Постановление Правительства Российской Федерации от 08.09.2011 № 763 "О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы"

ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

П О С Т А Н О В Л Е Н И Е

от 8 сентября 2011 г. N 763

МОСКВА

О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Правительство Российской Федерации п о с т а н о в л я е т: Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 51, ст. 6361; 2009, N 9, ст. 1130).

Председатель Правительства Российской Федерации В.Путин __________________________

УТВЕРЖДЕНЫ постановлением Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. N 763

И З М Е Н Е Н И Я, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

1. В паспорте Программы: а) позицию, касающуюся государственных заказчиков Программы, изложить в следующей редакции:

"Государственные- Министерство промышленности и торговли заказчики Российской Федерации, Федеральное космическое Программы агентство, Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю, Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом";

б) в позиции, касающейся важнейших целевых индикатора и показателей: в абзаце втором слова "Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит" заменить словами "В организациях микроэлектроники в 2008 году освоен технологический уровень 0,18 мкм, что позволило обеспечить"; в абзаце третьем цифры "0,09" заменить цифрами "0,13"; в абзаце пятом цифры "64" заменить цифрами "62", цифры "117" заменить цифрами "114"; в) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы: в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366"; в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71", цифры "66000" заменить цифрами "63908,3", цифры "44000" заменить цифрами "42936,41"; в абзаце третьем цифры "77000" заменить цифрами "72379,656; г) в позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности: в абзаце тринадцатом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640"; в абзаце четырнадцатом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".

2. Предложения третье и четвертое абзаца четвертого подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II заменить текстом следующего содержания: "В результате реализации Программы в 41 организации электронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации будут созданы центры проектирования, а в 96 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Кроме того, техническое перевооружение будет осуществлено в одной организации, подведомственной Федеральной службе по техническому и экспортному контролю. Также к 2015 году центры проектирования будут созданы в 21 организации Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", Федерального космического агентства и Министерства образования и науки Российской Федерации, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 17 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.".

3. В разделе IV: а) в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366"; б) в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71"; в) в абзаце третьем цифры "66000" заменить цифрами "63908,3"; г) в абзаце четвертом цифры "44000" заменить цифрами "42936,41"; д) в абзаце пятом цифры "77000" заменить цифрами "72379,656"; е) в абзаце седьмом цифры "33000" заменить цифрами "32500".

4. В абзаце десятом раздела V слова "Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию" заменить словами "Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю".

5. В разделе VI: а) в абзаце пятом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4"; б) в абзаце шестом цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9"; в) в абзаце седьмом цифры "125045,9" заменить цифрами "131640"; г) в абзаце девятом цифры "1,52" заменить цифрами "1,54"; д) в абзаце десятом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".

6. Приложения N 1-4 к указанной Программе изложить в следующей редакции:

"ПРИЛОЖЕНИЕ N 1 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. N 763)

ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

-------------------------|-------|-----|------|------|------|------|------|------|------|-----|Единица|2007 | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 |2015 |измере-|год | год | год | год | год | год | год | год |год | ния | | | | | | | | | -------------------------|-------|-----|------|------|------|------|------|------|------|-----

Индикатор
Достигаемыймкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045 технологический уровень электроники

Показатели
Увеличение объемовмлрд. 19 58 70 95 130 170 210 250 300 продаж изделий рублей электронной и радиоэлектронной техники

Количество разработанных -3-5 16-20 80-90 125- 179- 210 230 250 260- базовых технологий в 135 185 270 области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом)

Количество объектов- 1 8 10 14 30 30 31 31 42 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)

Количество объектов- - - - - 1 1 1 4 4 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов- - - - - - 1 3 3 10 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов- - 1 1 2 2 3 5 5 7 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов- - 1 5 8 18 21 25 25 96 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)

Количество объектов- - - - - - 1 1 1 1 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом)

Количество объектов- - - - - - - 1 1 9 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов- - - - - - - 1 1 8 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

Количество завершенных- 1 3 9 9-10 10-12 12-14 14-16 16-18 20-22 поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом)

Количество реализованных -4 11-12 16-20 22-25 36-40 41-45 45-50 50-55 55-60 мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)

Количество создаваемых- 450 1020- 1800- 3000- 3800- 4100- 4400- 4700- 5000- рабочих мест 1050 2200 3800 4100 4400 4700 5000 6000 (нарастающим итогом)

_______________

ПРИЛОЖЕНИЕ N 2 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. N 763)

П Е Р Е Ч Е Н Ь мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) -----------------------|----------|-------------------------------------------------------------------------|------------------------------ Мероприятия |2008-2015 | В том числе | Ожидаемые результаты | годы - |---------|---------|---------|-------|---------|--------|---------|------| | всего | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | | | год | год | год | год | год | год | год | год | | | | | | | | | | | -----------------------|----------|---------|---------|---------|-------|---------|--------|---------|------|------------------------------

I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника
1.Разработка 128,624 66 62,624 создание базовой технологии технологии _______ __ ______ производства мощных производства 84 44 40 сверхвысокочастотных мощных транзисторов на основе сверхвысоко- гетероструктур материалов частотных группы А В для бортовой и транзисторов 3 5 на основе наземной аппаратуры гетероструктур (2009 год), разработка материалов комплектов документации в группы А В стандартах единой системы 3 5 конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

2.Разработка 208,25 30,5 39,5 53,25 31,8 53,2 создание базовой технологии базовой ______ ____ ____ _____ ____ ____ производства монолитных технологии 137,7 20 26 35,5 21,2 35 сверхвысокочастотных производства микросхем и объемных монолитных приемо-передающих сверхвысоко- сверхвысокочастотных частотных субмодулей X-диапазона на микросхем и основе гетероструктур объемных материалов группы А В для приемо- 3 5 передающих бортовой и наземной сверхвысоко- аппаратуры радиолокации, частотных средств связи (2013 год), субмодулей разработка комплектов X-диапазона документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

3.Разработка 212,75 141,75 71 создание технологии базовой ______ ______ __ производства мощных технологии 134,75 87,75 47 транзисторов производства сверхвысокочастотного мощных диапазона на основе сверхвысоко- нитридных частотных гетероэпитаксиальных полупровод- структур для техники связи, никовых радиолокации (2009 год) приборов на основе нитридных гетеро- эпитаксиальных структур

4.Разработка 531 20 77,5 163,5 118 152 создание технологии базовой ___ __ ____ _____ ___ ___ производства на основе технологии и 375 17 65 109 80 104 нитридных библиотеки гетероэпитаксиальных элементов для структур мощных проектирования сверхвысокочастотных и производства монолитных интегральных монолитных схем с рабочими частотами интегральных до 20 ГГц для техники схем связи, радиолокации сверхвысоко- (2013 год), разработка частотного комплектов документации в диапазона на стандартах единой системы основе конструкторской, нитридных технологической и гетероэпитак- производственной сиальных документации, ввод в структур эксплуатацию производственной линии

5.Разработка 149,257 85,757 63,5 создание базовой технологии базовой _______ ______ ____ производства компонентов технологии 101,7 59,7 42 для сверхвысокочастотных производства интегральных схем диапазона сверхвысоко- 2-12 ГГц с высокой степенью частотных интеграции для аппаратуры компонентов и радиолокации и связи сложнофункци- бортового и наземного ональных применения, а также бытовой блоков для и автомобильной электроники сверхвысоко- (2009 год), разработка частотных комплектов документации в интегральных стандартах единой системы схем высокой конструкторской, степени технологической и интеграции на производственной основе документации, ввод в гетероструктур эксплуатацию "кремний - производственной линии германий"

6.Разработка 248,55 5,6 65,8 177,15 создание базовой технологии базовой ______ ___ ____ ______ производства технологии 158,1 5 35 118,1 сверхвысокочастотных производства интегральных схем диапазона сверхвысоко- 2-12 ГГц с высокой степенью частотных интеграции для аппаратуры интегральных радиолокации и связи схем высокой бортового и наземного степени применения, а также бытовой интеграции на и автомобильной электроники основе (2011 год), разработка гетероструктур комплектов документации в "кремний - стандартах единой системы германий" конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

7.Разработка 448,408 253 195,408 разработка аттестованных аттестованных _______ ___ _______ библиотек библиотек 308,75 169 139,75 сложнофункциональных блоков сложнофункцио- для проектирования широкого нальных блоков спектра сверхвысокочастотных для интегральных схем на SiGe с проектирования рабочими частотами до сверхвысоко- 150 ГГц, разработка частотных и комплектов документации в радиочастотных стандартах единой системы интегральных конструкторской, схем на основе технологической и гетероструктур производственной "кремний - документации, германий" ввод в эксплуатацию производственной линии

8.Разработка 217,44 47 80,09 58,95 17 14,4 создание базовых технологий базовых ______ __ _____ _____ ____ ____ проектирования на основе технологий 142 30 52 39,3 11,3 9,4 библиотеки проектирования сложнофункциональных блоков кремний- широкого спектра германиевых сверхвысокочастотных сверхвысоко- интегральных схем на SiGe с частотных и рабочими частотами до радиочастотных 150 ГГц (2013 год), интегральных разработка комплектов схем на основе документации в стандартах аттестованной единой системы библиотеки конструкторской, сложнофункцио- технологической и нальных блоков производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

9.Разработка 114,9 60 54,9 создание базовых технологий базовых _____ __ ____ производства элементной технологий 74 40 34 базы для высокоплотных производства источников вторичного элементной электропитания базы для ряда сверхвысокочастотных силовых приборов и узлов аппаратуры герметичных (2009 год), разработка модулей комплектов документации в высокоплотных стандартах единой системы источников конструкторской, вторичного технологической и электропитания производственной вакуумных и документации, ввод в твердотельных эксплуатацию сверхвысоко- производственной линии частотных приборов и узлов аппаратуры

10. Разработка126,913 79,513 47,4 создание базовых конструкций базовых _______ ______ ____ и технологии производства технологий 73,1 41,5 31,6 высокоэффективных, производства высокоплотных источников ряда силовых вторичного электропитания герметичных сверхвысокочастотных модулей приборов и узлов аппаратуры высокоплотных на основе гибридно- источников пленочной технологии с вторичного применением бескорпусной электропитания элементной базы (2011 год), вакуумных и разработка комплектов твердотельных документации в стандартах сверхвысоко- единой системы частотных конструкторской, приборов и узлов технологической и аппаратуры производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

11. Разработка226 151,2 74,8 создание технологии базовых ___ _____ ____ массового производства ряда конструкций 152 102 50 корпусов мощных и технологии сверхвысокочастотных производства приборов для "бессвинцовой" корпусов сборки (2009 год), мощных разработка комплектов сверхвысоко- документации в стандартах частотных единой системы транзисторов конструкторской, X-, C-, S-, L- технологической и и P-диапазонов производственной из малотоксичных документации, ввод в материалов с эксплуатацию высокой производственной линии теплопро- водностью

12. Разработка83,5 13 40,5 30 создание базовых базовых ____ __ ____ __ конструктивных рядов конструкций 55 8 27 20 элементов систем охлаждения теплоотводящих аппаратуры Х- и С- элементов диапазонов наземных, систем корабельных и воздушно- охлаждения космических комплексов сверхвысоко- частотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов

13. Разработка109 64 45 создание технологии базовой ___ __ __ массового производства технологии 62 32 30 конструктивного ряда производства элементов систем охлаждения теплоотводящих аппаратуры Х- и С- элементов диапазонов наземных, систем корабельных и воздушно- охлаждения космических комплексов сверхвысоко- (2011 год), разработка частотных комплектов документации в приборов Х- и стандартах единой системы С-диапазонов конструкторской, на основе новых технологической и материалов производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

14. Разработка13 13 создание технологии базовых __ __ массового производства технологий 8 8 конструктивного ряда производства сверхвысокочастотных суперлинейных транзисторов S- и L- кремниевых диапазонов для техники сверхвысоко- связи, локации и контрольной частотных аппаратуры (2009 год), транзисторов разработка комплектов S- и L- документации в стандартах диапазонов единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

15. Разработка208,9 139,9 69 создание конструктивно- конструктивно- _____ _____ __ параметрического ряда параметричес- 115,9 69,9 46 сверхвысокочастотных кого ряда транзисторов S- и L- суперлинейных диапазонов для техники кремниевых связи, локации и контрольной сверхвысоко- аппаратуры, разработка частотных комплектов документации в транзисторов S- стандартах единой системы и L-диапазонов конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

16. Разработка32 18 14 разработка метрологической технологии __ __ __ аппаратуры нового поколения измерений и 22 12 10 для исследования и контроля базовых параметров полупроводниковых конструкций структур, активных элементов установок и сверхвысокочастотных автоматизи- монолитных интегральных рованного схем в производстве и при измерения их использовании параметров нелинейных моделей сверхвысоко- частотных полупровод- никовых структур, мощных транзисторов и сверхвысоко- частотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства

17. Исследование149,416 84,916 64,5 создание технологии и разработка _______ ______ ____ унифицированных базовых 102 59 43 сверхширокополосных приборов технологий для среднего и большого уровня создания нового мощности сантиметрового поколения диапазона длин волн и мощных вакуумно- сверхвысокочастотных твердотельных магнитоэлектрических сверхвысоко- приборов для перспективных частотных радиоэлектронных систем и приборов и аппаратуры связи гибридных космического базирования малогабаритных (2009 год), разработка сверхвысоко- комплектов документации в частотных стандартах единой системы модулей с конструкторской, улучшенными технологической и массогабаритными производственной характеристиками, документации, ввод в магнитоэлектри- эксплуатацию ческих приборов производственной линии сверхвысоко- частотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

18. Разработка118,45 77,5 40,95 разработка конструктивных базовых ______ ____ _____ рядов и базовых технологий конструкций и 85,3 58 27,3 производства технологии сверхширокополосных производства приборов среднего и нового большого уровня мощности поколения мощных сантиметрового диапазона вакуумно- длин волн и твердотельных сверхвысокочастотных сверхвысоко- магнитоэлектрических частотных приборов для перспективных приборов и радиоэлектронных систем и гибридных аппаратуры связи малогабаритных космического базирования сверхвысоко- (2011 год), разработка частотных комплектов документации в модулей с стандартах единой системы улучшенными конструкторской, массогабаритными технологической и характеристиками, производственной магнитоэлектри- документации, ввод в ческих приборов эксплуатацию сверхвысоко- производственной линии частотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

19. Исследование и110,5 65,5 45 создание технологических разработка _____ ____ __ процессов производства процессов и 75,5 45,5 30 нанопленочных малогабаритных базовых сверхвысокочастотных технологий резисторно-индуктивно- нанопленочных емкостных матриц малогабаритных многофункционального сверхвысоко- назначения для печатного частотных монтажа (2008 год), резисторно- создание базовой технологии индуктивно- получения емкостных матриц сверхбыстродействующих (до многофункцио- 150 ГГц) приборов на нального наногетероструктурах с назначения для квантовыми эффектами печатного (2009 год), разработка монтажа и комплектов документации в сверхбыстро- стандартах единой системы действующих конструкторской, (до 150 ГГц) технологической и приборов на производственной наногетеро- документации, структурах с ввод в эксплуатацию квантовыми производственной линии дефектами

20. Разработка84,5 50 34,5 создание конструктивных базовых ____ __ ____ рядов и базовых технологий конструкций и 53 30 23 производства нанопленочных технологии малогабаритных производства сверхвысокочастотных нанопленочных резисторно-индуктивно- малогабаритных емкостных матриц сверхвысоко- многофункционального частотных назначения для печатного резисторно- монтажа (2011 год), индуктивно- разработка комплектов емкостных матриц документации в стандартах многофункцио- единой системы нального конструкторской, назначения для технологической и печатного монтажа производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

21. Разработка133,314 63,447 69,867 создание базовой технологии базовой _______ ______ ______ производства элементов и технологии 88 42 46 специальных элементов и сверхвысоко- блоков портативной частотных аппаратуры миллиметрового p-i-n диодов, диапазона длин волн для матриц, узлов нового поколения средств управления и связи, радиолокационных портативных станций, радионавигации, фазированных измерительной техники, блоков автомобильных радаров, аппаратуры охранных и сигнальных миллиметрового устройств (2009 год), диапазона длин разработка комплектов волн на основе документации в стандартах магнито- единой системы электронных конструкторской, твердотельных и технологической и высокоскоростных производственной цифровых приборов документации, ввод в и устройств с эксплуатацию функциями производственной линии адаптации и цифрового диаграммо- образования

22. Разработка2342,933 338 295,11 364,823 380,85 320 189,8 218,35 236 создание конструктивных базовых ________ ___ ______ _______ ______ ___ _____ ______ ___ рядов и базовых технологий технологий 1540,66 230 193,1 226,98 253,9 210 124,8 145,88 156 проектирования и создания мощных производства мощных и вакуумных сверхмощных вакуумных сверхвысоко- сверхвысокочастотных частотных приборов для аппаратуры устройств широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку: конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год); мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год); малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)

23. Разработка1661,182 158,001 253,012 296,269 293,55 287,35 118 112 143 создание базовых базовых ________ _______ _______ _______ ______ ______ ____ ___ ___ конструкций и технологий технологий 1096,4 103 166,5 192,4 195,7 189,9 78,9 75 95 изготовления создания мощных сверхвысокочастотных мощных твердотельных приборов на структурах с сверхвысоко- использованием нитрида частотных галлия (2008 год, 2010 устройств на год), включая: базе нитрида создание гетеропереходных галлия полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30-40 Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В; исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год); разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)

24. Исследование1085,2 160,2 99,5 300 308 217,5 исследование технологических перспективных ______ _____ _____ _____ ___ _____ принципов формирования типов 699,1 32,8 224,7 147,6 170 124 перспективных сверхвысоко- сверхвысокочастотных частотных приборов и структур, включая приборов и создание наногетероструктур, структур, использование разработка комбинированных (электронных технологических и оптических методов принципов их передачи и преобразования изготовления сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц

25. Разработка1043,3 49,2 331,7 221,4 255 186 создание полного состава перспективных ______ ____ _____ _____ ___ ___ прикладных программ методов 699,1 32,8 224,7 147,6 170 124 проектирования и оптимизации проектирования и сверхвысокочастотной моделирования электронной компонентной сложно- базы, включая проектирование функциональной активных приборов, сверхвысоко- полосковых линий передачи, частотной согласующих компонентов, электронной формируемых в едином компонентной базы технологическом процессе

Всего по 9787,287 1485,57 1392,821 1375,395 1603,5 1205,35 1048,8 893,35 782,5 направлению 1 ________ _______ ________ ________ ______ _______ ______ ______ _____ 6468,08 993,95 929,35 855,78 1069 804,12 700 595,88 520

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база
26. Разработка106,65 60 46,65 создание технологии базовой ______ __ _____ изготовления микросхем с технологии 79,65 38 41,65 размерами элементов 0,5 мкм радиационно на структурах "кремний на стойких сапфире" диаметром 150 мм сверхбольших (2009 год), разработка интегральных правил проектирования схем уровня базовых библиотек элементов 0,5 мкм на и блоков цифровых и структурах аналоговых сверхбольших "кремний на интегральных схем сапфире" расширенной номенклатуры диаметром для организации 150 мм производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)

27. Разработка286,65 39,2 170,25 53,2 24 создание технологии базовой ______ ____ ______ ____ ____ изготовления микросхем с технологии 188,1 19,6 113,5 37,2 17,8 размерами элементов 0,35 мкм радиационно на структурах "кремний на стойких сапфире" диаметром 150 мм сверхбольших (2013 год), разработка интегральных правил проектирования схем уровня базовых библиотек элементов 0,35 мкм на и блоков цифровых и структурах аналоговых сверхбольших "кремний на интегральных схем, сапфире" обеспечивающих создание диаметром расширенной номенклатуры 150 мм быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы

28. Разработка245,904 130 115,904 создание технологического технологии _______ ___ _______ базиса (технология проектирования и 164 87 77 проектирования, базовые конструктивно- технологии), позволяющего технологических разрабатывать радиационно решений стойкие сверхбольшие библиотеки интегральные схемы на логических и структурах "кремний на аналоговых изоляторе" с проектной элементов, нормой до 0,25 мкм оперативных (2009 год) запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно- функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм

29. Разработка365,35 108,6 166,05 67,7 23 создание технологического технологии ______ _____ ______ ____ ____ базиса (технология проектирования и 235 54,3 110,7 52,6 17,4 проектирования, базовые конструктивно- технологии), позволяющего технологических разрабатывать радиационно решений стойкие сверхбольшие библиотеки интегральные схемы на логических и структурах "кремний на аналоговых изоляторе" с проектной элементов, нормой до 0,18 мкм оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно- функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм

30. Разработка141,75 92 49,75 создание технологического базовых ______ __ _____ процесса изготовления технологических 97,65 63 34,65 сверхбольших интегральных процессов схем энергонезависимой, изготовления радиационно стойкой радиационно сегнетоэлектрической памяти стойкой уровня 0,35 мкм и базовой элементной базы технологии создания, для сверхбольших изготовления и аттестации интегральных схем радиационно стойкой энергозависимой пассивной электронной пьезоэлектричес- компонентной базы (2009 кой и магнито- год) резистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

31. Разработка257,45 74,6 130,35 42,3 10,2 создание технологического базовых ______ ____ ______ ____ ____ процесса изготовления технологических 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 сверхбольших интегральных процессов схем энергонезависимой изготовления радиационно стойкой радиационно сегнетоэлектрической памяти стойкой уровня 0,18 мкм (2010 год) элементной базы и создания, изготовления и для сверхбольших аттестации радиационно интегральных схем стойкой пассивной энергозависимой электронной компонентной пьезоэлектричес- базы (2013 год) кой и магнито- резистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

32. Разработка110,736 58,609 52,127 разработка расширенного технологии _______ ______ ______ ряда цифровых процессоров, "кремний на 73 38 35 микроконтроллеров, сапфире" оперативных запоминающих изготовления программируемых и ряда перепрограммируемых лицензионно- устройств, аналого-цифровых независимых преобразователей в радиационно радиационно стойком стойких исполнении для создания комплементарных специальной аппаратуры полевых нового поколения полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса

33. Разработка370,802 82,952 190,35 72,6 24,9 создание технологии технологии _______ ______ ______ ____ ____ проектирования и структур с 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 изготовления микросхем и ультратонким сложнофункциональных блоков слоем кремния на основе ультратонких на сапфире слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год)

34. Разработка92,669 51 41,669 разработка конструкции и базовой ______ __ ______ модели интегральных технологии и 73,15 40 33,15 элементов и технологического приборно-техно- маршрута изготовления логического радиационно стойких базиса сверхбольших интегральных производства схем типа "система на радиационно кристалле" с расширенным стойких температурным диапазоном, сверхбольших силовых транзисторов и интегральных модулей для бортовых и схем "система промышленных систем на кристалле", управления с пробивными радиационно напряжениями до 75 В и стойкой силовой рабочими токами коммутации электроники до 10 А (2009 год) для аппаратуры питания и управления

35. Разработка74,471 36,2 38,271 создание ряда элементной базы ______ ____ ______ микронанотриодов и радиационно 50,6 26,1 24,5 микронанодиодов с наивысшей стойких радиационной стойкостью для интегральных долговечной аппаратуры схем на основе космического базирования полевых эмиссионных микронанотриодов

36. Создание256,6 21,4 25 92,4 117,8 разработка комплекса информационной _____ ____ ____ ____ _____ моделей расчета базы радиационно 167,3 10,7 16,6 61,6 78,4 радиационной стойкости стойкой электронной компонентной электронной базы для определения компонентной технически обоснованных базы, содержащей норм испытаний модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы

37. Разработка975,5 105 184,5 281,5 209,5 195 создание технологии библиотек _____ ___ _____ _____ _____ ___ проектирования и стандартных 650 70 123 187,5 139,5 130 изготовления микросхем и элементов и сложнофункциональных блоков сложнофункцио- на основе ультратонких нальных блоков слоев на структуре "кремний для создания на сапфире", позволяющей радиационно разрабатывать радиационно стойких стойкие сверхбольшие сверхбольших интегральные схемы с высоким интегральных схем уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)

38. Разработка978,75 187,5 185 163 242,75 200,5 разработка расширенного расширенного ______ _____ ___ _____ ______ _____ ряда цифровых процессоров, ряда радиационно 650 125 123 108,5 160 133,5 микроконтроллеров, стойких оперативных запоминающих сверхбольших программируемых и интегральных перепрограммируемых схем для устройств, аналого-цифровых специальной преобразователей в аппаратуры связи, радиационно стойком обработки исполнении для создания и передачи специальной аппаратуры информации, нового поколения, систем управления разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанотриодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

39. Разработка и953 75 275 230 196 177 разработка комплекса совершенствование ___ __ ___ _____ _____ ___ моделей расчета методов 634 50 183 153,5 130,5 117 радиационной стойкости моделирования и электронной компонентной проектирования базы для определения радиационно технически обоснованных стойкой норм испытаний элементной базы

40. Разработка и988,15 180 191 177,5 233,65 206 создание технологического совершенствование ______ ___ ___ _____ ______ _____ базиса (технология базовых 650 120 123 113,5 160 133,5 проектирования, базовые технологий и технологии), позволяющего конструкций разрабатывать радиационно радиационно стойкие сверхбольшие стойких интегральные схемы на сверхбольших структурах "кремний на интегральных схем изоляторе" с проектной на структурах нормой не менее 0,18 мкм "кремний на (2014 год), создание сапфире" и технологического базиса "кремний на (технология проектирования, изоляторе" с базовые технологии), топологическими позволяющего разрабатывать нормами не менее радиационно стойкие 0,18 мкм сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)

Всего по 6204,432 427,809 344,371 326,752 1229,5 1163,7 1051,9 881,9 778,5 направлению 2 ________ _______ _______ _______ _____ ______ ______ _____ _____ 4103,35 292,1 245,95 161,7 819,6 780 700 590 514

Направление 3. Микросистемная техника
41. Разработка184,215 165,053 19,162 создание базовых технологий базовых _______ _______ ______ (2009 год) и комплектов технологий микро- 117,9 105,9 12 технологической документации электромеханичес- на изготовление ких систем микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов

42. Разработка433,712 87,239 73,473 108 82,5 82,5 разработка базовых базовых _______ ______ ______ ___ ____ ____ конструкций и комплектов конструкций 273,8 42,1 49,7 72 55 55 необходимой конструкторской микроэлектро- документации на механических изготовление чувствительных систем элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно- энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике

43. Разработка166,784 122,356 44,428 создание базовых технологий базовых _______ _______ ______ (2009 год) и комплектов технологий 108,15 78,55 29,6 необходимой технологической микроакусто- документации на изготовление электромехани- микроакустоэлектромеханичес- ческих систем ких систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно- акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники

44. Разработка244,325 52 103,825 88,5 разработка базовых базовых _______ __ _______ ____ конструкций и комплектов конструкций 147,3 28 60,3 59 необходимой конструкторской микро- документации на акустоэлектро- изготовление пассивных механических датчиков физических величин систем микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов

45. Разработка37 37 создание базовых технологий базовых __ __ изготовления элементов технологий 25 25 микроаналитических систем, микроаналитичес- чувствительных к газовым, ких систем химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов

46. Разработка134 47 60 27 создание базовых конструкций базовых ___ __ __ __ микроаналитических систем, конструкций 78 20 40 18 предназначенных для микроаналитичес- аппаратуры жилищно- ких систем коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники; разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах

47. Разработка42,444 15,358 27,086 создание базовых технологий базовых ______ ______ ______ выпуска трехмерных технологий 27 10,2 16,8 оптических и микро- акустооптических оптоэлектромеха- функциональных элементов, нических систем микрооптоэлектро- механических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2009 год)

48. Разработка109,278 33,95 48,328 27 разработка базовых базовых _______ _____ ______ __ конструкций и комплектов конструкций 70 21 31 18 конструкторской документации микро- на изготовление оптоэлектро- микрооптоэлектро- механических механических систем систем коммутации и модуляции оптического излучения

49. Разработка55,008 55,008 создание базовых технологий базовых ______ ______ изготовления микросистем технологий 36 36 анализа магнитных полей на микросистем основе анизотропного и анализа гигантского магнитных полей магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год)

50. Разработка153,518 39,518 93 21 разработка базовых базовых _______ ______ __ __ конструкций и комплектов конструкций 98,018 22,018 62 14 конструкторской микросистем документации на анализа магниточувствительные магнитных полей микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях

51. Разработка123,525 43,274 80,251 разработка и освоение в базовых _______ ______ ______ производстве базовых технологий 80,662 28,45 52,212 технологий изготовления радиочастотных радиочастотных микроэлектро- микроэлектро- механических систем и механических компонентов, включающих систем микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год)

52. Разработка142,577 35,6 63,477 43,5 разработка базовых базовых _______ ____ ______ ____ конструкций и комплектов конструкций 96 25 42 29 конструкторской радиочастотных документации на микроэлектро- изготовление радиочастотных механических микроэлектромеханических систем систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий

53. Разработка38,915 38,915 создание методов и средств методов и ______ ______ контроля и измерения средств 22,8 22,8 параметров и характеристик обеспечения изделий микросистемотехники, создания и разработка комплектов производства стандартов и нормативных изделий документов по безопасности микросистемной и экологии техники

54. Разработка1155 345 315 270 225 создание базовых технологий перспективных ____ ___ ___ ___ ___ выпуска трехмерных технологий и 770 230 210 180 150 оптических и конструкций акустооптических микро- функциональных элементов, оптоэлектро- микрооптоэлектро- механических механических систем для систем для коммутации и модуляции оптической оптического излучения аппаратуры, (2012 год), акустооптических систем перестраиваемых фильтров отображения (2012 год), двухмерных изображений, управляемых матриц научных микрозеркал исследований и микропереключателей и специальной фазовращателей (2013 год), техники разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектро- механических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год)

55. Разработка и1140 150 262,5 232,5 270 225 создание методов и средств совершенствование ____ ___ _____ _____ ___ ___ контроля и измерения методов и средств 760 100 175 155 180 150 параметров и характеристик контроля, изделий испытаний и микросистемотехники, аттестации разработка комплектов изделий стандартов и нормативных микросистемо- документов по безопасности техники и экологии

56. Разработка1170 360 315 255 240 создание перспективных перспективных ____ ___ ___ ___ ___ технологий изготовления технологий и 780 240 210 170 160 элементов конструкций микроаналитических систем, микро- чувствительных к газовым, аналитических химическим и биологическим систем для компонентам внешней среды, аппаратуры предназначенных для контроля и использования в аппаратуре обнаружения жилищно-коммунального токсичных, хозяйства (2012 год, горючих, 2013 год, 2014 год) взрывчатых и наркотических веществ

Всего по 5330,301 476,964 466,233 442,103 465 1050 945 795 690 направлению 3 ________ _______ _______ _______ ___ ____ ___ ___ ___ 3490,63 306,9 268,73 285 310 700 630 530 460

Направление 4. Микроэлектроника
57. Разработка308,667 219,3 89,367 разработка комплекта технологии и _______ _____ ______ нормативно-технической развитие 178,4 129,5 48,9 документации по методологии проектированию изделий проектирования микроэлектроники, создание изделий отраслевой базы данных с микроэлектроники: каталогами библиотечных разработка и элементов и сложно- освоение функциональных блоков с современной каталогизированными технологии результатами аттестации на проектирования физическом уровне, универсальных разработка комплекта микропроцессоров, нормативно-технической и процессоров технологической обработки документации по сигналов, микро- взаимодействию центров контроллеров и проектирования в сетевом "системы на режиме кристалле" на основе катало- гизированных сложнофункцио- нальных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизирован- ных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм

58. Разработка и34,569 22,7 11,869 разработка комплекта освоение базовой ______ ____ ______ технологической технологии 22,7 14,7 8 документации и производства организационно- фотошаблонов с распорядительной технологическим документации по уровнем до взаимодействию центров 0,13 мкм с целью проектирования и центра обеспечения изготовления фотошаблонов информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного)

59. Разработка852,723 350,836 501,887 разработка комплектов семейств и серий _______ _______ _______ документации в стандартах изделий 490,2 190,1 300,1 единой системы микроэлектроники: конструкторской, универсальных технологической и микропроцессоров производственной для встроенных документации, изготовление применений; опытных образцов изделий и универсальных организация серийного микропроцессоров производства для серверов и рабочих станций; цифровых процессоров обработки сигналов; сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем; сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти; микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью; схем интерфейса дискретного ввода/вывода; схем аналогового интерфейса; цифроаналоговых и аналого- цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит; схем приемопере- датчиков шинных интерфейсов; изделий интеллектуальной силовой микро- электроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; встроенных интегральных источников питания

60. Разработка2236,828 1129,878 971,95 135 разработка комплектов базовых серийных ________ ________ ______ ___ документации в стандартах технологий 1299 592,3 616,7 90 единой системы изделий микро- конструкторской, электроники: технологической и цифроаналоговых производственной и аналого- документации, изготовление цифровых опытных образцов изделий и преобразователей организация серийного на частотах выше производства 100 МГц с разрядностью более 14-16 бит; микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнито- электрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов

61. Разработка545,397 304,9 240,497 разработка комплектов технологии и _______ _____ _______ документации в стандартах освоение 308,8 168,3 140,5 единой системы производства конструкторской, изделий технологической микроэлектроники документации и ввод в с технологическим эксплуатацию уровнем 0,13 мкм производственной линии

62. Разработка939,45 196 360 154 229,45 разработка комплектов базовой ______ ___ ___ ___ ______ документации в стандартах технологии 587,3 102 240 99 146,3 единой системы формирования конструкторской, многослойной технологической и разводки производственной (7-8 уровней) документации, сверхбольших ввод в эксплуатацию интегральных производственной линии схем на основе Al и Cu

63. Разработка519,525 235,513 168,512 115,5 разработка комплектов технологии и _______ _______ _______ _____ документации в стандартах организация 288,9 101 110,9 77 единой системы производства конструкторской, многокристальных технологической и микроэлектронных производственной модулей для документации, мобильных ввод в эксплуатацию применений с производственной линии использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей

64. Разработка новых133,8 67 66,8 разработка технологической методов _____ __ ____ и производственной технологических 133,8 67 66,8 документации, ввод в испытаний изделий эксплуатацию микроэлектроники, специализированных участков гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100 000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов

65. Разработка243,77 131,9 111,87 разработка комплектов современных ______ _____ ______ документации, включая методов анализа 243,77 131,9 111,87 утвержденные отраслевые отказов изделий методики, ввод в микроэлектроники эксплуатацию с применением модернизированных участков ультраразрешающих и лабораторий анализа методов отказов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие)

66. Разработка1240,5 310 380 310 240,5 создание технологии базовых ______ ___ ___ ___ _____ сверхбольших интегральных субмикронных 800 200 245 200 155 схем; технологий создание базовой технологии уровней формирования многослойной 0,065 - 0,045 мкм разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров

67. Исследование1424,45 383 383,45 368 290 создание технологии технологических _______ ___ ______ ___ ___ сверхбольших интегральных процессов и 915,7 245 245,7 235 190 схем технологических структур для уровней 65-45 нм, субмикронных организация опытного технологий производства и исследование уровней 0,032 мкм технологических уровней 0,032 мкм (2015 год)

68. Разработка1479,55 166,05 402,7 355 317,5 238,3 создание технологий и перспективных _______ ______ _____ ___ _____ _____ конструкций перспективных технологий и 959,7 110,7 261,8 230 205 152,2 изделий интеллектуальной конструкций силовой микроэлектроники изделий для применения в аппаратуре интеллектуальной промышленного и бытового силовой назначения; электроники для создание встроенных применения в интегральных источников аппаратуре питания (2013-2015 годы) бытового и промышленного применения, на транспорте, в топливно- энергетическом комплексе и в специальных системах

69. Разработка1730,6 300 356,4 205 455 414,2 разработка перспективной перспективных ______ ___ _____ ___ ___ _____ технологии многокристальных технологий сборки 1100 200 224,2 123 290 262,8 микроэлектронных модулей сверхбольших для мобильных применений с интегральных схем использованием полимерных и в многовыводные металлополимерных микроплат корпуса, в том и носителей (2015 год) числе корпуса с матричным расположением выводов и технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе"

Всего по 11689,829 1096,636 1257,803 1494,39 1913,5 1741,1 1552,9 1450,5 1183 направлению 4 _________ ________ ________ _______ ______ ______ ______ ______ ____ 7328,27 701,5 777,17 805,2 1244,4 1120 990 930 760

Направление 5. Электронные материалы и структуры
70. Разработка78 51 27 внедрение новых технологии __ __ __ диэлектрических материалов производства 49 32 17 на основе ромбоэдрической новых модификации нитрида бора и диэлектрических подложек из материалов поликристаллического алмаза на основе с повышенной ромбоэдрической теплопроводностью и модификации электропроводностью для нитрида бора и создания нового поколения подложек из высокоэффективных и надежных поликристал- сверхвысокочастотных лического алмаза приборов

71. Разработка93,663 46,233 47,43 создание технологии технологии ______ ______ _____ производства производства 54,24 22,62 31,62 гетероэпитаксиальных гетероэпитакси- структур и структур альных структур и гетеробиполярных структур транзисторов на основе гетеробиполярных нитридных соединений А В транзисторов на 3 5 основе нитридных для обеспечения разработок соединений А В и изготовления 3 5 сверхвысокочастотных для мощных монолитных интегральных полупроводниковых схем и мощных транзисторов приборов и (2011 год) сверхвысоко- частотных монолитных интегральных схем

72. Разработка78,047 50,147 27,9 создание базовой технологии базовой ______ ______ ____ производства гетероструктур технологии 49,8 32 17,8 и псевдоморфных структур на производства подложках InP для метаморфных перспективных структур на полупроводниковых приборов основе GaAs и и сверхвысокочастотных псевдоморфных монолитных интегральных схем структур на диапазона 60-90 ГГц подложках InP (2009 год) для приборов сверхвысоко- частотной электроники диапазона 60-90 ГГц

73. Разработка132,304 33,304 45 54 создание спинэлектронных технологии _______ ______ __ __ магнитных материалов и производства 82 16 30 36 микроволновых структур со спинэлектронных спиновым управлением для магнитных создания перспективных материалов, микроволновых радиопоглощающих сверхвысокочастотных и мелкодисперсных приборов повышенного ферритовых быстродействия и низкого материалов для энергопотребления сверхвысоко- частотных приборов

74. Разработка76,4 50,1 26,3 создание технологии технологии ____ ____ ____ массового производства производства 47,3 31 16,3 высокочистых химических высокочистых материалов (аммиака, химических арсина, фосфина, материалов тетрахлорида кремния) для (аммиака, арсина, выпуска полупроводниковых фосфина, подложек нитрида галлия, тетрахлорида арсенида галлия, фосфида кремния) для индия, кремния и обеспечения гетероэпитаксиальных производства структур на их основе полупроводниковых (2009 год) подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитак- сиальных структур на их основе

75. Разработка62,07 12 35,07 15 создание технологии технологии _____ __ _____ __ производства производства 45,38 12 23,38 10 поликристаллических алмазов поликристалличес- и его пленок для мощных ких алмазов сверхвысокочастотных и их пленок для приборов (2012 год) теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысоко- частотных приборов

76. Исследование57 36 21 создание технологии путей и __ __ __ изготовления новых разработка 38 24 14 микроволокон на основе технологии двухмерных диэлектрических изготовления и металлодиэлектрических новых микро- и наноструктур для микроволокон на новых классов основе двухмерных микроструктурных приборов, диэлектрических магниторезисторов, и металлоди- осцилляторов, устройств электрических оптоэлектроники (2009 год) микро- и наноструктур, а также полу- проводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника

77. Разработка64,048 4,5 32,548 27 создание базовой пленочной технологии ______ ___ ______ __ технологии пьезокерамических выращивания слоев 39 3 18 18 элементов, совместимой с пьезокерамики на комплементарной металло- кремниевых оксидной полупроводниковой подложках для технологией для разработки формирования нового класса активных комплексированных пьезокерамических устройств устройств, интегрированных микросистемной с микросистемами (2011 год) техники

78. Разработка63,657 42,657 21 создание технологии методологии и ______ ______ __ травления и изготовления базовых 38 24 14 кремниевых трехмерных технологий базовых элементов создания микроэлектромеханических многослойных систем с использованием кремниевых "жертвенных" и "стопорных" структур с слоев для серийного использованием производства элементов "жертвенных" и микроэлектромеханических "стопорных" систем (2009 год) диффузионных и кремниевых структур с диэлектрических использованием силикатных слоев для стекол, моно-, производства поликристаллического и силовых приборов пористого кремния и и элементов диоксида кремния микроэлектро- механических систем

79. Разработка45,85 29,35 16,5 создание технологии базовых _____ _____ ____ получения алмазных технологий 22 11 11 полупроводниковых получения наноструктур и алмазных наноразмерных органических полупроводниковых покрытий, алмазных наноструктур и полупроводящих пленок для наноразмерных конкурентоспособных органических высокотемпературных и покрытий с радиационно стойких широким устройств и приборов диапазоном двойного назначения функциональных (2011 год) свойств

80. Исследование и136,716 57,132 79,584 создание технологии разработка _______ ______ ______ изготовления гетероструктур технологии роста 88,55 38 50,55 и эпитаксиальных структур эпитаксиальных на основе нитридов для слоев карбида создания радиационно кремния, структур стойких на основе сверхвысокочастотных и нитридов, а также силовых приборов нового формирования поколения (2009 год) изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники

81. Разработка159,831 52 107,831 создание технологии технологии _______ __ _______ производства структур производства 90 35 55 "кремний на сапфире" радиационно диаметром до 150 мм с стойких толщиной приборного слоя до сверхбольших 0,1 мкм и топологическими интегральных нормами до 0,18 мкм для схем на производства электронной ультратонких компонентной базы гетероэпитакси- специального и двойного альных структурах назначения (2009 год) кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения

82. Разработка138,549 54 84,549 создание технологии технологии _______ __ ______ производства радиационно производства 89,7 36 53,7 облученного кремния и высокоомного пластин кремния до 150 мм радиационно для выпуска мощных облученного транзисторов и сильноточных кремния, слитков тиристоров нового поколения и пластин кремния (2009 год) диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов

83. Разработка90,4 38,5 51,9 разработка и промышленное технологии ____ ____ ____ освоение получения производства 58,9 24 34,9 высококачественных подложек кремниевых и структур для подложек и использования в структур для производстве силовых силовых полупроводниковых приборов, полупроводниковых с глубокими приборов с высоколегированными слоями глубокими и скрытыми слоями носителей высоколегирован- с повышенной рекомбинацией ными слоями р- и (2009 год) n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией

84. Разработка220,764 73,964 146,8 создание технологии технологии _______ ______ _____ производства пластин производства 162 48 114 кремния диаметром до 200 мм электронного и эпитаксиальных структур кремния, уровня 0,25 - 0,18 мкм кремниевых (2009 год) пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм

85. Разработка266,35 81,85 124,5 30 30 разработка технологии методологии, ______ _____ _____ __ __ корпусирования интегральных конструктивно- 161 38 83 20 20 схем и полупроводниковых технических приборов на основе решений и использования многослойных перспективной кремниевых структур со базовой сквозными токопроводящими технологии каналами, обеспечивающей корпусирования сокращение состава интегральных схем сборочных операций и и полупроводнико- формирование трехмерных вых приборов на структур (2013 год) основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами

86. Разработка230,141 35,141 135 30 30 создание базовой технологии технологии _______ ______ ___ __ __ производства гетероструктур производства 143 13 90 20 20 SiGe для выпуска гетероструктур быстродействующих SiGe для сверхбольших интегральных разработки схем с топологическими сверхбольших нормами 0,25 - 0,18 мкм интегральных схем (2011 год, 2013 год) с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм

87. Разработка46,745 28,745 18 создание технологии технологии ______ ______ __ выращивания и обработки выращивания и 34 22 12 пьезоэлектрических обработки, в материалов том числе акустоэлектроники и плазмохимической, акустооптики для новых пьезо- обеспечения производства электрических широкой номенклатуры материалов для акустоэлектронных устройств акустоэлектроники нового поколения (2009 год) и акустооптики

88. Разработка93,501 24,001 33 23 13,5 создание технологии технологий ______ ______ __ __ ____ массового производства производства 58 12 22 15 9 исходных материалов и соединений структур для перспективных А В и тройных приборов лазерной и 3 5 оптоэлектронной техники, в структур для: том числе: производства производства сверхмощных сверхмощных лазерных диодов (2010 год); лазерных диодов; высокоэффективных высокоэффективных светодиодов белого, светодиодов зеленого, синего и белого, зеленого, ультрафиолетового синего и диапазонов (2011 год); ультрафиолетового фотоприемников среднего диапазонов; инфракрасного диапазона фотоприемников (2013 год) среднего инфракрасного диапазона

89. Исследование и45,21 30,31 14,9 создание технологии разработка _____ _____ ____ производства принципиально технологии 30 22 8 новых материалов получения полупроводниковой гетероструктур с электроники на основе вертикальными сложных композиций для оптическими перспективных приборов резонаторами на лазерной и оптоэлектронной основе квантовых техники (2009 год) ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения

90. Разработка32,305 24,805 7,5 создание технологии технологии ______ ______ ___ производства компонентов производства 17 12 5 для специализированных современных электронно-лучевых компонентов для (2010 год), специализирован- электронно-оптических и ных фото- отклоняющих систем электронных (2010 год), приборов, в том стеклооболочек и деталей из числе: электровакуумного стекла катодов и различных марок (2011 год) газопоглотителей; электронно- оптических и отклоняющих систем; стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок

91. Разработка39,505 27,505 12 создание технологии технологии ______ ______ __ производства особо тонких производства 32 20 12 гетерированных особо тонких нанопримесями гетерированных полупроводниковых структур нанопримесями для изготовления полупроводниковых высокоэффективных структур для фотокатодов электронно- высокоэффективных оптических преобразователей фотокатодов, и фотоэлектронных электронно- умножителей, приемников оптических инфракрасного диапазона, преобразователей солнечных элементов и и фотоэлектронных других приложений (2009 год) умножителей, приемников инфракрасного диапазона и солнечных элементов с высокими значениями коэффициента полезного действия

92. Разработка42,013 24,013 18 создание технологии базовой ______ ______ __ монокристаллов AlN для технологии 24 12 12 изготовления изолирующих и производства проводящих подложек для монокристаллов создания полупроводниковых AlN для высокотемпературных и изготовления мощных сверхвысокочастотных изолирующих и приборов нового поколения проводящих (2011 год) подложек для гетероструктур

93. Разработка44,559 29,694 14,905 создание базовой технологии базовой ______ ______ ______ вакуумно-плотной технологии 29,2 19,85 9,35 спецстойкой керамики из производства нанокристаллических порошков наноструктури- и нитридов металлов для рованных оксидов промышленного освоения металлов (корунда спецстойких приборов нового и т. п.) для поколения (2009 год), в производства том числе микрочипов, вакуумно-плотной сверхвысокочастотных нанокерамики, в аттенюаторов, RLC-матриц, а том числе с также особо прочной заданными электронной компонентной оптическими базы оптоэлектроники и свойствами фотоники

94. Разработка25,006 22,006 3 создание технологии базовой ______ ______ _ производства полимерных и технологии 13 11 2 композиционных материалов с производства использованием полимерных и поверхностной и объемной гибридных органо- модификации полимеров неорганических наноструктурированными наноструктуриро- наполнителями для создания ванных защитных изделий с высокой материалов для механической, термической и электронных радиационной стойкостью при компонентов работе в условиях длительной нового поколения эксплуатации и воздействии прецизионных и комплекса специальных сверхвысоко- внешних факторов (2011 год) частотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно- индукционно- емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов

95. Исследование и1395,5 225 269 309 322,5 270 создание базовой технологии разработка ______ ___ ___ ___ _____ ___ производства гетероструктур, перспективных 930 150 179 206 215 180 структур и псевдоморфных гетероструктурных структур на подложках InP и наноструктури- для перспективных рованных полупроводниковых приборов материалов и сверхвысокочастотных с экстремальными монолитных интегральных характеристиками схем диапазона 60-90 ГГц для перспективных (2012 год), создание электронных технологии получения приборов и алмазных полупроводниковых радиоэлектронной наноструктур и наноразмерных аппаратуры органических покрытий специального (2013 год), алмазных назначения полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год)

96. Исследование и1395 435 382,5 277,5 300 создание нового класса разработка ____ ___ _____ _____ ___ конструкционных и экологически 930 290 255 185 200 технологических материалов чистых материалов для уровней технологии и методов их 0,065 - 0,032 мкм и использования в обеспечения высокого производстве процента выхода годных электронной изделий, экологических компонентной требований по международным базы и стандартам (2012 год, радиоаппаратуры, 2015 год) включая бессвинцовые композиции для сборки

97. Разработка1379 404 367,5 307,5 300 создание перспективных перспективных ____ ___ _____ _____ ___ технологий производства технологий 920 270 245 205 200 компонентов для получения специализированных ленточных электронно-лучевых, материалов электронно-оптических и (полимерные, отклоняющих систем, металлические, стеклооболочек и деталей из плакированные и электровакуумного стекла другие) для различных марок (2013 год), радиоэлектронной создание технологии аппаратуры и производства полимерных и сборочных композиционных материалов с операций использованием электронной поверхностной и объемной компонентной базы модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год)

Всего по 6532,174 621,754 658,169 365,251 717 1260 1132,5 907,5 870 направлению 5 ________ _______ _______ _______ ___ ____ ______ _____ ___ 4275,07 407,85 431,6 177,62 478 840 755 605 580

Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы
98. Разработка30,928 18 12,928 разработка расширенного технологии ______ __ ______ ряда резонаторов с выпуска 20 12 8 повышенной кратковременной прецизионных и долговременной температуро- стабильностью для создания стабильных контрольной аппаратуры и высокочастотных техники связи двойного до 1,5 - 2 ГГц назначения резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс

99. Разработка в78,5 32 33 13,5 создание технологии и лицензируемых ____ __ __ ____ конструкции и нелицензируемых 45 14 22 9 акустоэлектронных пассивных международных и активных меток- частотных транспондеров для диапазонах применения в логистических 860 МГц и приложениях на транспорте, 2,45 ГГц ряда в торговле и промышленности радиочастотных (2010 год, 2011 год) пассивных и активных акустоэлектронных меток- транспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом

100. Разработка30,5 17 13,5 создание технологии базовой ____ __ ____ проектирования и базовых конструкции и 19,5 11 8,5 конструкций промышленной пьезоэлектрических фильтров технологии в малогабаритных корпусах производства для поверхностного монтажа пьезокерамических при изготовлении техники фильтров в связи массового применения корпусах для (2009 год) поверхностного монтажа

101. Разработка37,73 37,73 создание базовой технологии технологии _____ _____ акустоэлектронных приборов проектирования, 23 23 для перспективных систем базовой связи, измерительной и технологии навигационной аппаратуры производства и нового поколения: конструирования подвижных, спутниковых, акустоэлектронных тропосферных и устройств нового радиорелейных линий связи, поколения и цифрового интерактивного фильтров телевидения, промежуточной радиоизмерительной частоты с аппаратуры, высокими радиолокационных станций, характеристиками спутниковых навигационных для современных систем (2008 год) систем связи, включая высокоизбира- тельные высокочастотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц

102. Разработка97,416 35,001 62,415 создание технологии технологии ______ ______ ______ производства проектирования и 60,9 22 38,9 высокоинтегрированной базовой электронной компонентной технологии базы типа "система в производства корпусе" для вновь функциональных разрабатываемых и законченных модернизируемых сложных устройств радиоэлектронных систем и стабилизации, комплексов (2010 год) селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе"

103. Разработка63 21 21 21 создание базовой технологии базовой __ __ __ __ и базовой конструкции конструкции и 42 14 14 14 микроминиатюрных технологии высокодобротных фильтров изготовления для малогабаритной и высокочастотных носимой аппаратуры резонаторов и навигации и связи (2013 год) фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуника- ционных и навигационных систем

104. Разработка35 35 создание нового поколения технологии и __ __ оптоэлектронных приборов базовой 23 23 для обеспечения задач конструкции предотвращения аварий и фоточувствитель- контроля ных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений

105. Разработка35,309 16,009 19,3 создание базовой технологии базовой ______ ______ ____ нового поколения приборов технологии 21,9 10 11,9 контроля тепловых полей для унифицированных задач теплоэнергетики, электронно- медицины, поисковой и оптических контрольной аппаратуры на преобразователей, транспорте, микроканальных продуктопроводах и в пластин, охранных системах (2009 год) пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона

106. Разработка82 45 37 создание базовой технологии базовой __ __ __ (2008 год) и конструкции технологии 53 30 23 новых типов приборов, создания сочетающих фотоэлектронные интегрированных и твердотельные технологии, гибридных с целью получения фотоэлектронных экстремально достижимых высокочувстви- характеристик для задач тельных и контроля и наблюдения в высокоразрешающих системах двойного приборов и назначения усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры

107. Разработка96,537 48,136 48,401 создание базовой технологии базовых ______ ______ ______ (2008 год) и конструкций технологий мощных 64 30 34 принципиально новых мощных полупроводниковых диодных лазеров, лазерных диодов предназначенных для (непрерывного и широкого применения в импульсного изделиях двойного излучения), назначения, медицины, специализирован- полиграфического ных лазерных оборудования и системах полупроводниковых открытой оптической связи диодов, фотодиодов и лазерных волоконно- оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения

108. Разработка и56,5 16 30 10,5 разработка базового освоение базовых ____ __ __ ____ комплекта основных технологий для 37 10 20 7 оптоэлектронных компонентов лазерных для лазерных гироскопов навигационных широкого применения приборов, включая (2010 год), создание интегральный комплекса технологий оптический модуль обработки и формирования лазерного структурных и приборных гироскопа на базе элементов, оборудования сверхмалогабарит- контроля и аттестации, ных кольцевых обеспечивающих новый полупроводниковых уровень технико- лазеров экономических показателей инфракрасного производства диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта

109. Разработка22 22 создание базовой технологии базовых __ __ твердотельных чип-лазеров конструкций и 15 15 для лазерных дальномеров, технологий твердотельных лазеров с создания пикосекундными квантово- длительностями импульсов электронных для установок по приемопередающих прецизионной обработке модулей для композитных материалов, для малогабаритных создания элементов и лазерных изделий микромашиностроения дальномеров и в производстве электронной нового поколения компонентной базы нового на основе поколения, мощных лазеров твердотельных для применения в чип-лазеров с машиностроении, полупроводниковой авиастроении, накачкой, автомобилестроении, технологических судостроении, в составе лазерных промышленных технологических установок установок обработки и широкого сборки, систем спектрального экологического мониторинга диапазона окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год)

110. Разработка66,305 56,27 10,035 создание технологии базовых ______ _____ ______ получения широкоапертурных технологий 43 37 6 элементов на основе формирования алюмоиттриевой легированной конструктивных керамики композитных узлов и блоков составов для лазеров с для лазеров диодной накачкой (2008 год), нового поколения высокоэффективных и технологии преобразователей частоты создания полного лазерного излучения, комплекта организация промышленного электронной выпуска оптических изделий компонентной базы и лазерных элементов для производства широкой номенклатуры лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве

111. Разработка35 17 18 разработка расширенной базовых __ __ __ серии низковольтных технологий, 35 17 18 катодолюминесцентных и базовой других дисплеев с широким конструкции и диапазоном эргономических организация характеристик и свойств по производства условиям применения для интегрированных информационных и катодолюмине- контрольных систем сцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением

112. Разработка38,354 23,73 14,624 создание ряда принципиально технологии и ______ _____ ______ новых светоизлучающих базовых 29 16 13 приборов с минимальными конструкций геометрическими размерами, высокояркостных высокой надежностью и светодиодов устойчивостью к механическим и индикаторов и климатическим основных цветов воздействиям, обеспечивающих свечения для энергосбережение за счет систем подсветки замены ламп накаливания в в приборах нового системах подсветки поколения аппаратуры и освещения

113. Разработка100,604 21,554 61,05 18 создание базовой технологии базовой _______ ______ _____ __ производства нового технологии и 59 10 37 12 поколения оптоэлектронной конструкции высокоэффективной и оптоэлектронных надежной электронной приборов компонентной базы для (оптроны, промышленного оборудования оптореле, и систем связи (2010 год, светодиоды) в 2011 год) миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа

114. Разработка51,527 24 27,527 создание технологии новых схемотехнических ______ __ ______ классов носимой и решений и 33,5 16 17,5 стационарной аппаратуры, унифицированных экранов отображения базовых информации коллективного конструкций и пользования повышенных технологий емкости и формата (2009 год) формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой

115. Разработка57,304 31,723 25,581 создание технологии базовой ______ ______ ______ массового производства технологии 37 20 17 солнечных элементов для изготовления индивидуального и высокоэффективных коллективного использования солнечных в труднодоступных районах, элементов на базе развития солнечной использования энергетики в жилищно- кремния, коммунальном хозяйстве для полученного по обеспечения задач "бесхлоридной" энергосбережения (2009 год) технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения

116. Разработка32 18 14 создание технологии базовой __ __ __ массового производства технологии и 19 12 7 нового класса освоение оптоэлектронных приборов производства для широкого применения в оптоэлектронных радиоэлектронной аппаратуре реле с (2009 год) повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа

117. Комплексное136,7 50 63 23,7 создание базовой технологии исследование и _____ __ __ ____ массового производства разработка 71,8 22 34 15,8 экранов с предельно низкой технологий удельной стоимостью для получения новых информационных и обучающих классов систем (2010 год, 2011 год) органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку"

118. Разработка145,651 45 13,526 87,125 создание технологии и базовых _______ ______ ______ конструкции активно- конструкций и 100,5 30 8,5 62 матричных органических технологии электролюминесцентных, активных матриц и жидкокристаллических и драйверов плоских катодолюминесцентных экранов на основе дисплеев, стойких к внешним аморфных, поли- специальным и климатическим кристаллических и воздействиям (2010 год) кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминес- центные, жидко- кристаллические и катодолюминес- центные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения

119. Разработка85,004 41,004 20 24 создание технологии и базовой ______ ______ __ __ базовых конструкций конструкции и 46 10 20 16 полноцветных газоразрядных технологии видеомодулей специального и крупноформатных двойного назначения для полноцветных наборных экранов газоразрядных коллективного пользования видеомодулей (2010 год)

120. Разработка63,249 24,013 18,027 21,209 разработка расширенного технологии ______ ______ ______ ______ ряда сверхпрецизионных сверхпрецизионных 42 16 12 14 резисторов, гибридных резисторов и интегральных схем гибридных цифроаналоговых и аналого- интегральных схем цифровых преобразователей с цифроаналоговых параметрами, превышающими и аналого-цифровых уровень существующих преобразователей отечественных и зарубежных на их основе в изделий, для аппаратуры металлокерамичес- связи, диагностического ких корпусах для контроля, медицинского аппаратуры оборудования, авиастроения, двойного станкостроения, назначения измерительной техники (2010 год)

121. Разработка75 30 30 15 разработка расширенного ряда базовой __ __ __ __ сверхпрецизионных резисторов технологии особо 50 20 20 10 с повышенной удельной стабильных и мощностью рассеяния, особо точных высоковольтных высокоомных резисторов резисторов для измерительной широкого техники, приборов ночного диапазона видения и аппаратуры номиналов, контроля (2013 год) прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства

122. Разработка149,319 10,5 18,519 24,75 45 50,55 создание базовой технологии технологии и _______ ____ ______ _____ __ _____ и конструкции резисторов с базовых 100,2 7 13 16,5 30 33,7 повышенными значениями конструкций стабильности, удельной резисторов и мощности в чип-исполнении резистивных на основе многослойных структур нового монолитных структур поколения для (2010 год, 2013 год) поверхностного монтажа, в том числе резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции

123. Разработка46,93 36,001 10,929 создание базовой технологии технологий _____ ______ ______ производства датчиков на формирования 30,95 24 6,95 резистивной основе с интегрированных высокими техническими резистивных характеристиками и структур с надежностью (2009 год) повышенными технико- эксплуатационными характеристиками на основе микроструктури- рованных материалов и методов групповой сборки

124. Создание59,011 30,006 29,005 создание технологии групповой ______ ______ ______ автоматизированного технологии 39 20 19 производства чип- и автоматизирован- микрочип-резисторов ного производства (в габаритах 0402, 0201 и толстопленочных менее) для применения в чип- и микрочип- массовой аппаратуре резисторов (2009 год)

125. Разработка новых126 24 27 75 создание базовой технологии базовых ___ __ __ __ производства конденсаторов технологий и 83 16 17 50 с качественно улучшенными конструктивных характеристиками с решений электродами из изготовления неблагородных металлов при танталовых сохранении высокого уровня оксидно-полу- надежности (2010 год) проводниковых и оксидно- электролитических конденсаторов и чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками

126. Разработка29,801 22,277 7,524 создание базовых технологий комплексной ______ ______ _____ конденсаторов и ионисторов базовой 18 13 5 на основе полимерных технологии и материалов с повышенным организация удельным зарядом и производства энергоемких накопительных конденсаторов с конденсаторов с повышенной органическим удельной энергией (2009 год) диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда

127. Разработка94,006 23,5 39,006 31,5 создание технологии и технологии, ______ ____ ______ ____ базовых конструкций нового базовых 62 15 26 21 поколения выключателей для конструкций радиоэлектронной аппаратуры высоковольтных с повышенными тактико- (быстродействую- техническими щих, мощных) характеристиками и вакуумных надежностью (2011 год) выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радио- технической аппаратуры с высокими сроками службы

128. Разработка50,599 24,803 25,796 создание технологии технологий ______ ______ ______ изготовления коммутирующих создания 33,5 16,5 17 устройств для токовой газонаполненных коммутации цепей в широком высоковольтных диапазоне напряжений и высокочастотных токов для радиоэлектронных коммутирующих и электротехнических систем устройств для (2009 год) токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками

129. Разработка26,5 26,5 создание технологии выпуска полного комплекта ____ ____ устройств грозозащиты в электронной 17,5 17,5 индивидуальном, компонентной базы промышленном и гражданском для создания строительстве, модульного строительстве пожароопасных устройства объектов (2008 год) грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам

130. Разработка55 46 9 создание базовой технологии базовых __ __ _ формирования конструкций и 37 31 6 высококачественных технологий гальванических покрытий, изготовления технологии прецизионного малогабаритных формирования изделий для переключателей с автоматизированных систем повышенными изготовления коммутационных сроками службы устройств широкого для печатного назначения (2009 год) монтажа

131. Комплексное825 80,55 181 224,95 195 143,5 комплексное исследование и исследование и ___ _____ ___ ______ ___ _____ разработка технологий разработка 550 53,7 121 150,3 130 95 получения новых классов пленочных органических светоизлучающих технологий диодов (ОСИД), полимерной изготовления пленочной основы и высокоэкономичных технологий изготовления крупноформатных гибких ОСИД-экранов, в том гибких и особо числе на базе плоских экранов высокоразрешающих процессов струйной печати, процессов наноимпринта и рулонной технологии изготовления (2013 год); создание базовой технологии производства ОСИД-экранов для применения в различных системах (2015 год)

132. Исследование798 75 217,5 168 195 142,5 создание технологии перспективных ___ __ _____ ___ ___ _____ формирования нового конструкций и 532 50 145 112 130 95 поколения оптоэлектронных технологических комплексированных приборов, принципов обеспечивающих создание формирования "системы на кристалле" с оптоэлектронных и оптическими входами- квантовых выходами (2014 год, структур и 2015 год) приборов нового поколения

133. Разработка811,5 255 247,5 180 129 создание перспективной перспективных _____ ___ _____ ___ ___ технологии массового технологий 541 170 165 120 86 производства солнечных промышленного элементов для изготовления индивидуального и солнечных коллективного использования высокоэффективных (2015 год) элементов

Всего по 4623,784 688,198 611,262 510,324 352,5 749,5 727 570 415 направлению 6 ________ _______ _______ _______ _____ _____ ___ ___ ___ 3034,25 456 365,35 336,9 235 500 485 380 276

Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции

134. Разработка4355,463 130,715 167,733 127,015 630 1058 814 726 702 создание на основе базовых ________ _______ _______ _______ ___ ____ ___ ___ ___ современной и перспективной технологий 2911,4 90,1 113,6 87,7 420 691 553 486 470 отечественной электронной создания рядов компонентной элементной приемо-передающих базы и последних достижений унифицированных в разработке алгоритмов электронных сжатия видеоизображений модулей для приемо-передающих аппаратуры связи, унифицированных электронных радиолокации, модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, телекоммуникаций, цифрового бортовых телевидения, бортовых радиотехнических радиотехнических средств, средств активных фазированных антенных решеток с параметрами: диапазон частот до 100 ГГц; скорость передачи информации до 100 Гбит/с; создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области; разработка новых технологий

135. Разработка2916,849 91,404 159,155 101,29 465 797 555 353 395 создание на основе базовых базовых ________ ______ _______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ технологий и современной технологий 1932,4 61,1 104,9 56,4 310 540 365 233 262 отечественной твердотельной создания нового компонентной электронной класса базы унифицированных унифицированных электронных модулей нового электронных поколения для обработки модулей для аналоговых и цифровых обработки сигналов РЛС и других радио- аналоговых и технических систем в цифровых сигналов высокочастотных, ПЧ и на основе сверхвысокочастотных устройств диапазонах, освоение функциональной производства нового класса электроники, многофункциональных приборов радиоэлектронных устройств, обработки разработка унифицированных сигналов аналого- электронных модулей цифровых и преобразователей физических цифроаналоговых и химических величин для преобразователей, измерения и контроля сенсоров и широкой номенклатуры преобразователей параметров микромеханических систем

136. Разработка1748,445 47,185 77,477 63,783 285 453 300 257 265 создание рядов базовых ________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ унифицированных электронных технологий 1160,25 32,5 42,2 45,55 190 313 197 167 173 модулей для систем создания рядов телеметрии, управления, унифицированных радиолокационных, электронных робототехнических, модулей для телекоммуникационных систем систем и навигации (ориентации, телеметрии, стабилизации, управления, позиционирования, наведения, навигации радиопеленгации, единого (угловых и времени), позволяющих резко линейных снизить стоимость и перемещений, организовать крупносерийное ориентации, производство стабилизации, радиоэлектронных средств позиционирования, широкого применения наведения, радиопеленгации, единого времени)

137. Разработка3227,159 60,024 89,053 63,082 540 977 525 495 478 создание на основе базовых ________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ современной и перспективной технологий 2145,54 40 53,5 42,04 360 658 348 328 316 отечественной электронной создания рядов компонентной базы унифицированных унифицированных электронных электронных модулей широкой модулей номенклатуры для применения процессоров, в различных информационных скоростного и системах, в том числе сверхскоростного унифицированных электронных ввода-вывода модулей шифрования и данных, дешифрования данных; шифрования и разработка базовых дешифрования технологий и конструкций данных, унифицированных электронных интерфейсов модулей на поверхностных обмена, систем акустических волнах систем сбора и хранения радиочастотной и информации, биометрической периферийных идентификации, систем устройств, систем идентификации личности, идентификации и транспортных средств, управления электронных паспортов, доступом, логистики, контроля доступа конверторов, на объекты повышенной информационно- безопасности, объектов вычислительных атомной энергетики. систем В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/с

138. Разработка1710,136 49,076 64,824 81,236 270 437 302 256 250 разработка на основе базовых ________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ перспективных отечественных технологий 1132,4 32,7 43,2 46,5 180 303 197 167 163 сверхбольших интегральных создания рядов схем типа "система на унифицированных кристалле" базового ряда электронных электронных модулей для цифровых модулей создания перспективных для перспективных магистрально-модульных магистрально- архитектур, обеспечивающих модульных создание защищенных средств архитектур вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов

139. Разработка2026,225 72,091 92,753 61,381 330 536 336 303 295 создание на основе базовых ________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ современной и перспективной технологий 1338,2 35,5 61,9 40,8 220 364 224 198 194 отечественной электронной создания ряда компонентной базы рядов унифицированных унифицированных электронных электронных модулей, обеспечивающих модулей для возможность создания по контрольно- модульному принципу измерительной, контрольно-измерительной, метрологической метрологической и и поверочной поверочной аппаратуры, аппаратуры, аппаратуры тестового аппаратуры контроля и диагностики на тестового основе базовых несущих контроля, конструкций; диагностики создание комплекта блоков сложнофункциональных радиоэлектронной блоков, определяющих ядро аппаратуры, измерительных приборов, для стандартных систем и комплексов, и встроенных разработка законченных систем контроля и функциональных модулей, измерений предназначенных для выполнения процессорных и интерфейсных функций поверки и диагностики сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений

140. Разработка2869,94 58,5 95,178 91,262 480 860 417 477 391 разработка базовых базовых _______ ____ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ технологий создания технологий 1908 41 62 55 320 574 278 318 260 системообразующих создания нового унифицированных рядов поколения средств (систем, унифицированных источников, сервисных рядов средств устройств) и электропитания и преобразователей преобразователей электроэнергии нового электроэнергии поколения межвидового и для радио- межведомственного электронных применения, в том числе систем и средств электропитания с аппаратуры высокой плотностью упаковки гражданского и элементов с применением двойного бескорпусных изделий, назначения плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания: унифицированных рядов источников электропитания; преобразователей электрической энергии; источников и систем бесперебойного электропитания; фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов; модулей защиты от сетевых помех; адаптеров

141. Разработка3142,225 43 84,225 90 525 920 514 498 468 разработка системы базовых оптимизированной ________ __ ______ __ ___ ___ ___ ___ ___ несущих конструкций, системы базовых 2089,5 28 54,5 57 350 612 343 333 312 изготавливаемых на основе несущих прогрессивных технологий и конструкций обеспечивающих техническую первого, второго совместимость со всеми и третьего видами современных объектов уровней для с использованием новых наземной, полимерных материалов. морской, Применение оптимизированных авиационной и базовых несущих конструкций космической позволит сократить сроки радиоэлектронной разработки радиоэлектронной аппаратуры аппаратуры в 1,2 раза, специального и снизить трудоемкость двойного изготовления базовых несущих назначения, конструкций в 1,5 - 2 раза, предназначенной на 25 процентов уменьшить для жестких материалоемкость и сократить условий затраты на производство эксплуатации, в радиоэлектронной аппаратуры том числе в 1,2 - 1,3 раза, работающей в обеспечить эффективное негерметизирован- импортозамещение ном отсеке с использованием прогрессивных технологий

142. Разработка1732,889 46,16 66,651 60,078 285 482 275 269 249 разработка базовых несущих базовых ________ _____ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ конструкций с функциями технологий 1159,68 33 45,3 41,38 190 320 184 180 166 контроля, в том числе комплексно контроля температуры, интегрированных влажности, задымления в базовых несущих корпусах радиоэлектронной конструкций с аппаратуры, уровня функциями вибрации, контроля контроля, параметров составных частей диагностики, радиоэлектронной индикации аппаратуры - унифицированных функционирования электронных модулей, индикации рабочих режимов и аварийных сигналов для идентификации контролируемых параметров, разработка герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций, обеспечивающих нормальный тепловой режим радиоэлектронной аппаратуры и выполняющих функции измерения и регулирования в требуемом диапазоне температуры и влажности воздуха внутри герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций. Это позволит в 1,5 - 2 раза повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры

143. Разработка1287,818 30,618 34,2 38 210 362 206 202 205 обеспечение улучшения базовых ________ ______ ____ __ ___ ___ ___ ___ ___ массогабаритных технологий 856,2 20 22,2 24 140 240 138 135 137 характеристик бортовой создания аппаратуры на 30 процентов облегченных и повышение прочности при паяных базовых внешних воздействиях в несущих 1,5 - 2 раза конструкций для радиоэлектронной аппаратуры авиационного и космического базирования на основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции

144. Разработка1051,4 21 32,4 38 180 275 181 164 160 повышение уровня системной контейнерных ______ __ ____ __ ___ ___ ___ ___ ___ интеграции и базовых несущих 698,4 14 20,4 24 120 180 123 110 107 комплексирования средств и конструкций с систем, повышение унифицированными конкурентоспособности не интерфейсными менее чем в 2 раза, средствами для обеспечение функционирования комплексирования аппаратуры в условиях бортовых и внешних жестких воздействий наземных систем и комплексов различного назначения

Всего по 26068,549 649,773 963,649 815,127 4200 7157 4425 4000 3858 направлению 7 _________ _______ _______ _______ ____ ____ ____ ____ ____ 17331,97 427,9 623,7 520,37 2800 4795 2950 2655 2560

Направление 8. Типовые базовые технологические процессы
145. Разработка3141,625 45 75,057 66,568 555 848 553 521 478 обеспечение разработки технологии ________ __ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ технологий: изготовления 2094 30 50 44 370 575 365 345 315 производства печатных плат высокоплотных 5-го и выше классов теплонагруженных точности, включая платы со и сильноточных встроенными пассивными печатных плат элементами; создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания; формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200-400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости; формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий; производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки; лазерных процессов изготовления печатных плат; прямой металлизации сквозных и глухих отверстий

146. Разработка2012,052 35,733 52,195 49,124 360 545 348 322 300 обеспечение разработки технологии ________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ технологий: изготовления 1343,3 25 35 33,3 240 363 232 215 200 изготовления коммутационных прецизионных плат для жестких условий коммутационных эксплуатации и широкого плат на основе диапазона частот; керамики (в том получения коммутационных числе низко- плат с температурным температурной), коэффициентом расширения, металла, соответствующим тепловым углепластика и характеристикам других многовыводных корпусов (в функциональных том числе керамических) материалов современных приборов; обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей; снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики; интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоомных проводников, пассивных элементов; прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат; обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате

147. Разработка3705,145 65,121 107,805 67,219 615 1033 668 600 549 обеспечение разработки технологий ________ ______ _______ ______ ___ ____ ___ ___ ___ технологий: сборки, монтажа 2460,6 43 63 44,6 410 689 445 400 366 новых методов присоединения, электронных сварки, пайки, в том числе с модулей, применением бессвинцовых многокристальных припоев; модулей и высокоточного дозирования микросборок на материалов, применяемых при основе новой сборке (флюсы, припои и компонентной припойные пасты, клеи, лаки, базы, компаунды и т. п.); перспективных новых методов сборки и пайки технологических и корпусов типа BGA, CSP, конструкционных Flip-chip и других на материалов различные коммутационные платы; монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины; сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов; настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты

148. Разработка1392 29 36,5 36,5 225 382 248 225 210 обеспечение разработки технологии ____ __ ____ ____ ___ ___ ___ ___ ___ технологий: создания 927 19 24 24 150 255 165 150 140 изготовления антенно- межблочных фидерных устройств, в том соединений для числе гибких волноводов, коммутации вращающихся сочленений с сигналов в различными видами охлаждения; широком оптоволоконной диапазоне частот коммутации, устойчивой к и мощностей воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга; изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и т. п.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и других

149. Разработка1433,792 35,154 61,38 47,258 225 382 248 225 210 повышение процента выхода методов, средств ________ ______ _____ ______ ___ ___ ___ ___ ___ годных изделий, снижение и технологии 955,5 23 41 31,5 150 255 165 150 140 потерь на 15-30 процентов; автоматизирован- обеспечение разработки: ного контроля неразрушающих методов коммутационных контроля качества монтажных плат, узлов, соединений и многослойных электронных структур за счет модулей и использования различного приборов излучения и цифровой специального и обработки информации; общего применения методов выявления на этапах напряженных состояний разработки и элементов конструкции и производства потенциальных неисправностей изделий; унифицированных методов и средств тестового и функционального контроля изделий различного назначения

150. Разработка3587,206 57,178 81,504 73,524 600 1037 642 592 504 импортозамещение технологии ________ ______ ______ ______ ___ ____ ___ ___ ___ специальных конструкционных производства 2388,12 36 53,15 48,97 400 658 428 395 369 и технологических специальных материалов, обеспечивающих технологических и процессы бессвинцовой и конструкционных комбинированной пайки, материалов и изготовления коммутационных базовой плат; технологии защиты разработка влагозащитных электронных электроизоляционных покрытий модулей от с минимальным газовыделением воздействия в со сроком эксплуатации 25 и жестких условиях более лет; эксплуатации разработка быстроотверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов; разработка материалов и технологии их применения для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре; разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности; обеспечение разработки технологий: локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе наноструктурированными; вакуумно-плотной герметизации узлов и блоков со свободным внутренним объемом до 5-10 л методами пайки и сварки; изготовления вакуумно- плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы; формирования покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения; нанесения локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей

Всего по 15271,82 267,186 414,441 340,193 2580 4227 2707 2485 2251 направлению 8 ________ _______ _______ _______ ____ ____ ____ ____ ____ 10168,52 176 266,15 226,37 1720 2795 1800 1655 1530

Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов

151. Разработка2630,515 60,032 89,083 81,4 435 887 367 359 352 создание технологий технологий ________ ______ ______ ____ ___ ___ ___ ___ ___ отечественного программно- создания систем и 1751 40 59 52 290 590 245 240 235 аппаратного обеспечения и оборудования средств разработки для автоматизации автоматизированного проектирования проектирования радиоэлектронных радиоэлектронного систем и оборудования с комплексов использованием различных технологических процессов; повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции; создание технологий обеспечения информационной безопасности функционирования информационно-управляющих систем; существенное повышение уровней защиты информации в информационно- управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем; реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры

152. Разработка3098,994 75,3 138,5 80,194 525 1055 430 406 389 создание новых способов технологий ________ ____ _____ ______ ___ ____ ___ ___ ___ моделирования: моделирования 2052,9 49,8 80 53,1 350 705 286 270 259 комбинированного способа сложных моделирования, позволяющего информационно- существенным образом управляющих повысить быстродействие систем, в том вычислений при сохранении числе систем точности расчета выходных реального показателей эффективности; времени способа операционно- динамического моделирования; снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции; повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов

153. Разработка2425,733 45,054 70,65 75,029 405 975 285 285 285 создание метрологически технологий ________ ______ _____ ______ ___ ___ ___ ___ ___ аттестованной полунатурных и 1615,65 30 45,65 50 270 650 190 190 190 унифицированной стендовой стендовых испытательной базы для испытаний сложных проведения научно- информационно- исследовательских и опытно- управляющих конструкторских работ; систем снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции; существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний

154. Разработка2257,66 45,05 73,65 68,96 375 907 269 270 249 разработка базовых технологии _______ _____ _____ _____ ___ ___ ___ ___ ___ технологий, элементов и конструирования и 1502,61 30 48,65 43,96 250 605 179 180 166 конструкций для создания производства, а парка измерительных систем также аппаратно- и приборов, необходимых для программного разработки и испытаний обеспечения радиотехнических метрологических информационно-управляющих систем различного систем, систем связи и назначения для телекоммуникаций создания нового поколения отечественного парка измерительной аппаратуры

Всего по 10412,902 225,436 371,883 305,583 1740 3824 1351 1320 1275 направлению 9 _________ _______ _______ _______ ____ ____ ____ ____ ____ 6922,16 149,8 233,3 199,06 1160 2550 900 880 850

Направление 10. Обеспечивающие работы
155. Разработка92 9 6 7 10 18 14 14 14 разработка комплекта организационных __ _ _ _ __ __ __ __ __ методической и научно- принципов и 89 6 6 7 10 18 14 14 14 технической документации научно- для обеспечения технической базы функционирования систем обеспечения проектирования и проектирования производства электронной и производства компонентной базы в электронной соответствии с требованиями компонентной базы Всемирной торговой в соответствии с организации требованиями Всемирной торговой организации

156. Создание и128,3 16,3 20 13 19 18 14 14 14 разработка новых и обеспечение _____ ____ __ __ __ __ __ __ __ совершенствование функционирования 125 13 20 13 19 18 14 14 14 существующих методов системы испытаний испытаний электронной электронной компонентной базы, компонентной разработка методов базы, отбраковочных испытаний обеспечивающей перспективной электронной поставку изделий компонентной базы, с гарантированной обеспечение поставки надежностью для изделий с гарантированной комплектации надежностью для систем комплектации систем специального и специального назначения двойного (атомная энергетика, назначения космические программы, транспорт, системы двойного назначения)

157. Разработка и100,5 8,5 12 9 11 18 15 14 13 разработка и систематизация совершенствование _____ ___ __ _ __ __ __ __ __ методов расчетно- методов, 99 7 12 9 11 18 15 14 13 экспериментальной оценки обеспечивающих показателей надежности качество и электронной компонентной надежность сложно- базы, разрешенной для функциональной применения в аппаратуре, электронной функционирующей в компонентной специальных условиях и с базы на этапах длительными сроками опытно- активного существования конструкторских работ, освоения и производства

158. Создание и94,5 10 14,5 10 18 15 14 13 разработка системы внедрение ____ __ ____ __ __ __ __ __ технологий обеспечения основополагающих 86 7 9 10 18 15 14 13 жизненного цикла изделия документов при создании широкой по обеспечению номенклатуры электронной жизненного цикла компонентной базы изделия на этапах проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы

159. Научное138 19 25 15 19 18 15 14 13 оптимизация состава сопровождение ___ __ __ __ __ __ __ __ __ выполняемых комплексов Программы, в том 127 13 20 15 19 18 15 14 13 научно-исследовательских и числе определение опытно-конструкторских технологического работ по развитию и технического электронной компонентной уровней развития базы в рамках Программы и отечественной и определение перспективных импортной направлений создания новых электронной классов электронной компонентной базы компонентной базы с на основе их установлением системы рубежных технико- технико-экономических и экономических рубежных технологических показателей, показателей, разработка разработка "маршрутных карт" "маршрутных карт" развития по направлениям развития групп электронной компонентной электронной базы компонентной базы

160. Создание104,5 11 14,5 9 10 18 15 14 13 проведение технико- интегрированной _____ __ ____ _ __ __ __ __ __ экономической оптимизации информационно- 98 7 12 9 10 18 15 14 13 выполнения аналитической комплексных годовых автоматизирован- мероприятий подпрограммы, ной системы по создание системы развитию действенного финансового и электронной технического контроля компонентной выполнения Программы базы, охватывающей деятельность заказчика- координатора, заказчиков и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, с целью оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико- экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы

161. Определение100 11 13 8 8 18 15 14 13 формирование системно- перспектив ___ __ __ _ _ __ __ __ __ ориентированных материалов развития 93 7 10 8 8 18 15 14 13 по экономике, технологиям российской проектирования и электронной производству электронной компонентной базы компонентной базы, на основе В ллиза обобщение и анализ мирового динамики опыта для выработки сегментов технически и экономически мирового и обоснованных решений отечественного развития электронной рынков компонентной базы радиоэлектронной продукции и действующей производственно- технологической базы

162. Системный анализ74 11 13 8 7 14 7 7 7 создание отраслевой системы результатов __ __ __ _ _ __ _ _ _ учета и планирования выполнения 69 8 11 8 7 14 7 7 7 развития разработки, комплекса производства и применения мероприятий электронной компонентной Программы на базы основе создания отраслевой системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико- экономическим показателям

Всего по 831,8 95,8 118 69 94 140 110 105 100 направлению 10 _____ ____ ___ __ __ ___ ___ ___ 786 68 100 69 94 140 110 105 100

Итого по 96752,876 6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 15051,1 13408,25 12203 разделу I _________ ________ ________ ________ _____ ________ _______ ________ _____ 63908,3 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 10020 8925,88 8150

------|------------------|---------|-----------------------------------------------------------------------|------|---------|-----------------------| Мероприятия | 2008- | В том числе |Сроки | Площадь | Ожидаемые результаты | | 2015 |--------|--------|-------|--------|---------|------|---------|---------|реали-| объекта | | | годы - |2008 год|2009 год| 2010 |2011 год| 2012 год| 2013 |2014 год |2015 год |зации | (кв. м) | | | всего | | | год | | | год | | | | | ------|------------------|---------|--------|--------|-------|--------|---------|------|---------|---------|------|---------|-----------------------

II. Капитальные вложения
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНПРОМТОРГ РОССИИ)
Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
163.Реконструкция и 744,5 357 191,5 196 2008- 5293 создание техническое _____ ___ _____ ___ 2010 производственно- перевооружение 696,5 315 191,5 190 технологического производства комплекса по выпуску сверхвысоко- твердотельных частотной сверхвысокочастотных техники субмодулей мощностью федерального 100 тыс. шт. в год государствен- ного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская область

164.Реконструкция и 815,5 124,5 170,5 100,5 420 2008- 3424,4 создание техническое _____ _____ _____ _____ ___ 2011 производственной перевооружение 580,5 110 170,5 90 210 технологической линии федерального по выпуску государственного сверхвысокочастотных унитарного приборов и модулей на предприятия широкозонных "Научно- полупроводниках производственное мощностью предприятие 360 тыс. шт. в год "Пульсар", г. Москва

165.Реконструкция и 233 53 180 2010- 3380 расширение мощностей техническое ____ __ ___ 2011 по производству перевооружение 140* 50 90 активных элементов и федерального сверхвысокочастотных государственного монолитных унитарного интегральных схем с предприятия повышенной "Научно- радиационной производственное стойкостью с 15 до предприятие 35 тыс. шт. в год** "Салют", г. Нижний Новгород

166.Техническое 193,6 93,6 100 2010- 3058,73 ввод новых мощностей перевооружение _____ ____ ___ 2011 по производству федерального 140* 90 50 новейших образцов государственного ламп бегущей волны и унитарного других предприятия сверхвысокочастотных "Научно- приборов, в том числе производственное в миллиметровом предприятие диапазоне** "Алмаз", г. Саратов

167.Реконструкция и 348,8 78,8 270 2010- 1438 реконструкция техническое _____ ____ ___ 2011 производственной перевооружение 200* 65 135 линии по выпуску федерального новых сверхмощных государственного сверхвысокочастотных унитарного приборов с повышенным предприятия уровнем технических "Научно- параметров, производственное надежности и предприятие долговечности "Торий", мощностью 88 шт. в г. Москва год**

168.Техническое 100 40 60 2010- 1380 реконструкция перевооружение ___ __ __ 2011 производственной федерального 60* 30 30 линии для выпуска государственного новых изделий унитарного радиационно стойкой предприятия электронной "Новосибирский компонентной базы, завод необходимой для полупроводниковых организаций Росатома приборов с ОКБ", и Роскосмоса** г. Новосибирск

169.Техническое 133 53 80 2010- 1973 создание перевооружение ___ __ __ 2011 производственных федерального 90* 50 40 мощностей по выпуску государственного радиационно стойкой унитарного электронной предприятия компонентной базы в "Научно- количестве 80-100 производственное тыс. шт. в год для предприятие комплектования "Восток", важнейших специальных г. Новосибирск систем**

170.Техническое 1520 500 380 320 320 2012- 5240*** техническое перевооружение ____ ___ ___ ___ ___ 2015 перевооружение завода открытого 760* 250 190 160 160 для выпуска акционерного сверхбольших общества "НИИ интегральных схем с молекулярной топологическими электроники и нормами 0,18 мкм** завод "Микрон", г. Москва, г. Зеленоград

171.Техническое 240 49,2 190,8 2010- 1720 организация участка перевооружение ____ ____ _____ 2011 прецизионной федерального 120* 24,6 95,4 оптической и государственного механической унитарного обработки деталей для предприятия лазерных излучателей, "Научно- твердотельных лазеров исследовательский и бескарданных институт "Полюс" лазерных гироскопов им. М.Ф.Стель- нового поколения маха", мощностью 442 шт. в г. Москва год**

172.Техническое 420 110 100 105 105 2012- 1555*** создание новых перевооружение ____ ___ ___ ____ ____ 2015 производственных открытого 210* 55 50 52,5 52,5 мощностей для выпуска акционерного микроэлектронных общества датчиков физических "Светлана", величин и электронных г. Санкт- датчиков для экспресс- Петербург контроля параметров крови и жизне- деятельности человека**

173.Реконструкция и 166,2 166,2 2009 7630,4 обеспечение техническое _____ _____ потребности в базовых перевооружение 150* 150 несущих конструкциях, централизованного в том числе производства импортозамещающих, базовых несущих предприятий конструкций приборостроения, на федеральном машиностроения, государственном судостроения и других унитарном отраслей предприятии промышленности** "Производственное объединение "Квант", г. Великий Новгород

174.Техническое 62 62 2009 2404,6 техническое перевооружение ___ __ перевооружение федерального 60* 60 действующего государственного производства унитарного электронной предприятия компонентной базы и "Научно- микросистемотехники исследовательский для создания новых институт рядов электронно- конкурентоспособных механических изделий электронной приборов", техники** г. Пенза

175.Техническое 60,1 60,1 2008 120 техническое перевооружение ____ ____ перевооружение федерального 30 30 действующих государственного производственных унитарного мощностей по выпуску предприятия сверхбольших "Научно- интегральных схем и исследовательский мощных институт сверхвысокочастотных электронной транзисторов с техники", объемом выпуска г. Воронеж сверхбольших интегральных схем 50 тыс. шт. в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс. шт. в год**

176.Техническое 160 160 2012 700 организация серийного перевооружение ___ ___ производства федерального 80* 80 параметрических рядов государственного мембранных датчиков унитарного мощностью 10 млн. шт. предприятия в год и "Научно- чувствительных исследовательский элементов для институт сканирующей зондовой физических микроскопии мощностью проблем имени 0,3 млн. шт. в год** Ф.В.Лукина", г. Москва

177.Реконструкция и 840 64 110 240 180 123 123 2010- 12900 расширение техническое ____ __ ___ ___ ___ ____ ____ 2015 производства перевооружение 420* 32 55 120 90 61,5 61,5 перспективных производства тонкостенных антенно- перспективных фидерных устройств и тонкостенных волноводных трактов антенно- сверхвысокочастотного фидерных диапазона, увеличение устройств и выпуска в 1,5 раза волноводных мощностью 44,76 тыс. трактов шт. в год** сверхвысокочас- тотного диапазона в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область

178.Техническое 1000 300 280 210 210 2012- 3225*** увеличение объемов перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производства модулей реконструкция 500* 150 140 105 105 для обработки и технологической и передачи сигналов лабораторной базы радиолокационных, производства и навигационных и контроля посадочных систем до перспективных 250 шт. в год** радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Челябинский радиозавод "Полет", г. Челябинск

179.Техническое 1800 560 500 370 370 2012- 5455*** повышение перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 эффективности, реконструкция 900* 280 250 185 185 надежности и производства и конкурентоспособности лабораторной базы отечественных для разработки и радиоэлектронных производства модулей, изделий, перспективных комплексов и систем радиоэлектронных открытого модулей, изделий акционерного общества в открытом "Концерн акционерном радиостроения "Вега"** обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва

180.Техническое 1200 360 340 250 250 2012- 3870*** повышение надежности перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 и качества конечной реконструкция 600* 180 170 125 125 продукции открытого производственно- акционерного общества технологической, "Концерн контрольно- радиостроения "Вега", испытательной создание базы нового конкурентоспособных поколения изделий мирового антенных систем уровня, дистанционного увеличение годового зондирования объема производства Земли в открытом до 6 систем в год** акционерном обществе "Научно- исследовательский институт "Кулон", г. Москва

181.Техническое 297,66 47,66 110 140 2009- 2456,4 создание комплексного перевооружение _______ _____ ___ ___ 2011 испытательного стенда для создания 148,66* 23,66 55 70 для исследования производства образцов техники нового мощностью 800 шт. в поколения год** радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Научно- производственное предприятие "Рубин", г. Пенза

182.Техническое 379,9 25,9 70 80 60 72 72 2010- 996,3 производство систем перевооружение _____ ____ __ __ __ __ __ 2015 радиочастотной производственно- 200* 23 35 40 30 36 36 идентификации** технологической, контрольно- испытательной базы в открытом акционерном обществе "Инженерно- маркетинговый центр ОАО "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва

183.Техническое 1000 240 300 230 230 2012- 3030*** обеспечение перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производства реконструкция 500* 120 150 115 115 микропроцессорных мощностей для систем управления и производства контроля гибридных микропроцессорных двигательных систем управления установок различного и контроля класса в объеме до гибридных 1000 шт. в месяц** двигательных установок различного класса в открытом акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область

184.Реконструкция и 1720 500 480 370 370 2012- 5200*** изготовление техническое ____ ___ ___ ___ ___ 2015 прецизионных лазерных перевооружение в 860* 250 240 185 185 и пьезокерамических целях создания гироскопов для специализирован- перспективных ного производства летательных прецизионных аппаратов** лазерных и пьезо- керамических гироскопов в открытом акционерном обществе "Ижевский электромеханичес- кий завод "Купол", г. Ижевск, Удмуртская Республика

185.Техническое 1220 380 360 240 240 2012- 3560*** изготовление перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 унифицированных реконструкция 610* 190 180 120 120 твердотельных специализирован- низкочастотных ного типовых элементов производства замены для унифицированных информационных низкочастотных средств и модулей типовых элементов активных фазированных замены и модулей антенных решеток для активных локационных систем фазированных различного антенных решеток применения, в открытом перспективных средств акционерном связи и управления обществе воздушным движением** "Марийский маши- ностроительный завод", г. Йошкар-Ола, Республика Марий Эл

186.Реконструкция и 720 140 260 200 60 60 2011- 9582 организация техническое ____ ___ ___ ___ __ __ 2015 производства и перевооружение 360* 70 130 100 30 30 внедрение современной производства технологии с унифицированных соответствующим электронных переоснащением модулей высокопроизводительным межвидового оборудованием, применения на увеличение объема открытом ежегодного акционерном производства обществе продукции с "Федеральный 2370 млн. рублей в научно- 2007 году до производственный 5028 млн. рублей в центр 2015 году** "Нижегородский научно- исследовательский институт радиотехники", г. Нижний Новгород

187.Техническое 970 240 277,62 240 106,19 106,19 2011- 8442,7 увеличение объемов перевооружение ____ ___ ______ ___ ______ ______ 2015 производства, специализирован- 485* 120 138,81 120 53,095 53,095 повышение качества и ного производства надежности твердотельных твердотельных передающих и передающих и приемных приемных систем, систем, приемо- приемо-передающих передающих модулей модулей активных активных фазированных фазированных антенных решеток антенных решеток L-диапазона для в открытом перспективных средств акционерном связи и управления обществе воздушным движением** "Научно- производственное объединение "Правдинский радиозавод", г. Балахна, Нижегородская область

188.Техническое 1230 360 330 270 270 2012- 4000*** увеличение объемов перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производства, реконструкция 615* 180 165 135 135 повышение качества и специализирован- надежности ного твердотельных производства передающих и приемных твердотельных систем, приемо- передающих и передающих модулей приемных систем, активных фазированных приемо-передающих антенных решеток С- и модулей активных S-диапазонов волн для фазированных перспективных средств антенных решеток связи и управления в открытом воздушным движением** акционерном обществе "Научно- производственное объединение "Лианозовский электромеханичес- кий завод", г. Москва

189.Техническое 800 240 200 180 180 2012- 2425*** изготовление перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 унифицированных реконструкция 400* 120 100 90 90 твердотельных специализирован- высокочастотных ного типовых элементов производства замены для унифицированных локационных систем высокочастотных различного типовых элементов применения, замены в открытом перспективных средств акционерном связи и управления обществе воздушным движением, "Рязанский завод увеличение объема "Красное Знамя", производства типовых г. Рязань элементов замены в 1,5 раза**

190.Техническое 960 260 240 230 230 2012- 3300*** увеличение выпуска перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 унифицированных реконструкция 480* 130 120 115 115 автоматизированных специализирован- рабочих мест ного операторов производства информационных и унифицированных специального рабочих мест назначения операторов управляющих систем в информационных 1,7 раза** систем в открытом акционерном обществе "Уральское производственное предприятие "Вектор", г. Екатеринбург

191.Реконструкция и 960 300 240 210 210 2012- 2800*** внедрение современных техническое ____ ___ ___ ___ ___ 2015 технологий с перевооружение 480* 150 120 105 105 соответствующим для создания переоснащением регионального высокопроизводительным контрактного оборудованием для производства организации унифицированных контрактного электронных производства** модулей в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж

192.Создание 2060 640 560 430 430 2012- 6000*** создание лабораторной, _____ ___ ___ ___ ___ 2015 конкурентоспособной технологической и 1030* 320 280 215 215 продукции мирового производственной уровня, освоение базы для технологий двойного обеспечения назначения, разработки, увеличение объема производства и выпуска изделий испытаний нового до 2 - 2,5 млрд. поколения рублей в год** телекоммуникаци- онных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж

193.Реконструкция и 194,6 194,6 2012 620*** создание мощностей по техническое _____ _____ изготовлению перевооружение 97,3* 97,3 спецтехники нового производственно- поколения, технологической и обеспечивающей защиту лабораторно- специальной испытательной информации в базы на информационно- федеральном коммуникационных государственном системах** унитарном предприятии "Калужский электромехани- ческий завод", г. Калуга

194.Техническое 570 110 380 80 2011- 3156 увеличение объема перевооружение ____ ___ ___ __ 2013 выпуска продукции в производства 285* 55 190 40 1,3 - 1,5 раза, перспективных повышение качества и коротковолновых конкурентоспособности радиостанций в продукции** открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Октябрь", г. Тамбов

195.Реконструкция и 350 90 80 90 90 2012- 1200*** модернизация техническое ____ __ __ __ __ 2015 производства и перевооружение 175* 45 40 45 45 внедрение современной производства технологии с наземной соответствующим аппаратуры переоснащением подвижной связи высокопроизводительного в открытом оборудования** акционерном обществе "Тамбовский завод "Революционный труд", г. Тамбов

196.Техническое 600 200 120 120 80 80 2011- 2332,2 ускорение и повышение перевооружение ____ ___ ___ ___ __ __ 2015 качества разработки производственно- 300* 100 60 60 40 40 мультисервисных сетей технологической и ведомственной и лабораторно- профессиональной испытательной связи, ожидаемый базы в открытом экономический эффект акционерном 3 млрд. рублей** обществе "Воронежский научно- исследовательский институт "Вега", г. Воронеж

197.Техническое 220 220 2011 7500 ускорение и повышение перевооружение ____ ___ качества разработки лабораторной и 110* 110 перспективных производственно- программно технологической реализуемых сетей базы нового радиосвязи и серии поколения узлов унифицированных связи в открытом электронных модулей акционерном для построения обществе указанных сетей** "Тамбовский научно- исследовательский институт радиотехники "Эфир", г. Тамбов

198.Техническое 915,4 400 360 77,7 77,7 2012- 2700*** серийное производство перевооружение ______ ___ ___ _____ _____ 2015 перспективной производства 457,7* 200 180 38,85 38,85 номенклатуры открытого резисторов, в том акционерного числе чип-резисторов общества в объеме 350-400 млн. "Российская руб. в год** электроника", г. Москва

199.Реконструкция и 720 400 320 2012- 2300*** серийное производство техническое ____ ___ ___ 2013 инфракрасных перевооружение 360* 200 160 оптоэлектронных для создания компонентов и серийного комплекса электронных производства средств для инфракрасных обеспечения оптоэлектронных безопасности компонентов в промышленных открытом объектов** акционерном обществе "РЭ Комплексные системы", г. Санкт- Петербург

200.Техническое 161,5 91,5 70 2009- 2786 увеличение объемов перевооружение с ______ ____ __ 2010 производства целью создания 136,5* 76,5 60 в 1,5 раза** производства мощностью 4327 шт. в новых год электровакуумных приборов на открытом акционерном обществе "Научно- производственное предприятие "Контакт", г. Саратов

201.Техническое 178,375 50,200 70,675 57,5 2008- 2015 обеспечение перевооружение и _______ ______ ______ ____ 2010 увеличения объема реконструкция 150* 50 50 50 выпуска продукции до производства по 0,8 - 1,2 млрд. выпуску рублей в год, электровакуумных увеличения ресурса приборов сверх- изделий, создания высокочастотного новых приборов диапазона и мощностью 706 шт. в специального год** технологического оборудования в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод", г. Москва

202.Техническое 800 500 200 50 50 2012- 2750*** создание сборочного перевооружение ____ ___ ___ __ __ 2015 производства с для создания 400* 250 100 25 25 использованием сборочного микроминиатюрной производства элементной базы, в электронных том числе модулей с микропроцессоров и использованием матриц BGA** новейшей электронной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Электромеха- нический завод "Звезда", г. Сергиев Посад, Московская область

203.Реконструкция и 420 140 100 90 90 2012- 1450*** увеличение объема техническое ____ ___ ___ __ __ 2015 выпуска продукции до перевооружение с 210* 70 50 45 45 520 млн. рублей целью создания в год** контрактного производства электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга

204.Техническое 302 80 70 76 76 2012- 940*** внедрение современных перевооружение и ____ __ __ __ __ 2015 технологий, создание реконструкция 151* 40 35 38 38 комплекса для производства и проведения контроля приборно- технологических измерительной параметров и базы на испытаний. Увеличение федеральном объема выпуска государственном продукции в унитарном 1,5 раза** предприятии "Таганрогский научно- исследовательский институт связи", г. Таганрог

205.Техническое 480 160 140 90 90 2012- 1550*** производство перевооружение и ____ ___ ___ __ __ 2015 наногетероструктурных реконструкция 240* 80 70 45 45 сверхвысокочастотных пилотной транзисторов и технологической монолитных линии по интегральных схем для изготовлению систем связи, наногетерострук- измерительной турных сверх- техники, высокочастотных радиолокации и транзисторов и сверхвысокочастотной монолитных радиометрии** интегральных схем для систем связи, измерительной техники, радиолокации и сверхвысокочас- тотной радиометрии в Учреждении Российской академии наук Институт сверх- высокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва

206.Техническое 300 80 70 75 75 2012- 910*** производство полного перевооружение и ____ __ __ ____ ____ 2015 функционального ряда реконструкция 150* 40 35 37,5 37,5 массовых производства отечественных испытательной микроминиатюрных базы нового пьезоэлектрических поколения пьезо- генераторов, электрических фильтров, резонаторов. генераторов, Увеличение объема фильтров, выпуска продукции до резонаторов в 230-250 млн. рублей открытом в год** акционерном обществе "Завод "Метеор", г. Волжский, Волгоградская область

207.Реконструкция и 400 120 120 80 80 2012- 720*** расширение техническое ____ ___ ___ __ __ 2015 производственных перевооружение 200* 60 60 40 40 площадей выпуска научно- приемо-передающих производственной модулей на и лабораторной 720 кв. м** базы в открытом акционерном обществе "Ордена Трудового Красного Знамени федеральный научно- производственный центр по радиоэлектронным системам и информационным технологиям имени В.И.Шимко", г. Казань, Республика Татарстан

208.Техническое 400 120 120 80 80 2012- 1540*** организация перевооружение с ____ ___ ___ __ __ 2015 контрактной сборки целью создания 200* 60 60 40 40 массовой продукции, контрактного увеличение объема производства производства унифицированных контрактной продукции электронных в 1,8 раза** модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский завод имени М.В.Фрунзе", г. Нижний Новгород

209.Техническое 214,453 79 135,453 2008- 2300 организация перевооружение с _______ __ _______ 2009 контрактной сборки целью создания 150* 60 90 массовой продукции, контрактного увеличение объема производства производства унифицированных контрактной продукции электронных в 2,5 раза** модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Омское производственное объединение "Иртыш", г. Омск

210.Техническое 300 80 70 75 75 2012- 1070*** организация перевооружение с ____ __ __ ____ ____ 2015 контрактной сборки целью создания 150* 40 35 37,5 37,5 массовой продукции, контрактного увеличение объема производства производства унифицированных контрактной продукции электронных в 1,5 раза** модулей в открытом акционерном обществе "Авангард", г. Санкт- Петербург

211.Техническое 1000 380,52 280 169,74 169,74 2012- 3300*** обеспечение перевооружение с ____ ______ ___ ______ ______ 2015 изготовления печатных целью создания 500* 190,26 140 84,87 84,87 плат с новыми контрактного финишными покрытиями производства по до 20 000 кв. м изготовлению в год; печатных плат обеспечение выше 5-го класса изготовления точности и унифицированных унифицированных электронных модулей электронных на печатных платах в модулей на количестве до федеральном 400 тыс. шт. в год** государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение "Электроприбор", г. Пенза

212.Техническое 600 200 160 120 120 2012- 1750*** внедрение современной перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 технологии с реконструкция 300* 100 80 60 60 соответствующим производства переоснащением электронных высокопроизводи- сверхвысокочас- тельным тотных модулей на оборудованием. федеральном Увеличение объема государственном выпуска продукции в унитарном 1,5 раза** предприятии "Нижегородский научно- исследовательский приборострои- тельный институт "Кварц", г. Нижний Новгород

213.Техническое 510 210 160 70 70 2012- 1645*** обеспечение перевооружение и ____ ___ ___ __ __ 2015 разработки, реконструкция 255* 105 80 35 35 производства и производства аттестации средств систем, комплексов и систем комплексов и защиты информации. средств, защиты Увеличение объема информации на выпуска продукции до федеральном 0,8 - 1,2 млрд. государственном рублей** унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва

214.Техническое 300 80 70 75 75 2012- 935*** обеспечение перевооружение и ____ __ __ ____ ____ 2015 потребности реконструкция 150* 40 35 37,5 37,5 организаций в базовых регионального несущих конструкциях производства для всех видов базовых несущих радиоэлектронной конструкций (БНК) аппаратуры. на федеральном Увеличение объема государственном выпуска продукции в унитарном 2 раза** предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт "Градиент", г. Ростов-на-Дону

215.Реконструкция и 360 90 90 90 90 2012- 1060*** обеспечение техническое ____ __ __ __ __ 2015 разработки, перевооружение 180* 45 45 45 45 производства и производственно- аттестации комплексов технологической и средств автоматизации лабораторно- информационно- испытательной управляющих систем. базы для создания Увеличение объема комплексов выпуска продукции до средств 0,52 млрд. рублей** автоматизации информационно- управляющих систем на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва

216.Техническое 300 80 70 75 75 2012- 1250*** организация перевооружение с ____ __ __ ____ ____ 2015 контрактной сборки целью создания 150* 40 35 37,5 37,5 массовой продукции, контрактного увеличение объема производства производства унифицированных контрактной продукции электронных в 1,8 раза** модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калугаприбор", г. Калуга

217.Техническое 300 80 70 75 75 2012- 1100*** организация перевооружение с ____ __ __ ____ ____ 2015 контрактной сборки целью создания 150* 40 35 37,5 37,5 массовой продукции, контрактного увеличение объема производства уни- производства фицированных контрактной продукции электронных в 1,7 раза** модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ростовский-на- Дону научно- исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону

218.Техническое 300 80 70 75 75 2012- 1060*** организация перевооружение с ____ __ __ __ ____ 2015 контрактной сборки целью создания 150* 40 35 37,5 37,5 массовой продукции, контрактного увеличение объема производства производства унифицированных контрактной продукции электронных в 2,5 раза** модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва

219.Техническое 300 70 90 70 70 2012- 970*** организация перевооружение с ____ __ __ __ __ 2015 контрактной сборки целью создания 150* 35 45 35 35 массовой продукции, контрактного увеличение объема производства уни- производства фицированных контрактной продукции электронных в 2,5 раза** модулей в открытом акционерном обществе "Курский завод "Маяк", г. Курск

220.Техническое 400 100 200 50 50 2012- 1600*** организация перевооружение с ____ ___ ___ __ __ 2015 контрактной сборки целью создания 200* 50 100 25 25 массовой продукции, контрактного увеличение объема производства уни- производства фицированных контрактной продукции электронных в 1,8 раза** модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт "Полюс" имени М.Ф.Стельмаха, г. Москва

221.Техническое 300 100 100 50 50 2012- 1210*** организация перевооружение с ____ ___ ___ __ __ 2015 контрактной сборки целью создания 150* 50 50 25 25 массовой продукции, контрактного увеличение объема производства уни- производства фицированных контрактной продукции электронных в 1,7 раза** модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт телевидения", г. Санкт- Петербург

222.Техническое 240 60 60 60 60 2012- 1000*** увеличение объема перевооружение с ____ __ __ __ __ 2015 производства целью создания 120* 30 30 30 30 в 1,5 раза** мощностей по выпуску источников вторичного электропитания в открытом акционерном обществе "Специальное конструкторско- технологическое бюро по релейной технике", г. Великий Новгород

223.Реконструкция и 400 100 140 80 80 2012- 1210*** увеличение объема техническое ____ ___ ___ __ __ 2015 производства перевооружение 200* 50 70 40 40 радиоэлектронных производства и изделий на 170 млн. испытательной рублей** базы широкополос- ных сверх- высокочастотных устройств на федеральном государственном унитарном предприятии "Брянский электромехани- ческий завод", г. Брянск

224.Техническое 100 100 2012 325*** увеличение объема перевооружение и ___ ___ выпуска продукции на реконструкция 50* 50 100 млн. рублей, производственно- освоение серийного испытательных производства изделий мощностей на "Орион-3М", федеральном "Орион-3СМ", "Анализ", государственном "Страж-ПМ" и других** унитарном предприятии "Государственное конструкторское бюро аппаратно- программных средств "Связь", г. Ростов-на-Дону

225.Техническое 800 200 240 180 180 2012- 2285*** увеличение объема перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 выпуска продукции до реконструкция 400* 100 120 90 90 1,5 - 2 млрд. рублей научно- в год, снижение технического и себестоимости производственного продукции** комплексов по выпуску электровакуумных приборов сверх- высокочастотного диапазона на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие "Торий", г. Москва

226.Техническое 178,61 102,6 76,01 2008- 2010 увеличение объема перевооружение и ______ _____ _____ 2009 выпуска продукции реконструкция 169,8* 100 69,8 в 2 раза** регионального производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- производственное предприятие "Полет", г. Нижний Новгород

227.Техническое 480 200 180 50 50 2012- 1450*** организация перевооружение и ____ ___ ___ __ __ 2015 производства базисных реконструкция 240* 100 90 25 25 материалов и производства, элементов для метрологической и разработки приборов и стендовой базы устройств контроля для сверхмалых количеств нанострукту- химических и рированных биологических веществ материалов, с использованием слоистых наноструктури- структур и рованных материалов, композитов на их слоистых структур и основе в открытом композитов на их акционерном основе** обществе "Центральный научно- исследовательский технологический институт "Техномаш", г. Москва

228.Реконструкция 400 100 100 100 100 2012- 1145*** увеличение объема и технческое ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производства изделий перевооружение 200* 50 50 50 50 до 1,9 млн. шт. и испытательного 650 млн. рублей** центра для обеспечения комплекса работ по корпусированию и испытаниям сложно- функциональных интегральных схем в открытом акционерном обществе "Российский научно- исследовательский институт "Элек- тронстандарт", г. Санкт- Петербург

229.Реконструкция и 700 180 160 180 180 2012- 1890*** увеличение объема техническое ____ ___ ___ ___ ___ 2015 выпуска продукции на перевооружение 350* 90 80 90 90 2 млрд. рублей** технологической линии по производству прецизионных многослойных печатных плат в открытом акционерном обществе "Омский приборострои- тельный ордена Трудового Красного Знамени завод им. Н.Г.Козицкого", г. Омск

230.Реконструкция и 557,6 113,5 108,4 115,7 220 2008- 879 создание техническое _____ _____ _____ _____ ___ 2011 конкурентоспособных перевооружение 403* 110 88 95 110 изделий мирового производственно- уровня. Разработка технологической и технологий двойного лабораторно- назначения. испытательной Увеличение объема базы на производства в федеральном 1,5 раза** государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт "Экран", г. Самара

231.Реконструкция и 714,7 15,5 79,2 180 140 150 150 2010- 3531 создание комплексов техническое _____ ____ ____ ___ ___ ___ ___ 2015 конкурентоспособной перевооружение 360* 10,4 39,6 90 70 75 75 аппаратуры производственно- специальной технологической и радиосвязи и лабораторной базы управления. для комплексов Увеличение объема специальной выпуска продукции в радиосвязи и 1,5 раза** управления на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский научно- исследовательский институт приборостроения", г. Омск

232.Реконструкция и 280 70 70 70 70 2012- 900*** повышение техническое ____ __ __ __ __ 2015 конкурентоспособности, перевооружение 140* 35 35 35 35 снижение сроков моделирующего разработки на 4-5 центра в открытом месяцев. акционерном Создание обществе "Научно- поведенческих моделей исследовательский систем реального институт времени, вычислительных использование систем комплексов поддержки принятия им. М.А.Карцева", решений, проведение и г. Москва анализ полунатурных испытаний, отработка алгоритмов искусственного интеллекта. Сокращение сроков испытания в 1,5 - 2 раза. Применение CALS- технологий с целью сокращения затрат и поддержки жизненного цикла разрабатываемых систем**

233.Техническое 560 160 170 115 115 2012- 1650*** увеличение объема перевооружение и ____ ___ ___ ____ ____ 2015 выпуска продукции до реконструкция 280* 80 85 57,5 57,5 421,5 млн. рублей** производственно- технологической и лабораторно- испытательной базы по созданию модернизированной системы идентификации на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза

234.Техническое 600 200 160 120 120 2012- 1665*** создание перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 метрологической, реконструкция 300* 100 80 60 60 испытательной базы метрологической, для разработки и испытательной производства базы и контрольно- производства измерительной оптических аппаратуры изделий на миллиметрового федеральном диапазона длин волн. государственном Увеличение объема унитарном производства предприятии квантовых рубидиевых "Нижегородский стандартов частоты в научно- 3 раза** исследовательский приборо- строительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород

235.Техническое 190 100 90 2012- 633*** создание перевооружение и ___ ___ __ 2013 сверхширокополосных реконструкция 95* 50 45 измерительных стендовой и комплексов для испытательной измерения параметров базы сложных одиночных антенн и радио- линейных, плоских и электронных объемных решеток систем и систем навигации, комплексов в посадки и открытом радиолокации в акционерном ближней и дальней обществе зонах (до 1000 м) и "Производственное модернизация объединение" существующей в Азимут", организации г. Махачкала, испытательной базы Республика для проведения научно- Дагестан исследовательских и опытно- конструкторских работ**

236.Техническое 570 70 140 120 120 120 2011- 2000 увеличение объема перевооружение ____ __ ___ ___ ___ ___ 2015 выпуска продукции до производственно- 285* 35 70 60 60 60 3 - 3,5 млрд. рублей технологической и в год** лабораторно- испытательной базы в открытом акционерном обществе "Научно- исследовательский институт полупроводниковых приборов", г. Томск

237.Техническое 1160 73,24 280 320 243,38 243,38 2011- 1500 увеличение объема перевооружение и ____ _____ ___ ___ ______ ______ 2015 производства реконструкция 580* 36,62 140 160 121,69 121,69 монолитно- производства интегральных и сверх- гибридно-монолитных высокочастотной приборов и техники на электронных федеральном компонентов государственном (в том числе унитарном импортозамещающих) до предприятии 250 тыс. шт. в год, "Научно- электровакуумных и производственное вакуумно- предприятие твердотельных модулей "Салют", (в том числе на г. Нижний основе Новгород микроминиатюрных ламп бегущей волны) до 1 тыс. шт. в год, унифицированных приемо-передающих модулей (в диапазоне частот 20 - 150 ГГц) до 1,5 тыс. шт. в год**

238.Реконструкция и 224 120 104 2012- 4590*** увеличение объема техническое ____ ___ ___ 2013 выпуска продукции до перевооружение 112* 60 52 761,5 млн. рублей для выпуска в год. Серийный теплоотводящих выпуск электронных керамических компонентов, подложек для керамических твердотельных подложек, сверх- керамических высокочастотных корпусов, устройств и IGBT- обеспечивающих модулей в увеличение объемов открытом производства в акционерном различных отраслях обществе промышленности, "Холдинговая сверхвысокочастотной компания техники и силовой "Новосибирский полупроводниковой электровакуумный электроники** завод - Союз", г. Новосибирск

239.Техническое 640 200 200 120 120 2012- 1940*** реконструкция перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 опытного производства реконструкция 320* 100 100 60 60 с учетом реализации опытного новых технологий по приборного изготовлению производства в интегральных сборок, открытом датчиков на акционерном пьезопленках и других** обществе "Концерн "Океанприбор", г. Санкт- Петербург

240.Реконструкция и 832 200 240 196 196 2012- 2450*** комплексное техническое ____ ___ ___ ___ ___ 2015 дооснащение базовых перевооружение 416* 100 120 98 98 технологий организации для производства совершенствования электронных средств судовой электро- вычислительной технической техники с целью продукции в импортозамещения и Федеральном повышения научно- конкурентоспособности; производственном создание центре открытом экспериментально- акционерном лабораторного обществе комплекса для "Научно- проведения контроля производственное технологических объединение параметров и "Марс", испытаний** г. Ульяновск

241.Реконструкция и 240 80 60 50 50 2012- 800*** техническое техническое ____ __ __ __ __ 2015 перевооружение перевооружение 120* 40 30 25 25 обеспечит: опытно- внедрение современных эксперименталь- технологий ного производства производства модулей модулей функциональной функциональной микроэлектроники; микроэлектроники рост объема в открытом производства акционерном функциональных обществе "Концерн модулей в 2 - 2,5 "Гранит - раза; Электрон", расширение г. Санкт- номенклатуры без Петербург существенных затрат на подготовку производства; промышленное освоение технологий влагозащиты и электроизоляции модулей**

242.Создание 1100 280 270 275 275 2012- 3250*** создание участков по производственного ____ ___ ___ _____ _____ 2015 производству комплекса для 550* 140 135 137,5 137,5 кремниевых датчиков, массового многослойных плат, производства сборке и компонентов корпусированию инерциальных инерциальных микромеханических микромеханических датчиков двойного изделий** назначения на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно- исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт- Петербург

243.Реконструкция 620 160 260 100 100 2012- 2065*** внедрение современных инженерно- ____ ___ ___ ___ ___ 2015 базовых технологий испытательного 310* 80 130 50 50 производства корпуса в электронных модулей открытом цифровой и акционерном цифроаналоговой обществе вычислительной "Концерн техники; "Гранит - обеспечение Электрон", разработки и г. Санкт- производства базовых Петербург унифицированных электронных модулей. Увеличение объема поставок до 10000 шт. в год**

244.Техническое 460 80 70 155 155 2012- 1705*** создание новой перевооружение ____ __ __ ____ ____ 2015 оптической элементной производственно- 230* 40 35 77,5 77,5 базы перспективных технологического оптико-электронных комплекса по систем, созданию оптико- обеспечивающей электронной предельно возможные компонентной базы технические параметры на открытом систем, в том числе акционерном комплексированных и обществе "Научно- многоспектральных производственное оптических каналов** объединение "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань, Республика Татарстан

245.Реконструкция 640 160 200 140 140 2012- 2000*** разработка, производственно- ____ ___ ___ ___ ___ 2015 испытания, опытные испытательного 320* 80 100 70 70 поставки и серийное комплекса производство новых федерального видов оптико- государственного электронных систем, унитарного обеспечивающих предприятия предельно возможные "Научно- технические параметры производственная изделий** корпорация "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт- Петербург

246.Реконструкция 700 180 160 180 180 2012- 2100*** создание единого корпуса 2Ж для ____ ___ ___ ___ ___ 2015 аналитического центра создания 350* 90 80 90 90 по исследованиям и лабораторно- сертификации аналитического важнейших материалов центра и компонентов инфракрасной инфракрасной фото- и фотоэлектроники** оптоэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "НПО "Орион", г. Москва

247.Техническое 3720 1000 300 1210 1210 2012- 12400*** создание перевооружение _____ ____ ___ ____ ____ 2015 производственно- производственно- 1860* 500 150 605 605 технологического технологического комплекса, который комплекса по обеспечит созданию промышленный выпуск оптоэлектронной изделий компонентной компонентной базы 2-го и 3-го базы на поколений и оптико- федеральном электронных систем на государственном их основе с унитарном параметрами, предприятии превышающими "НПО "Орион", современный и г. Москва прогнозируемый мировой уровень**

248.Техническое 600 160 140 150 150 2012- 2500*** создание инфракрасных перевооружение ____ ___ ___ ___ ___ 2015 матричных производственно- 300* 80 70 75 75 фотоприемных технологической устройств нового базы в открытом поколения и акционерном организация на их обществе основе производства "Московский тепловизионной завод "Сапфир", аппаратуры широкого г. Москва применения**

249.Техническое 420 70 60 145 145 2012- 1500*** обеспечение перевооружение ____ __ __ ____ ____ 2015 возможности стендово- 210* 35 30 72,5 72,5 проведения испытаний экспериментальной опытных образцов базы на источников федеральном электроэнергии, государственном статических унитарном преобразователей и предприятии аппаратуры защиты и "Научно- коммутации для исследовательский проекта "полностью институт электрический авиационного самолет"** оборудования", г. Жуковский, Московская область

250.Техническое 520 140 120 130 130 2012- 1900*** изготовление перевооружение ____ ___ ___ ___ ___ 2015 конкурентоспособных производственной 260* 70 60 65 65 изделий авиационной базы, освоение техники, инновационных соответствующих технологий для современным и изготовления перспективным радиоэлектронных международным изделий стандартам** авиационной техники с использованием новых уровней технологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно- исследовательский институт авиационного оборудования", г. Жуковский, Московская область

251.Реконструкция и 376 70 60 123 123 2012- 1175*** создание техническое ____ __ __ ____ ____ 2015 производственных перевооружение 188* 35 30 61,5 61,5 мощностей по экспериментально- производству технологической современной базы для микроэлектронной производства аппаратуры** микроэлектронных изделий в открытом акционерном обществе "Казанское при- боростроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан

252.Реконструкция и 230 60 50 60 60 2012- 695*** производство техническое ____ __ __ __ __ 2015 конкурентоспособной перевооружение 115* 30 25 30 30 продукции, обладающей цеха по современными производству показателями по первичных надежности, преобразователей быстродействию и и вторичной массогабаритным аппаратуры характеристикам** в открытом акционерном обществе "Казанское при- боростроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан

253.Реконструкция и 458 80 70 154 154 2012- 1350*** серийное производство техническое ____ __ __ ___ ___ 2015 широкой номенклатуры перевооружение 229* 40 35 77 77 статических производства преобразователей электронных напряжения систем авиационных самолетного перспективных энергоснабжения объектов (проект в открытом "полностью акционерном электрический обществе самолет", истребитель "Агрегатное 5-го поколения, конструкторское программа развития бюро "Якорь", гражданской г. Москва авиационной техники)**

254.Создание 1070 280 260 265 265 2012- 4460*** полигон позволит электронного ____ ___ ___ _____ _____ 2015 проводить работы с полигона по 535* 140 130 132,5 132,5 радиоэлектронной исследованиям, аппаратурой в отработке и условиях реального сертификации полета с учетом бортового информационного авиационного взаимодействия с радиоэлектронного наземными и оборудования на самолетными системами федеральном обеспечения государственном воздушного движения в унитарном реальных условиях предприятии естественных и "Летно- промышленных помех** исследовательский институт имени М.М.Громова", г. Жуковский, Московская область

255.Создание центра 400 100 100 100 100 2012- 1300*** создание новой сертификации ____ ___ ___ ___ ___ 2015 позиции для аппаратных 200* 50 50 50 50 проведения средств сертификации бортовой аппаратных модулей вычислительной бортовой техники на вычислительной федеральном техники, включающей: государственном аппаратное и унитарном программное оснащение предприятии центра сертификации; "Государственный создание и освоение научно- базовых инженерных исследовательский методик проведения институт сертификации; авиационных акты ввода в систем", эксплуатацию центра г. Москва сертификации**

256.Создание 500 120 150 115 115 2012- 1785*** создание распределенной ____ ___ ___ ____ ____ 2015 распределенной отраслевой 250* 60 75 57,5 57,5 информационно- стендово- связанной сети имитационной стендов, на которой среды будут проводиться исследований, исследования отработки архитектур и прикладного информационных математического потоков, обеспечения, соответствующих отладки и различным условиям испытаний систем полета, интерфейсов, и комплексов отработка системного авиационного и функционального бортового математического радиоэлектронного обеспечения, отладка оборудования на прикладного федеральном математического государственном обеспечения и унитарном радиоэлектронной предприятии бортовой аппаратуры, "Государственный наземные научно- сертификационные исследовательский испытания институт радиоэлектронных авиационных систем и комплексов** систем", г. Москва

257.Техническое 1040 260 240 270 270 2012- 3850*** освоение: перевооружение ____ ___ ___ ___ ___ 2015 базовой конструкции производства в 520* 130 120 135 135 фоточувствительных открытом приборов с матричными акционерном приемниками высокого обществе "Научно- разрешения для производственный видимого и ближнего комплекс инфракрасного "Технокомплекс", диапазона на основе г. Раменское, применения Московская отечественной область электронной компонентной базы; технологии создания фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона на основе применения отечественной электронной компонентной базы**

258.Техническое 296 80 80 68 68 2012- 1020*** ввод в эксплуатацию перевооружение ____ __ __ __ __ 2015 производственных участков монтажа 148* 40 40 34 34 линий с высокой электронных степенью систем автоматизации и электронно- производства оптических современной модулей на авиационной федеральном радиоэлектронной и государственном оптико-электронной унитарном аппаратуры для предприятии коммерческой и "Санкт- военной авиации** Петербургское опытно- конструкторское бюро "Электро- автоматика" имени П.А.Ефимова", г. Санкт- Петербург

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

259.Техническое 100 100 2011 135,1 создание перевооружение ___ ___ межотраслевого федерального 50* 50 базового центра государственного системного унитарного проектирования** предприятия "Научно- производственное предприятие "Пульсар", г. Москва, для создания межотраслевого базового центра системного проектирования

260.Реконструкция и 119,873 119,873 2008 1911 создание базового техническое _______ _______ центра системного перевооружение 60 60 проектирования открытого производительностью акционерного 40 аппаратно- общества программных "Информационные комплексов в год** телекоммуни- кационные технологии", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра полного цикла проектирования и производства аппаратно- программных комплексов

261.Техническое 120 120 2011 1324 обеспечение перевооружение ___ ___ проектирования, для создания 60* 60 производства, базового центра испытаний, контроля, системного тестирования и проектирования сертификации микроэлектронных перспективных модулей нового изделий, включая поколения на климатические, основе механические, технологии надежностные и другие "систем в специализированные модуле" двойного испытания, а также и специального сертификации применения на выпускаемых изделий открытом по требованиям акционерном различных категорий обществе заказчиков и "Научно- производств** исследовательский институт "Вектор", г. Санкт- Петербург

262.Техническое 50 50 2011 422,8 создание базового перевооружение ___ __ центра системного открытого 25* 25 проектирования** акционерного общества "Всероссийский научно- исследовательский институт радиотехники", г. Москва, для создания базового центра проектирования

263.Техническое 540 80 460 2010- 151,3 создание базового перевооружение ____ __ ___ 2011 центра системного открытого 270* 40 230 проектирования** акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

264.Реконструкция и 35,37 35,37 2009 493 создание базового техническое _____ _____ центра системного перевооружение 30* 30 проектирования** федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва, для создания базового центра проектирования

265.Техническое 140 140 2011 599,85 создание базового перевооружение ___ ___ центра системного федерального 70* 70 проектирования** государственного унитарного предприятия "Научно- производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

266.Техническое 182,3 62,3 120 2010- 700 создание базового перевооружение _____ ____ ___ 2011 центра системного открытого 100* 40 60 проектирования** акционерного общества "Концерн "Созвездие", г. Воронеж, для создания базового центра проектирования

267.Техническое 130 130 2010 998 создание базового перевооружение ____ ___ центра системного открытого 100* 100 проектирования акционерного площадью 998 кв. м** общества "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва, для создания базового центра проектирования

268.Реконструкция и 120,6 120,6 2010 500 создание базового техническое _____ _____ центра системного перевооружение 60* 60 проектирования федерального площадью 500 кв. м** государственного унитарного предприятия "Ростовский- на-Дону научно- исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на- Дону, для создания базового центра проектирования

269.Реконструкция и 17 17 2008 500 создание базового техническое ___ __ центра системного перевооружение 17* 17 проектирования федерального площадью 500 кв. м** государственного унитарного предприятия "Омский научно- исследовательский институт приборостроения", г. Омск (развитие базового центра системного проектирования СБИС)

270.Техническое 120 120 2011 490 создание базового перевооружение ___ ___ центра системного открытого 60* 60 проектирования акционерного площадью 490 кв. м** общества "Российский институт радионавигации и времени", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра проектирования

271.Реконструкция и 232 120 112 2012- 800 создание базового техническое ____ ___ ___ 2013 центра системного перевооружение 116* 60 56 проектирования открытого площадью 800 кв. м** акционерного общества "Светлана", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра проектирования

272.Реконструкция и 80 80 2010 800 создание базового техническое ______ ______ центра системного перевооружение 80**** 80**** проектирования открытого площадью 800 кв. м** акционерного общества "Центральный научно- исследовательский институт "Циклон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

272.1. Техническое200 200 2011 648 создание базового перевооружение ___ ___ центра системного федерального 100 100 проектирования государственного площадью 648 кв. м** унитарного мощностью 360 тыс. шт. предприятия "Государственный завод "Пульсар", г. Москва, для создания базового центра проектирования

273.Реконструкция и 68,9 68,9 2008 532 создание базового техническое ____ ____ центра системного перевооружение 60* 60 проектирования** федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт "Аргон", г. Москва, для создания базового центра проектирования

274.Реконструкция и 30 15 15 2014- 500 создание базового техническое ___ ___ ___ 2015 центра системного перевооружение 15* 7,5 7,5 проектирования федерального площадью 500 кв. м** государственного унитарного предприятия "НПО "Орион", г. Москва, для создания базового центра проектирования

275.Реконструкция и 83,62 83,62 2009 500 создание базового техническое _____ _____ центра системного перевооружение 60* 60 проектирования федерального площадью 500 кв. м** государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полу- проводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

276.Реконструкция и 101,54 101,54 2008 600 создание базового техническое ______ ______ центра системного перевооружение 80* 80 проектирования федерального площадью 600 кв. м** государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт телевидения", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра проектирования

277.Техническое 140 140 2011 600 создание базового перевооружение ___ ___ центра системного открытого 70* 70 проектирования акционерного площадью 600 кв. м** общества "Концерн "Океанприбор", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра проектирования

278.Реконструкция и 75,4 75,4 2008 1097,8 создание базового техническое _____ ____ центра системного перевооружение 72,7* 72,7 проектирования** федерального государственного унитарного предприятия "Нижегородский научно- исследовательский приборострои- тельный институт "Кварц", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования

279.Техническое 104 104 2008 650 создание базового перевооружение и ___ ___ центра системного реконструкция 80* 80 проектирования открытого площадью 650 кв. м** акционерного общества "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение", г. Королев, Московская область, для создания базового центра системного проектирования

280.Техническое 240 240 2011 1134,5 создание базового перевооружение ____ ___ центра системного федерального 120* 120 проектирования государственного площадью 1134,5 кв. м** унитарного мощностью 2000 шт. предприятия "Научно- исследовательский институт "Экран", г. Самара, для создания базового центра проектирования

281.Создание базового 500 130 160 105 105 2012- 2000*** создание базового центра ____ ___ ___ ____ ____ 2015 центра по проектирования на 250* 65 80 52,5 52,5 проектированию, базе федерального моделированию, государственного изготовлению, унитарного тестированию и предприятия сертификации "Научно- перспективных производственная оптических систем и корпорация оптико-электронного "Государственный оборудования** оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт- Петербург

282.Реконструкция и 2200 590 520 545 545 2012- 8800*** повышение качества и техническое _____ ___ ___ _____ _____ 2015 надежности систем перевооружение 1100* 295 260 272,5 272,5 цифровой обработки, открытого систем твердотельных акционерного передающих и приемных общества систем, приемо- "Концерн ПВО передающих модулей "Алмаз-Антей", активных фазированных г. Москва, для системных решеток создания базового С-диапазона для центра перспективных средств проектирования связи, управления систем цифровой воздушным движением и обработки, формирования сигналов твердотельных на кристалле для передающих и радиолокационных приемных систем, станций различного приемо-передающих применения** модулей

283.Реконструкция и 500 192,38 120 93,81 93,81 2012- 1925*** создание базового техническое ____ ______ ___ ______ ______ 2015 центра проектирования перевооружение 250* 96,19 60 46,905 46,905 сложных для создания функциональных блоков базового и сверхбольших центра интегральных схем проектирования типа "система на в открытом кристалле" для нового акционерном поколения аппаратуры обществе "Концерн и мобильных "Созвездие", телекоммуникационных г. Воронеж систем; создание конкурентоспособных изделий для нового поколения мобильных телекоммуникационных систем гражданского и двойного назначения**

284.Техническое 440 440 2011 1852 обеспечение перевооружение ____ ___ производства для создания 220* 220 комплексных средств базового центра автоматизации для системного управления проектирования автомобильным и (дизайн-центра) железнодорожным радиоэлектронных транспортом, модулей и узлов объектами топливно- стационарных и энергетического мобильных средств комплекса** автоматизации в открытом акционерном обществе "Научно- производственное предприятие "Рубин", г. Пенза

285.Создание базового 200 90 110 2010- 790 обеспечение центра системного ____ __ ___ 2011 возможности проектирования 100* 45 55 изготовления унифицированных разработанных электронных электронных модулей модулей на по современным основе технологиям; современной повышение надежности электронной и качества и компонентной базы ускорение разработки в открытом конкурентоспособных акционерном изделий мирового обществе уровня; "Челябинский разработка технологий радиозавод двойного назначения** "Полет", г. Челябинск

286.Создание базового 119,7 119,7 2010 750 обеспечение центра системного _____ _____ возможности проектирования 100* 100 изготовления унифицированных разработанных электронных электронных модулей модулей на по современным основе технологиям; современной разработка технологий электронной двойного назначения** компонентной мощностью 5 модулей в базы в открытом год акционерном обществе "Рыбинский завод приборостро- ения", г. Рыбинск, Ярославская область

287.Техническое 180 180 2011 640 обеспечение перевооружение ___ ___ проектирования, для создания 90* 90 производства, базового центра испытаний, контроля, системного тестирования и проектирования сертификации микроэлектронных перспективных модулей нового изделий, включая поколения на климатические, основе механические, технологии надежностные и другие "систем в специализированные модуле" двойного испытания, а также и специального сертификации применения на выпускаемых изделий открытом по требованиям акционерном различных категорий обществе заказчиков и "Калужский производств** научно- исследовательский институт телемеханических устройств", г. Калуга

288.Создание базового 30 30 2010 260 обеспечение центра системного ______ ______ проектирования, проектирования 30**** 30**** производства, микроэлектронных испытаний, контроля, модулей нового тестирования и поколения на сертификации основе технологии перспективных "систем в модуле" изделий, включая двойного и климатические, специального механические, применения в надежностные и другие открытом специализированные акционерном испытания, а также обществе сертификации "Московский выпускаемых изделий научно- по требованиям исследовательский различных категорий институт связи", заказчиков и г. Москва производств**

289.Расширение 320 141,4 100 39,3 39,3 2012- 1330*** расширение базового центра ____ _____ ___ _____ _____ 2015 возможностей и системного 160* 70,7 50 19,65 19,65 объемов базового проектирования по центра системного проектированию проектирования, радиоэлектронной перевод ключевых аппаратуры на проектов, выполняемых базе сверхбольших концерном, на интегральных схем использование "система на технологии кристалле" в современного открытом системного акционерном проектирования. обществе "Концерн Ускорение процесса радиостроения получения готовых "Вега", г. Москва проектов не менее чем в 2 раза**

290.Техническое 210 210 2011 773,5 обеспечение перевооружение ____ ___ проектирования, для создания 105* 105 производства базового центра высокоплотных системного электронных узлов на проектирования основе технологии высокоплотных многокристальных электронных узлов модулей как ключевой на основе технологии достижения технологии высоких технических многокристальных характеристик модулей в разрабатываемых и открытом производимых изделий. акционерном Планируемый объем обществе выпуска "Научно- многокристальных исследовательский модулей до 3,5 тыс. институт "Кулон", шт. в год ** г. Москва

291.Создание базового 165,6 45,6 120 2010- 350 обеспечение центра системного _____ ____ ___ 2011 проектирования, проектирования 105* 45 60 производства высокоплотных высокоплотных электронных узлов электронных узлов на на основе основе технологии технологии многокристальных многокристальных модулей как ключевой модулей в технологии достижения открытом высоких технических акционерном характеристик обществе разрабатываемых и "Конструкторское производимых изделий. бюро "Луч", Планируемый объем г. Рыбинск, выпуска Ярославская многокристальных область модулей до 3,5 тыс. шт.**

292.Реконструкция и 500 250 250 2014- 1600*** создание базового техническое ____ ___ ___ 2015 центра проектирования перевооружение 250* 125 125 и разработки федерального высокопроизводительных государственного сверхбольших унитарного интегральных схем и предприятия микропроцессорной "Московский техники, оснащенного ордена современными Трудового средствами Красного Знамени проектирования, научно- разработки и отладки исследовательский сверхбольших радиотехнический интегральных схем институт", типа "система на г. Москва, для кристалле", а также создания базового матричных корпусов центра для сверхбольших проектирования интегральных схем с универсальных большим количеством цифровых выводов, контроллеров устройств, перспективных комплексов и периферийных систем на базе интерфейсов для современных разработки на их базе лицензионных перспективных систем автома- сложнофункциональных тизированного блоков и проектирования и радиоэлектронной технических аппаратуры для систем средств и средств связи двойного и гражданского применения**

293.Техническое 170 80 90 2010- 1530 создание базового перевооружение ____ ______ __ 2011 центра разработки для создания 125* 80**** 45 высокопроизводительной базового центра микропроцессорной проектирования техники двойного универсальных назначения, микропроцессоров, оснащенного систем на современной кристалле, технологией цифровых приборов разработки обработки многоядерных систем сигналов и других на кристалле, цифровых матричных корпусов устройств, для сверхбольших комплексов и интегральных схем с систем на базе большим количеством современных выводов, контроллеров лицензионных перспективных систем автома- периферийных тизированного интерфейсов для проектирования и разработки на их базе технических высокопроизводительных средств открытого вычислительных систем акционерного широкого применения** общества "Институт электронных управляющих машин им. И.С.Брука", г. Москва

294.Техническое 840 220 300 160 160 2012- 2545*** ускорение перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 проектирования и реконструкция 420* 110 150 80 80 отработки технологии базового производства регионального перспективных научно- устройств технологического микросистемотехники центра по микро- для комплектования системотехнике аппаратуры федерального управления, средств государственного телекоммуникации и унитарного связи, высокоточного предприятия оружия, "Омский робототехнических научно- комплексов, исследовательский мониторинга институт окружающей среды, приборостроения", зданий и сооружений, г. Омск систем трубопроводов, водо- и газоснабжения, цифровых и аналоговых устройств средств контроля, учета и дистанционного управления подачей энергоресурсов. Ожидаемый экономический эффект составит 1500 млн. рублей**

295.Реконструкция и 490 120 160 105 105 2012- 1635*** создание техническое ____ ___ ___ ____ ____ 2015 конкурентоспособных перевооружение 245* 60 80 52,5 52,5 изделий мирового центра системного уровня двойного проектирования и назначения для производства комплексов аппаратуры радиоэлектронных спутниковой связи** средств спутниковой связи федерального государственного унитарного предприятия "Научно- производственный центр "Вигстар", г. Москва

296.Реконструкция и 1080 280 260 270 270 2012- 2000*** создание дизайн- техническое ____ ___ ___ ___ ___ 2015 центра площадью перевооружение 540* 140 130 135 135 2000 кв. м и федерального увеличение выпуска государственного продукции на унитарного 500 млн. рублей в предприятия год** "Научно- производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов, с целью создания дизайн-центра и производства сверхвысокочас- тотных и силовых устройств

297.Техническое 89,1 89,1 2008 189 создание перевооружение ____ ____ конкурентоспособной для создания 45* 45 технологии центра автоматизированного проектирования проектирования перспективной кристаллов электронной сверхбольших компонентной интегральных схем и базы на систем на кристалле с федеральном проектными нормами государственном 0,18 - 0,13 мкм и унитарном степенью интеграции предприятии до 100 млн. вентилей "Научно- на кристалле, что исследовательский позволит обеспечить институт ускоренную разработку электронной сложнофункциональных техники", блоков, сверхбольших г. Воронеж интегральных схем и систем на кристалле, соответствующих по техническим характеристикам современным мировым образцам**

298.Создание 340 90 174 38 38 2012- 1360*** организация отраслевого ____ __ ___ __ __ 2015 современного центра центра системного 170* 45 87 19 19 системного уровня уровня проектирования на проектирования основе отечественной интеллектуальных электронной датчиков компонентной базы: различного микромеханических назначения на датчиков; федеральном датчиков государственном акустического унитарном давления; предприятии датчиков угловых "Центральный перемещений и других** научно- исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт- Петербург

299.Создание 360 90 135 135 2012- 1385*** создание отраслевого отраслевого ____ __ ____ ____ 2015 центра проектирования центра 180* 45 67,5 67,5 (дизайн-центра) проектирования сложных сложных функциональных блоков функциональных и сверхбольших блоков и интегральных схем сверхбольших типа "система на интегральных схем кристалле" для типа "система на обеспечения новейшей кристалле" в цифровой техникой открытом приборостроительных акционерном организаций обществе "Концерн судостроительной "Моринформсис- отрасли** тема-Агат", г. Москва

3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств) для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

300.Реконструкция и 724,95 156 404,55 164,4 2008- 375,5 создание техническое _______ ___ ______ _____ 2010 межотраслевого центра перевооружение 590,75* 78 352,75 160 проектирования, открытого каталогизации и акционерного изготовления общества фотошаблонов с "Российская объемом производства электроника", не менее 1200 шт. в г. Москва год** (включая приобретение программно- технических средств), с целью создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

Итого по 70057,49 1618,71 1643,48 2125,3 5813,24 18026,52 15250 12790,12 12790,12 Минпромторгу ________ _______ _______ ______ _______ ________ _____ ________ ________ России 36710,41 1267,7 1412,71 1695 2906,62 9013,26 7625 6395,06 6395,06

ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ "РОСАТОМ" (ГОСКОРПОРАЦИЯ "РОСАТОМ")
1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
301.Техническое 196 40 48 48 60 2010- 267 создание перевооружение ___ __ __ __ __ 2013 технологического федерального 98* 20 24 24 30 комплекса для государственного производства унитарного сверхвысокочастотных предприятия монолитных "Федеральный интегральных схем на научно- широкозонных производственный полупроводниковых центр Научно- материалах** исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

302.Техническое 440 60 80 150 150 2012- 1900*** создание перевооружение и ____ __ __ ___ ___ 2015 производственно- реконструкция с 220* 30 40 75 75 технологического целью участка в производства межведомственном структур "кремний центре по разработке на изоляторе" для и производству субмикронных радиационно стойкой радиационно электронной стойких компонентной базы** сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

303.Техническое 420 80 100 120 120 2012- 1700*** создание перевооружение и ____ __ ___ ___ ___ 2015 производственно- реконструкция с 210* 40 50 60 60 технологического целью участка в производства межведомственном фотошаблонов центре по разработке субмикронных и производству радиационно радиационно стойкой стойких электронной сверхбольших компонентной базы** интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

304.Техническое 380 80 100 100 100 2012- 1650*** создание перевооружение и ____ __ ___ ___ ___ 2015 производственно- реконструкция с 190* 40 50 50 50 технологического целью участка в производства межведомственном структур "кремний центре по разработке на сапфире" с и производству ультратонким радиационно стойкой приборным слоем электронной для субмикронных компонентной базы** радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

305.Техническое 400 100 100 100 100 2012- 1850*** создание перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производственно- реконструкция с 200* 50 50 50 50 технологического целью участка изготовления производства изделий радиационно микроэлектроники для стойких систем автоматики изделий специзделий** микроэлектроники с применением методов нанотехнологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва

306.Техническое 952 200 160 266 326 2012- 2500*** создание перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производственно- реконструкция с 476* 100 80 133 163 технологического целью участка в производства межведомственном быстродействующих центре по разработке радиационно и производству стойких радиационно стойкой монолитных электронной интегральных схем компонентной базы** на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

307.Техническое 500 100 120 140 140 2012- 500*** создание перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производственно- реконструкция с 250* 50 60 70 70 технологического целью участка в производства межведомственном радиационно центре по разработке стойких изделий и производству оптоэлектроники радиационно стойкой на федеральном электронной государственном компонентной базы** унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

308.Техническое 780 200 180 200 200 2012- 800*** создание перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производственно- реконструкция с 390* 100 90 100 100 технологического целью участка в производства межведомственном радиационно центре по разработке стойких изделий и производству микросистемотех- радиационно стойкой ники на электронной федеральном компонентной базы** государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

309.Техническое 820 192 180 224 224 2012- 2544*** реконструкция перевооружение и ____ ___ ___ ___ ___ 2015 производственно- реконструкция с 410* 96 90 112 112 технологических целью участков по производства изготовлению радиационно радиационно стойких стойких изделий изделий микроэлектроники микроэлектроники** на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно- исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

310.Реконструкция 200 80 68 52 2008- 2976 реконструкция дизайн- дизайн-центра ____ __ __ __ 2011 центра** радиационно 100* 40 34 26 мощностью 1 млн. стойкой транзисторов в год электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно- производственный центр Научно- исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород

311.Реконструкция 80 20 40 20 2012- 115,7*** реконструкция дизайн- дизайн-центра ___ __ __ __ 2014 центра** радиационно 40* 10 20 10 стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно- исследовательский институт автоматики", г. Москва

312.Реконструкция 80 20 40 20 2012- 330*** реконструкция дизайн- дизайн-центра ___ __ __ __ 2014 центра** радиационно 40* 10 20 10 стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно- исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область

313.Реконструкция 100 40 40 20 2012- 300*** реконструкция дизайн- дизайн-центра ___ __ __ __ 2014 центра** радиационно 50* 20 20 10 стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно- исследовательский институт технической физики имени академика Е.И.Забабахина", г. Снежинск, Челябинская область

Итого по 5348 80 68 40 100 1140 1200 1360 1360 Госкорпорации ____ __ __ __ ___ ____ ____ ____ ____ "Росатом": 2674 40 34 20 50 570 600 680 680

ФЕДЕРАЛЬНОЕ КОСМИЧЕСКОЕ АГЕНТСТВО (РОСКОСМОС)
1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
314.Реконструкция и 320 110 105 105 2013- 1230*** переоснащенное техническое ____ ___ ____ ____ 2015 производство перевооружение 160* 55 52,5 52,5 многокристальных открытого систем в корпусе, акционерного микро- и общества радиоэлектронных "Российская модулей, в том числе корпорация на основе устройств ракетно- микросистемной космического техники; приборостроения и оснащенное отраслевое информационных автоматизированное систем", хранилище г. Москва, производимых и с целью создания приобретаемых производства электронных многокристальных компонентов со систем в корпусе, встроенной системой микро- и мониторинга и радиоэлектронных прогнозирования модулей, в том состояния хранимой числе на основе продукции** устройств микросистемной техники

315.Реконструкция и 320 200 60 60 2013- 1120*** переоснащение техническое ____ ___ __ __ 2015 производства по перевооружение 160* 100 30 30 выпуску: открытого параметрического ряда акционерного модулей общества "Научно- сверхвысокочастотных исследовательский устройств; институт точных узлов и крупноблочных приборов", радиоэлектронных г. Москва, для функциональных создания модулей приемо- производства передающей аппаратуры. модулей сверх- Реализация указанных высокочастотных мероприятий устройств для обеспечивает: особо жестких сокращение сроков условий изготовления изделий эксплуатации радиолокационной техники и техники связи в 2-3 раза; расширение номенклатуры сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза**

316.Реконструкция и 160 60 50 50 2013- 590*** переоснащение техническое ___ __ __ __ 2015 производственной перевооружение 80* 30 25 25 линии для выпуска открытого облегченных акционерного сверхвысокочастотных общества волноводов; "Информационные увеличение спутниковые производства системы" имени сверхвысокочастотных академика волноводов с низким М.Ф.Решетнёва", уровнем потерь и г. Железногорск, улучшенными массовыми Красноярский характеристиками; край, с целью оснащение отраслевого создания автоматизированного производственной хранилища для модулей линии для радиоэлектронных и изготовления навигационных систем облегченных со встроенной сверхвысоко- системой мониторинга частотных и прогнозирования волноводов состояния хранимой миллиметрового продукции** диапазона

317.Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 665*** дооснащение техническое ____ __ __ __ 2015 производства перевооружение 100* 40 30 30 электромеханических и федерального радиоэлектронных государственного компонентов для унитарного микромодульных предприятия средств автономного "Научно- управления и контроля; производственное увеличение объединение производства изделий автоматики имени бортовой и академика промышленной Н.А.Семихатова", радиоэлектроники на г. Екатеринбург, 35 процентов и более; для создания оснащение отраслевого производства автоматизированного электро- хранилища для механических и радиоэлектронных радиоэлектронных модулей со встроенной компонентов системой мониторинга микромодульных и прогнозирования средств состояния хранимой автономного продукции** управления и контроля

318.Реконструкция и 580 500 80 2012- 600 переоснащение техническое ____ ___ __ 2013 производства перевооружение 290* 250 40 модульных лазерных открытого средств высокоточных акционерного измерений, общества "Научно- дальнометрии и производственная передачи информации в корпорация бортовых и "Системы промышленных системах прецизионного различного назначения** приборостроения", г. Москва, для создания производства лазерных средств высокоточных измерений

319.Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 690*** создание техническое ____ __ __ __ 2015 межотраслевой перевооружение 100* 40 30 30 лаборатории контроля открытого стойкости электронной акционерного компонентной базы для общества специальной "Российская радиоэлектронной корпорация аппаратуры в условиях ракетно- космического космического пространства, что приборостроения обеспечит: и информационных внедрение систем", технологических г. Москва, процессов прямого (в для создания том числе отраслевой неразрушающего) лаборатории контроля стойкости контроля электронной стойкости компонентной базы и электронной экспериментально- компонентной базы аналитического радиоэлектронной прогноза деградации аппаратуры к характеристик дестабилизирующим электронной факторам компонентной базы и космического радиоэлектронной пространства аппаратуры; определение характеристик стойкости к условиям открытого космического пространства; увеличение сроков активного функционирования аппаратуры до 20 лет**

320.Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 800*** перевооружение техническое ____ __ __ __ 2015 производственных перевооружение 100* 40 30 30 линий для открытого изготовления акционерного встроенных модульных общества "Научно- пассивных производственный радиоэлементов для центр "Полюс" систем бортовой и г. Томск, для промышленной технического радиоэлектроники и перевооружения вторичных источников действующего питания с производства совмещенными линиями передачи данных и электропитания; расширение номенклатуры и увеличение производства встроенных вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания для средств бортовой и промышленной электроники на 70 процентов и более**

321.Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 770*** переоснащение техническое ____ __ __ __ 2015 производства перевооружение 100* 40 30 30 матричных оптико- федерального электронных модулей государственного для работы в составе унитарного оптико-электронных предприятия преобразователей "Научно- высокого разрешения и исследовательский матричных институт сверхвысокочастотных микропри- приборов для модулей боров - К", фазированных антенных г. Москва, для решеток, что позволит: создания расширить матричных оптико- номенклатуру электронных выпускаемой модулей на основе мелкосерийной кремниевых продукции в 2 раза; мембран и увеличить объем гетеропереходов выпускаемых на основе дискретных и арсенида галлия модульных элементов в и нитрида 10 раз** галлия

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

322.Реконструкция и 726 486 240 2012- 500 создание базового техническое ____ ___ ___ 2013 центра системного перевооружение 363* 243 120 проектирования открытого площадью 3 500 кв. м** акционерного общества "Российская корпорация ракетно- космического приборостроения и информационных систем", г. Москва, для создания базового центра проектирования

323.Реконструкция и 914 120 120 28 160 486 2008- 500 создание отраслевого техническое ____ ___ ___ __ ___ ___ 2012 центра перевооружение 461* 60 60 18 80 243 автоматизированного для создания проектирования и отраслевого функциональной центра авто- поддержки процессов матизированного изготовления и проектирования на эксплуатации открытом параметрических рядов акционерном сверхвысокочастотных обществе "Научно- модулей исследовательский унифицированных институт точных сверхвысокочастотных приборов", трактов, базовых г. Москва несущих конструкций активных фазированных антенных решеток, радиолокационных и связных модульных приборов площадью 500 кв. м**

324.Реконструкция и 280 100 90 90 2013- 380 создание центра техническое ____ ___ __ __ 2015 проектирования перевооружение 140* 50 45 45 унифицированных для создания микроэлектронных центра датчиков площадью проектирования 380 кв. м для унифицированных проектирования микроэлектронных унифицированных датчиков для полупроводниковых работы в особо микродатчиков и жестких условиях преобразователей эксплуатации на физических открытом величин в системах акционерном управления, контроля обществе "Научно- и диагностики исследовательский динамических институт объектов** физических измерений", г. Пенза

325.Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 350 создание базового техническое ____ __ __ __ 2015 центра площадью перевооружение 100* 40 30 30 350 кв. м для для создания системного базового центра проектирования с системного полным циклом проектирования проектирования и интегральных производства микроэлектронных параметрического ряда датчиков и интегральных датчико- микроэлектронных преобразующей датчиков и аппаратуры на нанодатчиков для открытом контрольной акционерном аппаратуры на основе обществе "Научно- специализированных производственное электронных узлов по объединение технологии "кремний измерительной на изоляторе" для техники", особо жестких условий г. Королев, эксплуатации** Московская область

326.Реконструкция и 160 80 80 2014- 450 создание базового техническое ___ __ __ 2015 центра сквозного перевооружение 80* 40 40 системного для создания проектирования и базового центра функциональной сквозного поддержки системного радиоэлектронных проектирования на средств с улучшенной федеральном электромагнитной государственном совместимостью унитарном площадью 450 кв. м (в предприятии том числе для "Научно- создания встроенных производственное бесконтактных систем предприятие управления Всероссийский электродвигателями и научно- приводами, исследовательский оптоэлектронных и институт радиотехнических электромеханики приборов)** с заводом имени А.Г.Иосифьяна", г. Москва

327.Реконструкция и 180 100 40 40 2013- 340 создание центра техническое ___ ___ __ __ 2015 проектирования перевооружение 90* 50 20 20 интегральных для создания сверхвысокочастотных центра модулей специального проектирования и промышленного на федеральном применения для государственном унифицированных унитарном приемо-передающих предприятии радиоэлектронных "Центральный трактов площадью научно- 340 кв. м (в том исследовательский числе для создания радиотехнический испытательного центра институт имени радиоэлектронной академика аппаратуры А.И.Берга", космического и г. Москва промышленного назначения)**

328.Реконструкция и 80 40 40 2014- 220 создание центра техническое ___ __ __ 2015 площадью 220 кв. м для перевооружение 40* 20 20 системного для создания проектирования центра матричных проектирования преобразователей и матричных микроэлектронных преобразователей сигнальных и микроэлектрон- процессоров ных сигнальных высокоточных процессоров на навигационных федеральном приборов бортового и государственном промышленного унитарном назначения** предприятии "Научно- производственный центр автоматики и приборостро- ения имени академика Н.А.Пилюгина", г. Москва

329.Реконструкция и 640 140 500 2012- 370 создание дизайн- техническое ____ ___ ___ 2013 центра площадью перевооружение 320* 70 250 370 кв. м для для создания системного центра проек- проектирования тирования особо радиационно стойкой, стойкого помехоустойчивой модульного ядра электронной отказоустойчивой компонентной базы, в радиоэлектронной том числе изделий аппаратуры с "система на особо жесткими кристалле" для условиями построения особо эксплуатации на стойкого модульного федеральном ядра радиоэлектронной государственном аппаратуры с особо унитарном жесткими условиями предприятии эксплуатации, в том "Центральный числе для научно- космического, исследовательский авиационного и институт промышленного "Комета", применения** г. Москва

330.Реконструкция и 148 80 34 34 2013- 300 создание базового техническое ___ __ __ __ 2015 центра сквозного перевооружение 74* 40 17 17 системного для создания проектирования и базового центра функциональной системного поддержки в процессе проектирования и эксплуатации технического аппаратуры модульных перевооружения средств связи и действующего навигации для производства на бортовых и открытом промышленных систем акционерном площадью 300 кв. м** обществе "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф.Решетнёва", г. Железногорск, Красноярский край

331.Реконструкция и 200 80 60 60 2013- 350 создание базового техническое ____ __ __ __ 2015 центра сквозного перевооружение 100* 40 30 30 системного для создания проектирования и базового центра функциональной сквозного поддержки в процессе системного эксплуатации площадью проектирования на 350 кв. м (в том федеральном числе для государственном радиоэлектронных унитарном функциональных предприятии модулей "Научно- роботизированных производственное транспортных средств объединение имени повышенной С.А.Лавочкина", живучести)** г. Химки, Московская обл.

Итого по 5708 120 120 28 160 1612 1950 859 859 Роскосмосу ____ ___ ___ __ ___ ____ ____ _____ _____ 2858 60 60 18 80 806 975 429,5 429,5

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНОБРНАУКИ РОССИИ)

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

332.Техническое 78 48 30 2009- 515,1 создание базового перевооружение ___ __ __ 2010 центра системного государственного 54* 24 30 проектирования образовательного площадью 515,1 кв. м** учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования

333.Реконструкция и 50 50 2008 500 создание базового техническое __ __ центра системного перевооружение 25 25 проектирования государственного площадью 500 кв. м** образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования

334.Реконструкция и 200 200 2012 400 создание базового техническое ____ ___ центра системного перевооружение 100* 100 проектирования государственного площадью 400 кв. м** образовательного учреждения высшего профессионального образования "Томский государственный университет", г. Томск, для создания базового центра проектирования

335.Реконструкция и 200 200 2013 400 создание базового техническое ____ ___ центра системного перевооружение 100* 100 проектирования государственного площадью 400 кв. м** образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана", г. Москва, для создания базового центра проектирования

336.Реконструкция и 200 200 2013 400 создание базового техническое ____ ___ центра системного перевооружение 100* 100 проектирования федерального площадью 400 кв. м** государственного автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Южный федеральный университет", г. Ростов- на-Дону, для создания базового центра проектирования

337.Реконструкция и 200 100 100 2014- 400 создание базового техническое ____ ___ ___ 2015 центра системного перевооружение 100* 50 50 проектирования государственного площадью 400 кв. м** образовательного учреждения высшего профессионального образования "Новосибирский государственный университет", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования

338.Реконструкция и 230 115 115 2014- 600 создание базового техническое ____ ____ ____ 2015 центра системного перевооружение 115* 57,5 57,5 проектирования федерального площадью 600 кв. м** государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Санкт- Петербургский государственный университет", г. Санкт- Петербург, для создания базового центра проектирования

Итого по 1158 50 48 30 200 400 215 215 Минобрнауки ____ __ __ __ ___ ___ _____ _____ России 594 25 24 30 100 200 107,5 107,5

ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ И ЭКСПОРТНОМУ КОНТРОЛЮ (ФСТЭК РОССИИ)

Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
339.Техническое 200 66,76 133,24 2011- 2000 создание новых перевооружение ___ _____ ______ 2012 производственных федерального 100 33,38 66,62 мощностей по выпуску государственного оптоволоконных унитарного соединителей изделий предприятия микромеханики** "Производственное объединение "Октябрь", г. Каменск- Уральский, Свердловская область

Итого по ФСТЭК 200 66,76 133,24 России ___ _____ ______ 100 33,38 66,62

Итого по 82471,49 1868,71 1879,48 2223,3 6140 21111,76 18800 15224,12 15224,12 разделу II ________ _______ _______ ______ ____ ________ _____ ________ ________ 42936,41 1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06 ____________ * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации. ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования. *** Мощность объекта может быть уточнена на стадии разработки проекта. **** Объемы скорректированы и полностью возвращены в бюджет.

Примечание: 1. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования.

2. В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.

_____________

ПРИЛОЖЕНИЕ N 3 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. N 763)

Р А С П Р Е Д Е Л Е Н И Е объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) -----------------------------------|----------|----------------------------------------------------------------------- |2008-2015 | В том числе | годы |-------|--------|--------|---------|---------|------|---------|-------- | | 2008 |2009 год|2010 год|2011 год |2012 год | 2013 |2014 год | 2015 | | год | | | | | год | | год -----------------------------------|----------|-------|--------|--------|---------|---------|------|---------|-------- Всего по Программе 106844,71 5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06

из них:

Министерство промышленности и91812,53 4757,7 5157,21 4952,62 11976,62 21733,26 15955 14005,06 13275,06 торговли Российской Федерации

Федеральное космическое агентство7008 290 320 168 430 2096 1815 939,5 949,5

Государственная корпорация по6395,88 240 246,5 179,38 400 1424,12 1300 1325,88 1280 атомной энергии "Росатом"

Министерство образования и науки1528,3 85 48,3 100 160 260 350 267,5 257,5 Российской Федерации

Федеральная служба по техническому 100- - - 33,38 66,62 - - - и экспортному контролю

Капитальные вложения - всего42936,41 1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06

из них:

Министерство промышленности и36710,41 1267,7 1412,71 1695 2906,62 9013,26 7625 6395,06 6395,06 торговли Российской Федерации

Федеральное космическое агентство2858 60 60 18 80 806 975 429,5 429,5

Государственная корпорация по2674 40 34 20 50 570 600 680 680 атомной энергии "Росатом"

Министерство образования и науки594 25 24 30 - 100 200 107,5 107,5 Российской Федерации

Федеральная служба по техническому 100- - - 33,38 66,62 - - - и экспортному контролю

Научно-исследовательские и опытно- 63908,33980 4241,3 3637 9930 15024,12 10020 8925,88 8150 конструкторские работы - всего

из них:

Министерство промышленности и55102,12 3490 3744,5 3257,62 9070 12720 8330 7610 6880 торговли Российской Федерации

Федеральное космическое агентство4150 230 260 150 350 1290 840 510 520

Государственная корпорация по3721,88 200 212,5 159,38 350 854,12 700 645,88 600 атомной энергии "Росатом"

Министерство образования и науки934,3 60 24,3 70 160 160 150 160 150 Российской Федерации

____________

ПРИЛОЖЕНИЕ N 4 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. N 763)

ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет) -------------------------|-----------|-------------------------------------------------------------------------- | 2008-2015 | В том числе | годы |---------|---------|---------|------|---------|--------|---------|-------- | |2008 год |2009 год |2010 год | 2011 |2012 год |2013 год|2014 год | 2015 | | | | | год | | | | год -------------------------|-----------|---------|---------|---------|------|---------|--------|---------|-------- Всего по Программе 179224,366 7903,837 8478,112 8267,417 21035 43629,41 33851,1 28632,37 27427,12

в том числе:

федеральный бюджет106844,71 5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06

внебюджетные средства72379,656 2531,137 2706,102 2867,42 8035 18049,41 14431,1 12094,43 11665,06

Капитальные вложения -82471,49 1868,71 1879,48 2223,3 6140 21111,76 18800 15224,12 15224,12 всего

в том числе:

федеральный бюджет42936,41 1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06

внебюджетные средства39535,08 476,01 348,77 460,3 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06

Научно-исследовательские 96752,8766035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 15051,1 13408,25 12203 и опытно-конструкторские работы - всего

в том числе:

федеральный бюджет63908,3 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 10020 8925,88 8150

внебюджетные средства32844,576 2055,127 2357,332 2407,117 4965 7493,53 5031,1 4482,37 4053".

7. В приложении N 5 к указанной Программе: а) абзац одиннадцатый дополнить словами "и Федеральным законом "О страховых взносах в Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования"; б) в абзаце пятнадцатом цифры "18700" заменить цифрами "179224,366", цифры "110000" заменить цифрами "106844,71", цифры "77000" заменить цифрами "72379,66", цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640"; в) в абзаце шестнадцатом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4"; г) в абзаце семнадцатом цифры "8,1" заменить цифрами "7,9"; д) в абзаце восемнадцатом цифры "1,52" и "2,7" заменить соответственно цифрами "1,54" и "2,8"; е) таблицы 1-3 изложить в следующей редакции:

"Таблица 1

Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей) ----------------------------|---------|---------|---------|-------|---------|--------|---------|---------|-------|-------|---------- Показатели |2008 год |2009 год |2010 год | 2011 |2012 год |2013 год|2014 год |2015 год | 2016 | 2017 | За | | | | год | | | | | год | год |расчетный | | | | | | | | | | | период ----------------------------|---------|---------|---------|-------|---------|--------|---------|---------|-------|-------|---------- Условно-переменная часть 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 - текущих издержек производства (себестоимости), процентов

Годовой объем реализуемой58000 70000 90000 110000 170000 210000 240000 270000 340000 420000 - продукции отрасли (объем продаж)

Инвестиции из всех7903,837 8478,112 8267,417 21035 43629,41 33851,1 28632,37 27427,12 - - 179224,366 источников финансирования по Программе

в том числе:

средства федерального5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06 - - 106844,71 бюджета на научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды

из них:

капитальные вложения1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06 - - 42936,41

внебюджетные средства2531,137 2706,102 2867,42 8035 18049,41 14431,1 12094,43 11665,06 - - 72379,66 на научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения (собственные, заемные и др.)

налогооблагаемая база33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 - налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)

Рентабельность10 10 12 14 16 18 20 20 20 20 - реализованной продукции, процентов

Амортизационные3,5 3,8 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7 7,5 - отчисления, процентов себестоимости

Материалы, процентов50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 - себестоимости

Фонд оплаты труда,25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 - процентов себестоимости

Налог на имущество,2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 - процентов

Налог на прибыль, процентов 2420 20 20 20 20 20 20 20 20 -

Подоходный налог, процентов 1313 13 13 13 13 13 13 13 13 -

Страховые взносы в26 26 26 34 34 34 34 34 34 34 - Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования, процентов

Налог на добавленную18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 - стоимость, процентов

Налог с продаж, процентов- - - - - - - - - - -

Норма дисконта (средняя за- - - - - - - - - - 0,1 расчетный период), процентов

Таблица 2

Расчет коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей) -----------------------|----------------------------------------------------------------------------------------------|---------- Наименование | Расчетный период | За показателей |--------|--------|--------|--------|---------|---------|---------|---------|---------|--------|расчетный | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | период |--------|--------|--------|--------|---------|---------|---------|---------|---------|--------| | номер шага (m) | |--------|--------|--------|--------|---------|---------|---------|---------|---------|--------| | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | -----------------------|--------|--------|--------|--------|---------|---------|---------|---------|---------|--------|----------

Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)
Годовой объем58000 70000 90000 110000 170000 210000 240000 270000 340000 420000 - реализованной продукции отрасли без налога на добавленную стоимость

Себестоимость52727 63636 80357 96491 146552 177966 200000 225000 283333 350000 - годового объема реализованной продукции отрасли

Прибыль от5273 6364 9643 13509 23448 32034 40000 45000 56667 70000 - реализации продукции

Налогооблагаемая33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 - база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)

Налог на имущество660 690 720 760 820 920 1080 1200 1220 1240 -

Налогооблагаемая4587,3 5727,3 8967,9 12833,3 22744,8 31072,9 38800 43650 54966,7 67900 - прибыль

Налог на прибыль1100,9 1145,5 1793,6 2566,7 4549 6214,6 7760 8730 10993,3 13580 -

Чистая прибыль3486,3 4581,8 7174,3 10266,7 18195,9 24858,3 31040 34920 43973,3 54320 -

Амортизационные1845,5 2418,2 3214,3 4342,1 7327,6 9788,1 12000 14625 19833,3 26250 - отчисления в структуре себестоимости

Материальные26363,6 31818,2 40178,6 48245,6 73275,9 88983,1 100000 112500 141666,7 175000 - затраты в структуре себестоимости

Фонд оплаты труда13181,8 15909,1 20089,3 24122,8 36637,9 44491,5 50000 56250 70833,3 87500 - в структуре себестоимости

Налог на4745,5 5727,3 7232,1 8684,2 13189,7 16016,9 18000 20250 25500 31500 - добавленную стоимость

Налог с продаж- - - - - - - - - - -

Подоходный налог1713,6 2068,2 2611,6 3136 4762,9 5783,9 6500 7312,5 9208,3 11375 -

Страховые взносы3427,3 4136,4 5223,2 8201,8 12456,9 15127,1 170000 19125 24083,3 29750 - в ПФ, ФСС, ФФОМС и ТФОМС

Налоги,10546,4 12631,8 15787 20781,9 31229,5 37848 42580 47887,5 60011,7 73865 353158,7 поступающие в бюджет и внебюджетные фонды (приток в бюджет)

Сальдо от5331,8 7000 10388,6 14608,8 25523,4 34646,4 43040 49545 63806,7 80570 - операционной деятельности. Чистый доход организаций (чистая прибыль и амортизационные отчисления)

Коэффициент1 0,909 0,826 0,751 0,683 0,621 0,564 0,513 0,467 0,424 - дисконтирования (норма дисконта Е = 0,10)

Сальдо от5331,8 6363,6 8585,6 10975,8 17432,9 21512,7 24295 25424,4 29766,3 34169,5 183857,6 операционной деятельности с учетом дисконтирования. Чистый доход организаций с учетом дисконтирования

Величина инвестиций7903,8 8478,1 8267,4 21035 43629,4 33851,1 28632,4 27427,1 - - 179224,366 из всех источников финансирования (оттоки)

Сальдо суммарного-2572,1 -1478,1 2121,2 -6426,2 -18106 795,3 14407,6 22117,9 63806,7 80570 - потока от инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования

Величина инвестиций7903,8 7707,4 6832,6 15803,9 29799,5 21018,9 16162,2 14074,4 - - 119302,7 из всех источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования

Сальдо суммарного-2572,1 -1343,7 1753 -4828,1 -12366,6 493,8 8132,7 11350 29766,3 34169,5 64554,9 потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования

Сальдо накопленного- - - - - - - - - - - суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом)

Чистый-2572,1 -3915,8 -2162,8 -6990,9 -19357,5 -18863,7 -10730,9 619 30385,3 64554,9 - дисконтированный доход

Срок окупаемости- - - - - - - - - - 7,9 инвестиций (период возврата), лет

Индекс доходности- - - - - - - - - - 1,54 (рентабельность инвестиций)

Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)
Средства федерального5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06 - - 106844,71 бюджета на научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды (отток из бюджета)

Налоги, поступающие10546,4 12621,8 15787 20781,9 31229,5 37848 42580 47887,5 60011,7 73865 353158,7 в бюджет и внебюджетные фонды

Налоги, поступающие в10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 21330,2 23500,6 24035,3 24573,9 27995,9 31326 203443,4 бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования

Отток бюджетных5372,7 5772 5400 13000 25580 19420 16537,9 15762,1 - - - средств

Отток бюджетных5372,7 5247,3 4462,8 9767,1 17471,5 12058,3 9335,2 8088,4 - - 71803,33 средств с учетом дисконтирования

Сальдо суммарного5173,7 6227,1 8584,3 5846,7 3858,7 11442,3 14700,1 16485,4 27995,9 31326 131640 потока от финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования

Чистый5173,7 11400,8 19985 25831,7 29640,4 41132,7 55832,8 72318,2 100314,1 131640 - дисконтированный доход государства или бюджетный эффект

Индекс доходности2 2,2 2,9 1,6 1,2 1,9 2,6 3 - - 2,8 бюджетных средств

Налоги, поступающие10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 21330,2 23500,6 24035,3 24573,9 27995,9 31226 203443,4 в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования

Удельный вес средств0,68 0,68 0,65 0,62 0,59 0,57 0,58 0,57 - - 0,6 федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)

Период возврата- - - - - - - - - - 1 год бюджетных средств, лет

Уровень0,79 0,79 0,76 0,73 0,7 0,68 0,66 0,66 0,66 0,66 0,68 безубыточности

Таблица 3

Итоговые показатели эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(млн. рублей) -------------------------------------------------------|----------- Наименование | 2008-2017 показателей | годы -------------------------------------------------------|----------- Всего инвестиций 179224,366 (в ценах соответствующих лет)

в том числе:

средства федерального бюджета106844,71

внебюджетные средства72379,656

Показатели коммерческой эффективности
Чистый дисконтированный доход в 2017 году64554,9

Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли7,9 организации, лет

Индекс доходности (рентабельность)1,54 инвестиций по чистой прибыли

Уровень безубыточности0,68

Показатели бюджетной эффективности
Налоги, поступающие в бюджет и203443,4 внебюджетные фонды с учетом дисконтирования

Бюджетный эффект131640

Индекс доходности (рентабельность)2,8 бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям

Удельный вес средств федерального бюджета в общем0,6 объеме финансирования (степень участия государства)

Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым1 год". поступлениям, лет

8. В приложении N 6 к указанной Программе: а) в разделе "Показатели коммерческой эффективности": в абзаце двадцать третьем слова "13 процентов" заменить словами "8 процентов" и слова "15 процентов" заменить словами "10 процентов"; абзац двадцать четвертый исключить; б) абзац четырнадцатый раздела "Показатели бюджетной эффективности" изложить в следующей редакции: "страховые взносы в Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования в размере 34 процентов фонда оплаты труда.".

____________