие ее экономики; сформировать технологические предпосылки для повышения темпов экономического роста за счет увеличения в структуре экономики доли продукции с высоким уровнем добавленной стоимости; обеспечить сохранение и создание новых рабочих мест в организациях высокотехнологичных отраслей промышленности; сократить общее технологическое отставание России от передовых стран с сохранением и развитием приоритетного положения отечественных разработок по ряду важных технологических направлений; расширить возможности для равноправного международного сотрудничества в сфере высоких технологий; создать эффективные средства защиты населения от опасных быстрораспространяющихся инфекций и биотерроризма, а также сформировать технологические основы развития и совершенствования систем защиты предприятий, населения и территорий России от поражения токсическими веществами в результате возможных террористических актов, техногенных и природных аварий и катастроф; обеспечить технологические возможности для улучшения экологической обстановки за счет применения высокоэффективных методов и средств контроля и нейтрализации вредных выбросов в окружающую среду; обеспечить в 2007-2011 годах поступление в федеральный бюджет налогов в размере 47081,2 млн. рублей, что превысит размер бюджетных расходов за тот же период и создаст бюджетный эффект в размере 24091,7 млн. рублей; обеспечить индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований 2,05, а окупаемость бюджетных ассигнований (период возврата) в течение 1,3 года".

2. В разделе I: а) абзац десятый исключить; б) абзац двадцать девятый исключить; в) абзац сороковой изложить в следующей редакции: "В состав Программы входит подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы (далее - подпрограмма), реализация которой завершается в 2007 году."; г) абзацы сорок первый и сорок второй исключить; д) в абзаце сорок третьем слова "и подпрограммы" в соответствующем падеже исключить.

3. В абзаце семнадцатом раздела II слова "(без подпрограммы)" исключить.

4. В разделе IV: а) абзац первый - третий исключить; б) абзацы четвертый - шестой изложить в следующей редакции: "Расходы на реализацию Программы без учета подпрограммы составляют 67298 млн. рублей, в том числе: за счет средств федерального бюджета - 30149 млн. рублей, из них на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 22649 млн. рублей и на капитальные вложения - 7500 млн. рублей; за счет средств внебюджетных источников - 37149 млн. рублей.".

5. Абзацы третий - четырнадцатый раздела VI изложить в следующей редакции: "Показатели коммерческой эффективности: чистая прибыль предприятий - 33225,2 млн. рублей; чистый дисконтированный доход - 20779,5 млн. рублей; индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистому доходу предприятий - 1,75; срок окупаемости (период возврата) инвестиций за счет всех источников финансирования по чистому доходу предприятий - 2,2 года; внутренняя норма доходности инвестиций (при норме дисконтирования, принятой для расчета 0,15) - 1,76. Показатели бюджетной эффективности: налоги, поступающие в бюджет, - 47081,2 млн. рублей; бюджетный эффект - 24091,7 млн. рублей; срок окупаемости (период возврата) бюджетных средств по налоговым поступлениям - 1,3 года; индекс доходности (рентабельность) бюджетных средств по налоговым поступлениям - 2,05; удельный вес средств федерального бюджета (степень участия государства) в общем объеме финансирования - 0,83.".

6. В приложении N 2: а) в позиции 39: слова "Институт физических проблем" заменить словами "Институт физики полупроводников"; слова "(государственный заказчик - Российская академия наук)" заменить словами "(государственный заказчик - Сибирское отделение Российской академии наук)"; б) в позициях 64-65 слова "(государственный заказчик - Российская академия наук)" заменить словами "(государственный заказчик - Сибирское отделение Российской академии наук)".

7. Приложения N 3-6 изложить в следующей редакции:

"ПРИЛОЖЕНИЕ N 3 к федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

Объемы финансирования мероприятий федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) --------------------------------------------------------------------------------------- Наименование базовых ¦ Источники ¦2007- ¦ 2007 ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 технологических направлений ¦ финанси- ¦2011 ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ рования ¦годы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ---------------------------------------------------------------------------------------

Объемы финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ
Технологии новыхвсего 9898 952 1140 1402 2767 3637 материалов в том числе 3849 476 570 701 908 1194 федеральный бюджет

Общемашиностроительныевсего 9440 832 1056 1336 2685 3531 технологии в том числе 3620 416 528 668 867 1141 федеральный бюджет

Базовые технологиивсего 7342 970 1106 1310 1710 2246 энергетики в том числе 3371 485 553 655 724 954 федеральный бюджет

Технологии перспективныхвсего 4456 466 764 882 1012,6 1331,4 двигательных установок в том числе 2028 233 382 441 419,9 552,1 федеральный бюджет

Химические технологии ивсего 3326 440 462 513 826 1085 катализ в том числе 1463 220 231 256,5 325,6 429,9 федеральный бюджет

Технологии морской техники, всего9000 502 778 1261 2789 3670 функционирующей в в том числе 3300 251 389 630,5 875,7 1153,8 экстремальных природных федеральный условиях бюджет

Технологии обеспечениявсего 4436 638 764 848 945 1241 безопасности в том числе 1918 319 382 424 343 450 жизнедеятельности, федеральный диагностики и защиты бюджет человека от опасных заболеваний

Системно-аналитическиевсего 500 100 100 100 87 113 исследования проблем в том числе 500 100 100 100 87 113 развития базовых технологий федеральный бюджет

Подпрограмма "Развитиевсего 3900 3900 - - - - электронной компонентной в том числе 2600 2600 - - - - базы" на 2007-2011 годы федеральный бюджет

Итого по Программевсего 52298 8800 6170 7652 12821,6 16854,4 в том числе 22649 5100 3135 3876 4550,2 5987,8 федеральный бюджет

Объемы капитальных вложений
Технологии новыхвсего 4452 - 672 780 1236 1764 материалов в том числе 2226 - 336 390 618 882 федеральный бюджет

Общемашиностроительныевсего 1360 - 204 264 332 560 технологии в том числе 680 - 102 132 166 280 федеральный бюджет

Базовые технологиивсего 2018 - 353 447 518 700 энергетики в том числе 1009 - 176,5 223,5 259 350 федеральный бюджет

Технологии перспективныхвсего 1586 - 237 425 328 596 двигательных установок в том числе 793 - 118,5 212,5 164 298 федеральный бюджет

Химические технологии ивсего 480 - 72 128 180 100 катализ в том числе 240 - 36 64 90 50 федеральный бюджет

Технологии морской техники, всего2086 - 312 356 504 914 функционирующей в в том числе 1043 - 156 178 252 457 экстремальных природных федеральный условиях бюджет

Технологии обеспечениявсего 618 - 90 170 358 - безопасности в том числе 309 - 45 85 179 - жизнедеятельности, федеральный диагностики и защиты бюджет человека от опасных заболеваний

Системно-аналитическиевсего - - - - - - исследования проблем в том числе - - - - - - развития базовых технологий федеральный бюджет

Подпрограмма "Развитиевсего 2400 2400 - - - - электронной компонентной в том числе 1200 1200 - - - - базы" на 2007-2011 годы федеральный бюджет

Итого по Программевсего 15000 2400 1940 2570 3456 4634 в том числе 7500 1200 970 1285 1728 2317 федеральный бюджет

__________________

ПРИЛОЖЕНИЕ N 4 к федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

Объемы финансирования федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) ---------------------------------------------------------------------------------- ¦2007- ¦ 2007 ¦2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦2011 ¦ год ¦год ¦ год ¦ год ¦ год ¦годы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ---------------------------------------------------------------------------------- Всего, включая подпрограмму "Развитие 67298 11200 8110 10222 16277,6 21488,4 электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

в том числе: федеральный бюджет30149 6300 4105 5161 6278,2 8304,8

внебюджетные средства37149 4900 4005 5061 9999,4 13183,6

Капитальные вложения - всего15000 2400 1940 2570 3456 4634

в том числе: федеральный бюджет7500 1200 970 1285 1728 2317

внебюджетные средства7500 1200 970 1285 1728 2317

Научно-исследовательские и52298 8800 6170 7652 12821,6 16854,4 опытно-конструкторские работы - всего

в том числе: федеральный бюджет22649 5100 3135 3876 4550,2 5987,8

внебюджетные средства29649 3700 3035 3776 8271,4 10866,6

По подпрограмме "Развитие электронной 63006300 - - - - компонентной базы" на 2007-2011 годы - всего

в том числе: федеральный бюджет3800 3800 - - - -

внебюджетные средства2500 2500 - - - -

Капитальные вложения - всего2400 2400 - - - -

в том числе: федеральный бюджет1200 1200 - - - -

внебюджетные средства1200 1200 - - - -

Научно-исследовательские и3900 3900 - - - - опытно-конструкторские работы - всего

в том числе: федеральный бюджет2600 2600 - - - -

внебюджетные средства1300 1300 - - - -

_______________

ПРИЛОЖЕНИЕ N 5 к федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

Распределение объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) --------------------------------------------------------------------------------- ¦2007- ¦2007 ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦2011 ¦год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦годы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ --------------------------------------------------------------------------------- Всего 30149 6300 4105 5161 6278,2 8304,8

в том числе по подпрограмме3800 3800 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации
Научно-исследовательские и4104 630 630 776 1094,2 973,8 опытно-конструкторские работы - всего

в том числе по подпрограмме200 200 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Федеральное агентство по промышленности
Капитальные вложения - всего5660 1175 659,5 871,5 754 1900

в том числе по подпрограмме1175 1175 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Научно-исследовательские и16776 4050 2225 2750 3145 4606 опытно-конструкторские работы - всего

в том числе по подпрограмме2230 2230 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Всего22436 5225 2884,5 3621,5 4199 6506

в том числе по подпрограмме3405 3405 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Федеральное агентство по атомной энергии
Капитальные вложения - всего333 - 75,5 93,5 61 103

в том числе по подпрограмме- - - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Научно-исследовательские и1659 310 280 350 311 408 опытно-конструкторские работы - всего

в том числе по подпрограмме60 60 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Всего1992 310 355,5 443,5 372 511

в том числе по подпрограмме60 60 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Федеральное космическое агентство
Капитальные вложения - всего199 - 16 39 72 72

в том числе по подпрограмме- - - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Научно-исследовательские и60 60 - - - - опытно-конструкторские работы - всего

в том числе по подпрограмме60 60 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Всего259 60 16 39 72 72

в том числе по подпрограмме60 60 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Федеральное агентство по науке и инновациям
Капитальные вложения - всего812 - 118 152 300 242

Научно-исследовательские и50 50 - - - - опытно-конструкторские работы

в том числе по подпрограмме50 50 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Всего862 50 118 152 300 242

в том числе по подпрограмме50 50 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Федеральное агентство по образованию
Капитальные вложения - всего25 25 - - - -

в том числе по подпрограмме25 25 - - - - "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

Российская академия наук
Капитальные вложения - всего471 - 101 129 241 -

в том числе Сибирское отделение150 - 44 44 62 - Российской академии наук

_____________

ПРИЛОЖЕНИЕ N 6 к федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

Основные показатели социально-экономической эффективности реализации федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

(млн. рублей) --------------------------------------------------------------------------------------------- ¦ Расчетный период ¦ За +----------------------------------------------¦расчет- ¦2007 год¦2008 год¦2009 год¦2010 год ¦2011 год ¦ ный +----------------------------------------------¦период ¦ Номер шага ¦ +----------------------------------------------¦ ¦ 1 ¦ 2 ¦ 3 ¦ 4 ¦ 5 ¦ --------------------------------------------------------------------------------------------- Коммерческая эффективность

Годовой объем реализованной продукции 4173042424,3 65329,1 114152,9 217392,7 - в действующих ценах без налога на добавленную стоимость

Себестоимость годового объема36305,1 36060,6 55836,6 95926,8 181160,6 - реализованной продукции

Валовая прибыль5424,9 6363,6 9492,3 18226,1 36232,1 -

Инвестиции из всех источников2156 1602 1758 2802 2802 11120 финансирования на капитальные вложения (в ценах 2006 года)

Инвестиции из всех источников2400 1919 2255,3 3839,1 4088,7 - финансирования на капитальные вложения (в ценах соответствующих лет)

Инвестиции из всех источников2400 4297 6552,4 10391,5 14480,2 - финансирования на капитальные вложения нарастающим итогом (в ценах соответствующих лет)

Налог на имущество52,8 94,5 144,2 228,6 318,6 -

Налогооблагаемая прибыль5372,1 6269,1 9348,1 17997,5 35913,6 -

Налог на прибыль1289,3 1504,6 2243,5 4319,4 8619,3 -

Чистая прибыль4082,8 4764,5 7104,6 13678,1 27294,3 -

Чистая прибыль с учетом3550,3 3602,7 4671,4 7820,5 13580,4 33225,2 дисконтирования

Амортизационные отчисления в1815,3 2163,6 3629,4 6235,2 12681,2 - структуре себестоимости

Материальные затраты в структуре19967,8 19833,3 30710,3 52759,7 99638,3 - себестоимости

Фонд оплаты труда в структуре4356,6 6490,9 11167,4 20144,6 38043,7 - себестоимости

Налог на добавленную стоимость3917,2 4066,4 6231,4 11050,8 21195,8 -

Подоходный налог566,4 843,8 1451,8 2618,8 4945,7 -

Единый социальный налог1132,7 1887,8 2903,5 5237,6 9891,4 -

Налоги, поступающие в бюджет и6958,4 8196,9 12974,4 23455,2 44970,7 - внебюджетные фонды

Сальдо от операционной деятельности.5898,1 6928,2 10734 19913,3 39975,5 - Чистый доход предприятий (чистая прибыль и амортизационные отчисления)

Коэффициент дисконтирования (норма0,87 0,756 0,658 0,572 0,497 - дисконта Е = 0,15)

Сальдо от операционной деятельности5128,7 5238,7 7057,8 11385,5 19573,2 48383,8 с учетом дисконтирования к 2006 году. Чистый доход предприятий с учетом дисконтирования

Величина инвестиций из всех8800 5184,3 6374,8 11722,3 12405,4 - источников финансирования в действующих ценах

Величина инвестиций из всех6521,8 3920,1 4191,5 6702,2 5268,7 27604,3 источников финансирования с учетом дисконтирования к 2006 году (в ценах соответствующих лет)

Сальдо суммарного потока от-1393 1318,6 2866,2 4683,3 13304,4 20779,5 инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (в ценах соответствующих лет)

Сальдо накопленного суммарного-1393 -477,3 2389 7072,3 20779,5 - потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом). Чистый дисконтированный доход

Срок окупаемости инвестиций- - - - - 2,2 (период возврата), лет

Индекс доходности (рентабельность)- - - - - 1,75 инвестиций

Внутренняя норма доходности- - - - - 1,76

Уровень безубыточности0,67 0,66 0,67 0,63 0,62 0,66

Бюджетная эффективность
Средства федерального бюджета на6300 4105 5161 6278,2 8304,8 30149 научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения (в ценах соответствующих лет)

Средства федерального бюджета на5478,5 3104 3393,4 3717,7 4166,3 19859,9 научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения в действующих ценах с учетом дисконтирования к 2006 году

Налоги, поступающие в бюджет и5082,8 5051 7021,8 11214,5 18711,1 47081,2 внебюджетные фонды с учетом дисконтирования к 2006 году и степени участия государства (в ценах соответствующих лет)

Сальдо суммарного потока в бюджетной-395,7 1856,4 3571,7 5609,8 13449,5 24091,7 сфере с учетом дисконтирования (в ценах соответствующих лет)

Бюджетный эффект-395,7 1387,6 4959,3 10569,2 24091,7 -

Индекс доходности бюджетных средств- - - - - 2,05

Удельный вес средств федерального0,84 0,81 0,82 0,84 0,84 0,83 бюджета в объеме финансирования (степень участия государства)

Срок окупаемости (период возврата)- - - - - 1,3". бюджетных средств, лет

_____________